KIM, Seo-Han;KIM, Shin;KIM, Tae-Hun;SONG, Pung-Keun
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2017.05a
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pp.69-69
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2017
For several decades, industrial processes consume a huge amount of raw water for various objects that consequently results in the generation of large amounts of wastewater. There effluents are mainly treated by conventional technologies such are aerobic, anaerobic treatment and chemical coagulation. But, there processes are not suitable for eliminating all hazardous chemical compounds form wastewater and generate a large amount of toxic sludge. Therefore, other processes have been studied and applied together with these techniques to enhance purification results. These techniques include photocatalysis, absorption, advanced oxidation processes, and ozonation, but also have their own drawbacks. In recent years, electrochemical techniques have received attention as wastewater treatment process that show higher purification results and low toxic sludge. There are many kinds of electrode materials for electrochemical process, among them, boron doped diamond (BDD) attracts attention due to good chemical and electrochemical stability, long lifetime and wide potential window that necessary properties for anode electrode. So, there are many researches about high quality BDD, among them, researches are focused BDD on Si substrate. But, Si substrate is hard to apply electrode application due to the brittleness and low life time. And other substrates are also not suitable for wastewater treatment electrode due to high cost. To solve these problems, Ti has been candidate as substrate in consideration of cost and properties. But there are critical issues about adhesion that must be overcome to apply Ti as substrate. In this study, to overcome this problem, TiN interlayer is introduced between BDD and Ti substrate. TiN has higher electrical and thermal conductivity, melting point, and similar crystalline structure with diamond. The TiN interlayer was deposited by reactive DC magnetron sputtering (DCMS) with thickness of 50 nm, $1{\mu}m$. The microstructure of BDD films with TiN interlayer were estimated by FE-SEM and XRD. There are no significant differences in surface grain size despite of various interlayer. In wastewater treatment results, the BDD electrode with TiN (50nm) showed the highest electrolysis speed at livestock wastewater treatment experiments. It is thought to be that TiN with thickness of 50 nm successfully suppressed formation of TiC that harmful to adhesion. And TiN with thickness of $1{\mu}m$ cannot suppress TiC formation.
Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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v.24
no.2
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pp.1-8
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2020
In the case of power plant facilities, seismic stability of non-structural elements is important. In particular, Cabinet structures to which electrical equipment is attached, should have functional safety against earthquakes. Therefore, in this study the dynamic characteristics of non-structural elements inside existing power plant buildings were identified and the response level generated during dynamic behavior was analyzed. In addition, The steel plate dampers were adopted and adjusted to suit the size of the target equipment. In order to derive the optimal seismic reinforcement, the variables according to the attachment location were set and the responses were analyzed by the seismic movement input before and after reinforcement.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.26
no.1
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pp.16-22
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2016
The research on two-wheeled inverted pendulum (TWIP) mobile robots has been ongoing in a number of robotic laboratories around the world. In this paper, we consider a robust controller design for the TWIP mobile robot driving on uniform slopes. We use a 2 degree-of-freedom (DOF) model which is obtained by restricting the spinning motion in a 3 DOF motion dynamic equation. In order to design the robust controller guaranteeing stability of the TWIP mobile robot driving on inclined surface, we propose a sliding mode control based on the theory of variable structure systems and design a sliding surface using the theory of the linear quadratic regulation (LQR). For simulation, the dynamic model of the TWIP mobile robot is constructed using Mathworks' Simulink and the sliding mode control is also implemented using Simulink. From simulation results, we show that the proposed controller effectively controls the TWIP mobile robot driving on slopes.
This article reviews recent R&D trends in SOFC development with an emphasis on industries that can produce the SOFC stack and power generation system. SOFC is an electrochemical device that can convert the chemical energy of fuel into the electrical energy with environment friendly system and high efficiency. SOFC power generation system could be classified as the portable power generation system, auxiliary power unit(APU), residential power generation(RPG) and large size distributed power generation. In the case of more than 10kW system, the major R&D trends are focused on the tubular type SOFC system with high efficient and long term stability to meet the commercialization of SOFC power generation system.
Ta diffusion barriers have been deposited on Si (100) substrate by applying a negative substrate bias voltage. The effect of the substrate bias voltage on the properties of the Ta films was investigated. In the case of the Ta films deposited without the substrate bias voltage, a columnar structure and small grains were observed distinctly, and the electrical resistivity of the deposited Ta films was very high (250 $\mu\Omega$cm). By applying the substrate bias voltage, no clear columnar structure and grain boundary were observed. The resistivity of the Ta films decreased remarkably and at a bias voltage of -125 V, reaching a minimum value of 40 $\mu\Omega$cm, which is close to that of Ta bulk (13 $\mu\Omega$cm). The thermal stability of Cu(100 mm)/Ta(50 mm)/Si structures was evaluated after annealing in H2 atmosphere for 60 min at various temperatures. The Ta films deposited by applying the substrate bias voltage were found to be stable up to $600^{\circ}C$, while the Ta films deposited without the substrate bias voltage degraded at $400^{\circ}C$.
