Improvement of the carrier transport property and interfacial behavior in InGaAs quantum well Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors with sulfur passivation (황화 암모늄을 이용한 Al2O3/HfO2 다층 게이트 절연막 트랜지스터 전기적 및 계면적 특성 향상 연구)
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- Journal of Sensor Science and Technology
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- v.29 no.4
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- pp.266-269
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- 2020