We show three-dimensional distribution of voltages resulted from the leakage current originated from outdoor electrical facilities in a submerged area. In case these facilities are grounded by the neutral line multiple grounding method, the existence of ungrounded electrical facilities can cause a disastrous effect on near-by passengers. In order to investigate this situation, we installed a real-scale test field for the experiment type I (for the leakage current path between a enclosure grounded electrical facility and another enclosure grounded one), and that for the experiment type II (for the leakage current path between a enclosure grounded electrical facility and another ungrounded one). For both cases, we carried out three-dimensional monitoring of the voltage distribution while varying additional conditions such as the exposure of the underground cables and the finishing of cable connection part. The result shows that a disastrous effect on human safety can arise from the leakage current without a pertinent measure for the construction and maintenance of outdoor electrical facilities.
Private electrical facilities are judged whether it is suitable for the insulation aging condition of their incoming underground cables using DC leakage current test method. In the case where the service point of utility is the secondary side of cut out switch installed in the electric pole, there is a problem that it is difficult to separate the lightning arresters(LA) because of their high position of the pole. Therefore, the field test voltage is applied at value lower than DC 30 kV, which are stated in the inspection guideline. However, this test could reduced the insulation performance of the LA by accelerating the electrical stress of the metal oxide varistor element in the pre-breakdown region. In this study, we analyzed the relationship between the DC test voltage and the leakage current using the non-destructive DC high voltage equipment with leakage current measurement function. The results show that the leakage current increases sharply above the specified test voltage. As a consequence, it could be contributed to improve insulation aging inspection method by selecting the possible test area on the VI characteristic curve of the pre-breakdown area of the LA.
This paper describes an influence of system voltage harmonics on arrester deterioration diagnostic techniques based on leakage current measurement because the resistive current is composed of two components caused by nonlinear characteristics of arrester and by system voltage harmonics. Resistive leakage currents of arresters, which can be evaluated by the third harmonic component of total leakage currents, increase with its deterioration progress. In this paper, we developed a PSpice model for ZnO arrester to simulate the harmonics' effect described above. In simulation, pure sinusoidal voltage and the $3^{rd}$ harmonic voltage are applied to the model, and the leakage current changes are compared. The simulation results showed that the magnitudes of resistive leakage current depend not only on the phase of system voltage harmonics but also on the magnitude of it.
This paper proposes an estimation algorithm for the separate primary and secondary leakage inductances of a three phase $Y-\Delta$ transformer using least squares method. The voltage equations from the primary and secondary windings are combined into a differential equation to estimate the separate primary and secondary leakage inductances in order to use the line current of the delta winding. Separate primary and secondary leakage inductances are obtained by applying least squares method to the differential equation. The performance of the proposed algorithm is validated under transient states, such as magnetic inrush and overexcitation, as well as in the steady state with various cut-off frequencies of low-pass filter. The proposed technique can accurately generate separate leakage inductances both in the steady and transient states.
This paper describes on the leakage inductance calculations of superconducting (s/c) tranformer. When s/c transformer quenches, the magnetic energy stored in the leakage inductance dissipates in the form of Joule heating. So, it is highly desired to estimate the leakage inductances of a s/c transformer as it is designed. In this paper, we calculated the leakage inductance of sic transformer, using zeroth and first order model, and the calculated results were compared with the measured ones. It shows that 1st order model is enough to estimate the leakage inductacne of s/c transformer.
This paper describes an effect of a single- and a quadruple-lightning impulse currents on electrical characteristics of ZnO blocks, and an expert system to diagnose arrestor deterioration. To deduce the parameters needed for diagnosing arrester deterioration, an accelerate deterioration teat is carried out. In the experiment, leakage current components are measured. Also, wave height distribution of the leakage current according to the progress of arrester deterioration is analyzed. From the experimental results, the wave height distribution of the leakage current showed conspicuous difference even in an immaterial leakage current increase. Therefore, the use of wave height distribution of the leakage current in deterioration diagnostic technique makes more accurate diagnosis than the conventional method by using only a leakage currant value. Finally, the expert system based on the experimental results is developed and the system can diagnose arrestor deterioration by measuring the leakage current and its wade height distribution.
A electrical fault is defined as any abnormal condition caused by a reduction in the insulation strength. To define the potential risk of the electric installation, measurement of leakage current has been getting considered, but because the measured leakage current value also contained leakage current by capacitance, the measured value could not be adapted to absolute reference to the installation. Therefore, in this paper, the correlation between the condition of electric installation and leakage current were analyzed. The result focuses on to detect them in a cost efficient way.
The electrical properties of Al/TiN/Ti contact are investigated at submicron contacts. The contact resistance and contact leakage current are dependent on metallization, surface dopant concentration, semiconductor surface treatment and contact plug ion implantation. In this paper, the contact resistance and contact leakage current are studied according to surface dopant concentration, semiconductor surface treatment and contact plug ion implantation at 0.8 micron contact. The contact resistance and contact leakage current increases with increasing substrate ion concentration. HF cleaning represents high contact resistance but low contact leakage current while CDE cleaning represents low contact resistance but high contact leakage current. Contact plug ion implantation decreases contact resistance but increases contact leakage current. Specially, RTA represents good electrical properties.
The effects of post annealing temperature by the Rapid Thermal Annealing(RTA) on the electrical properties of Pb(Zr,Ti)O$_3$(PZT) thin film were investigated. Analyses by the RTA treatments reveled that the leakage current of PZT thin films strongly depend on heating temperature and time. It was found that leakage current properties of PZT capacitor were changed by heating temperature during the RTA annealing. On Pt/Ti/Si substrates, PZT films are deposited at 350 $^{\circ}C$ by rf magnetron sputtering. The X-ray diffusion (XRD) was confirmed the formation of PZT thin film. Leakage current characteristics were improved with decreasing the post annealing temperature of PZT thin film. RTA annealed film on the 700$^{\circ}C$ shows ferroelectric and electrical properties with a remanent polarization of 12.4${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$ coercive field of 117kV/cm, leakage current J= 6.2${\times}$10$\^$-6/ A/$\textrm{cm}^2$
Poly-silicon thin film transistors were fabricated on quartz substrates by high temperature processes. Electrical characteristics were measured and compared for 3 transistor structures of Standard Inverted Gate(SIG), Lightly Doped Drain(LDD), and Dual Gate(DG). Leakage currents of DG and LDD TFT's were smaller that od SIG transistor, while ON-current of LDD transistor is much smaller than that of SIG and DG transistors. Temperature dependence of the leakage currents showed that SIG and DG TFT's had thermal generation current at small drian bias and Frenkel-Poole emission current at hight gate and drain biases, respectively. In case of LDD transistor, thermal generation was the dominant mechanism of leakage current at all bias conditions. It was found that the leakage current was closely related to the reduction of the electric field in the drain depletion region.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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