The miniaturization of device size and submicron process causes serious problems in conventional metallization due to the solubility of silicon and metal at the interface, such as an increasing contact resistance in the contact hole and interdiffusion between metal and silicon. Moreover, the interaction between Cu and Si is so strong and detrimental to the electrical performance of Si even at temperatures below $200^{\circ}C$. Therefore it is necessary to implement a barrier layer between Cu and Si. So we study W-C-N diffusion barrier for prevent Cu diffusion as a function of $N_2$ gas flow and thermal stability. Especially, we also study the W-C-N diffusion barrier for analyzing the change of lattice constants.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.562-562
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2012
Recently, graphene and graphene-based materials such as graphene oxide (GO) or reduced graphene oxide (R-GO) draws a great attention for electronic devices due to their structures of one atomic layer of carbon hexagon that have excellent mechanical, electrical, thermal, optical properties and very high specific surface area that can be high potential for chemical functionalization. R-GO is a promising candidate because it can be prepared with low-cost from solution process by chemical oxidation and exfoliation using strong acids and oxidants to produce graphene oxide (GO) and its subsequent reduction. R-GO has been used as semiconductor or conductor materials as well as sensing layer for bio-molecules or ions. In this work, reduced graphene oxide field-effect transistor (R-GO FET) has been fabricated with ITO extended gate structure that has sensing area on ITO extended gate part. R-GO FET device was encapsulated by tetratetracontane (TTC) layer using thermal evaporation. A thermal annealing process was carried out at $140^{\circ}C$ for 4 hours in the same thermal vacuum chamber to remove defects in R-GO film before deposition of TTC at $50^{\circ}C$ with thickness of 200 nm. As a result of this process, R-GO FET device has a very high stability and durability for months to serve as a transducer for sensing applications.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.382-382
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2012
CIGS thin films have received great attention as a promising material for solar cells due to their high absorption coefficient, appropriate bandgap, long-term stability, and low cost production. CIGS thin films are deposited by various methods such as co-evaporation, sputtering, spray pyrolysis and electro-deposition. The deposition technique is one of the most important processes in preparing CIGS thin film solar cells. Among these methods, co-evaporation is one of the best technique for obtaining high quality and stoichiometric CIGS films. However, co-evaporation method is known to be unsuitable for commercialization. The sputtering is known to be very effective and feasible process for mass production. In this study, CIGS thin films have prepared by rf magnetron sputtering using a $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ single quaternary target without post deposition selenization. This process has been examined by the effects of deposition parameters on the structural and compositional properties of the films. In addition, we will explore the influences of substrate temperature and additional annealing treatment after deposition on the characteristics of CIGS thin films. The thickness of CIGS films will be measured by Tencor-P1 profiler. The crystalline properties and surface morphology of the films will be analyzed using X-ray diffraction and scanning electron microscopy, respectively. The optical properties of the films will be determined by UV-Visible spectroscopy. Electrical properties of the films will be measured using van der Pauw geometry and Hall effect measurement at room temperature using indium ohmic contacts.
$FeS_2$ has been widely used for cathode materials in thermal battery because of its high stability and current capability at high operation temperature. Salts such as a LiCl-KCl were added as a binder for improving electrical performance and formability of $FeS_2$ cathode powder. In this study, the effects of the addition of $Li_2O$ in LiCl-KCl binder on the formability of $FeS_2$ powder compact were investigated. With the increasing amount of $Li_2O$ addition to LiCl-KCl binder salts, the strength of the pressed compacts increased considerably when the powder mixture were pre-heat-treated above $350^{\circ}C$. The heat-treatment resulted in promoting the coating coverage of $FeS_2$ particles by the salts as $Li_2O$ was added. The observed coating as $Li_2O$ addition might be attributed to the enhanced wettability of the salt rather than its reduced melting temperature. The high strength of compacts by the $Li_2O$ addition and pre-heat-treatment could improve the formability of $FeS_2$ raw materials.
Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.49
no.2
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pp.116-125
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2013
Jigging and angling fishery is prevalent in the East Sea of Korea and this fishery needs many lamps to attract the fish. And the fishing boat uses 24~47 ballasts by the vessel's tonnage to turn on the fishing lamp. A 3.5kW magnetic-type ballast being currently used at many fishing boats can drive two 1.5kW metal-halide lamps. Meanwhile, this ballast has large weight (25kg) and volume. Therefore it is one of reason for the over-consumption of energy and the fire, resulted from overheat and electrical short, occurs occasionally because the ballast is installed at narrow and hot engine room. In addition, most of magnetic ballast has several problems such as periodic condenser replacement, low energy efficiency and making lamp short life, etc. So it is necessary to improve or develop newly the electronic ballast, which has to be smaller, lighter and more efficient. An electronic ballast was designed for the fishing boat by considering duration and electromagnetic interference in the study. Its weight and volume are respectably 40% and 66% compared to current ballast on the basis of PCB. The metal-halide lamp's spectrum of the designed ballast was nearly same to that of the current ballast in the test of lighting. In particular, the light stability was improved and there isn't any radio interference. As mentioned above, it is expected that the developed electronic ballast can replace current magnetic ballast because of many advantages related to energy-saving.
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