Seo, Soon-Jee;Song, Yoon-Ho;Kim, Hee-Joon;Lee, Ki-Ha;Suh, Jung-Hee
대한자원환경지질학회:학술대회논문집
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대한자원환경지질학회 1999년도 춘계 공동학술발표회
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pp.90-93
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1999
We present a high frequency electromagnetic (EM) inversion scheme for detecting and characterizing a fracture using single-hole data. At high frequencies, say above tens of mega-hertz, since displacement currents cannot be ignored, electrical permittivity as well as electrical conductivity is to be considered together for analyzing the EM scattering data. In this paper, we have developed a three-step inversion scheme to map the fracture and to evaluate its electrical conductivity and permittivity. We performed EM profiling along the z-axis using three-component receivers for each source. The model was excited by a vertical magnetic dipole and the resistant magnetic fields were inverted using the non-linear least-squares method. Background resistivity and permittivity were easily obtained using vertical magnetic fields below 1 MHz and above 10 MHz, respectively. Both the vertical and dipping sheets were successfully mapped using the phase difference between 40 and 41 MHz. The electrical property of the sheet was well resolved using the information obtained in the previous two steps and secondary magnetic fields. Our study shows the potential of imaging the fracture in single-hole survey environment using the high frequency EM method.
The multiferroic $BiFeO_3$ has been investigated extensively in both thin film and ceramic form. However, the synthesis of a perfect sample with high resistivity is a prerequisite for examining its properties. This paper reports the synthesis of multiferroic $BiFeO_3$ along with its structural, electrical and magnetic properties in ceramic form. Polycrystalline ceramic samples of $BiFeO_3$ were synthesized by solid-state reaction using high purity oxides and carbonates. The formation of a single-phase compound was confirmed by x-ray diffraction and its lattice parameters were determined using a standard computer program. The microstructural studies and density measurement confirmed that the prepared samples were sufficiently dense for an examination of its electrical and magnetic properties. The dc electrical conductivity studies show that the sample was resistive with an activation energy of ${\sim}0.81\;eV$. The magnetization measurement showed a linear ($M{\sim}H$) curve indicating antiferromagnetic characteristics.
Electrically conducting polymers such as polypyrrole(PPy) or poly(3,4-ethylene dioxythiophene)(PEDOT) were sequentially polymerized chemically and electrochemically on various kinds of woven fabrics, giving rise to the fabrics with high electrical conductivity. The specific volume resistivity of the fabric prepared in this study was extremely low as 0.2 $\Omega$-cm. We figured out the electrically conducting fabrics were practically useful for many applications such as an EMI shielding material, a flexible surface heating element or a strain sensor for large deformation.
Electroplating is an attractive alternative deposition method for copper with the need for a conformal and conductive seed layer In addition, the Cu seed layer should be highly pure so as not to compromise the effective resistivity of the filled copper interconnect structure. This seed layer requires low electrical resistivity, low levels of impurities, smooth interface, good adhesion to the barrier metal and low thickness concurrent with coherence for ensuring void-free fill. The electrical conductivity of the surface plays an important role in formation of initial Cu nuclei, Cu nucleation is much easier on the substrate with higher electrical conductivities. It is also known that the nucleation processes of Cu are very sensitive to surface condition. In this study, copper seed layers deposited by magnetron sputtering onto a tantalum nitride barrier layer were used for electroplating copper in the forward pulsed mode. Prior to electroplating a copper film, the Cu seed layer was cleaned by plasma H$_2$ and $N_2$. In the plasma treatment exposure tome was varied from 1 to 20 min and plasma power from 20 to 140W. Effects of plasma pretreatment to Cu seed/Tantalum nitride (TaN)/borophosphosilicate glass (BPSG) samples on electroplating of copper (Cu) films were investigated.
In recent times, the demand for electronic devices has increased because of advancements in the electronics industry. Consequently, research on shielding against electromagnetic interference (EMI) from electronic devices has also progressed significantly. In particular, research on imparting electrical conductivity to plastic has seen substantial progress. In this study, the effect of hybrid fillers comprising carbon fiber (CF) and carbon nanotubes (CNTs) on the electrical properties of polyamide 66 (PA66) composites was investigated. PA66 composites were prepared using a BUSS Co-Kneader single-screw extruder. EMI shielding effectiveness (SE) increased with the increasing addition of unsized CF (UCF), sized CF (SCF), and CNTs. For the PA66/SCF/CNT hybrid filler composites, EMI SE significantly increased with the increase in SCF content. Finally, the hybrid filler comprising SCF and CNTs may have a synergistic effect on the EMI SE and surface resistivity of PA66/SCF/CNT composites.
International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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제14권2호
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pp.146-151
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2013
Carbon nanofibers (CNFs) are electrically conductive. When CNFs are used as fillers in resin, this electrical conductivity can be yielded without adversely affecting the mechanical properties of the resin. When an elastomer is adopted as the resin, a conductive elastomer can then be produced. Due to its flexibility and conductive properties, a large strain sensor based on changes in resistivity may be produced, for strain sensing in flexible structures. In this study, a patch-type large strain sensor using resistivity change in a CNF/elastomer composite was proposed. The measurement limits of the sensor were investigated experimentally, and the limit was found to be 40%, which greatly exceeded the limits of conventional metal-foiled strain gages. Also, the proposed CNF/elastomer large strain sensor can be used to measure flexible materials, while conventional strain gages cannot be used to measure such strains.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권2호
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pp.93-96
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2017
The structural, electrical and optical properties of Ti thin films fabricated by dual magnetron sputtering were investigated under various film thicknesses. The fabricated Ti thin films exhibited uniform surfaces, crystallinity, various grain sizes, and with various film thicknesses. Also, the crystallinity and grain size of the Ti thin films increased with the increase of film thickness. The electrical properties of Ti thin films improved with the increase of film thickness. The results showed that the performance of TCO-less DSSC critically depended on the film thickness of the Ti working electrodes, due to the conductivity of Ti thin film. However, the maximum conversion efficiency of TCO-less DSSC was exhibited at the condition of 100 nm thickness due to the surface scattering of photons caused by the variation of grain size.
The $HoSi_2$ compounds prepared by codeposition of Si and Ho, and $HoSi_2$ by sintering method were investigated electrical and Hall effect. The crystal structure of samples showed a orthorhombic structure, and lattices constant is a=9.8545 $\AA$, b=7.7935 $\AA$, c=7.8071 $\AA$. Hall effect shows a n-type conductivity in the sintered $HoSi_2$. The electrical resistivity values was 1.608${\Omega}cm^{-1}$ and carrier mobility was $6.9{\times}10^1cm^2/V{\cdot}sec$ at low room temperature.
Antimony (6 wt%) doped tin oxide (ATO) films to improve conductivity were deposited on 7059 coming glass by RF magnetron sputtering method for application to transparent electrodes. The ATO film was deposited at a working pressure of 5 mTorr and RF power of 175 W. We investigated the effects of the post-annealing temperature on structural, electrical and optical properties of the ATO films. The films were annealed at temperatures ranging from $300^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$ in step of $100^{\circ}C$ using RTA equipment in vacuum ambient. X-ray diffraction (XRD) measurements showed the ATO films to be crystallized with a strong (101) preferred orientation as the annealing temperature increased. Electrical resistivity decreased significantly with annealing temperatures up to $600^{\circ}C$. ATO film annealed at temperature of $600^{\circ}C$ showed the lowest resistivity of $5.6\times10^{-3}\Omega$-cm. Optical transmittance increased significantly with annealing temperatures up to $600^{\circ}C$. The highest transmittance was 90.8 % in the visible range from 400 to 800 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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