Impedance calculations of electric railway traction systems is essential to define characteristics and to design it. The self impedance is defined voltage drop rate per unit length, the mutual impedance is represented as a voltage induced to transmission line from transmission line. The self and the mutual impedance are influenced by ground return currents. The earth is considered as a semi-infinitely extended non-ideal conductor. The current of transmission line produces earth current induced magnetically and it flow through a path having minimum impedance. Carson proposed the impedance calculation formula using wave equations and magnetic field equations. Though the formula have an improper equation, that is still used as a standard impedance calculation method. This paper introduced an impedance calculation method that the complex depth of earth return method assumes that the current in conductor returns through an imagined earth depth path located directly under original conductor at a depth of. In this paper, we showed that this proposed method has a closed form and is easier than Carson's.
1 mG부터 5 G까지 발생시킬 수 있는 소동물 실험율 60Hz 자계 발생장치를 설계하고 제작하였다. 동시에 많은 동물을 시험하기 위해서는 발생장치 내의 균일한 자계 분포 영역이 넓어야 하는데, 본 고에서는 SD-계쥐 약 50마리를 수용할수 있도록 하기 위해 소동물의 거주 공간을 장치 내부 1$\times$1$\times$1m3 크기로 하고 전체 발생장치의 크기는 1.8$\times$1.8$\times$1.8m3 입방형으로 설정하였다. 장치 내부의 자계 균일도를 검증하기 위해서 3차원 자계 계산 프로그램을 개발하였고, 이를 이용하여 거주 공간의 자계 분포가 가장 균일하게 되는 내.외곽코일의 최적 전류비 및 위치를 결정하였다. 또한 수치계산을 통한 임피던스에 근거하여 전원장치를 제작하였다. 제작된 자계 발생장치는 측정을 통하여 동물 거주 공간의 자계 최대치와 최소치의 차이가 3% 이내임을 확인할수 있었고 정밀한 소동물 자계 노출 시험용으로 사용 가능한 것으로 판단되었다.
유전 알고리즘은 자연의 진화 과정에 기초한 계산 모델로서 전역 최적화 결과를 제공할 수 있다. 변화율(gradient)을 기반으로 하는 방법들과는 달리, 민감도 해석이 요구되지 않으므로 민감도 해석이 어려운 전계(electric field)에서의 나노 단위 구조물의 형상 설계에 적합하다. 본 연구는 유전 알고리즘과 ON/OFF 방법을 기반으로 위상최적화를 수행하여 가시광선 영역에서 새로운 형태의 나노개구 설계를 목표로 하였다. 연구의 목적은 나노개구 아래10nm에 위치한 측정영역에서의 전계 투과효율(transmission rate)을 최대화하며, 동시에 다른 영역에서의 전계 분포를 최소화하는 것이다. 유한요소해석 및 최적화 과정은 상용 프로그램 COMSOl과 Matlab 프로그램의 연동에 의하여 수행되었다. 최적화 모델의 결과는 초기 모델과의 전계 강도 (electric field intensity) 및 근접장의 초점치수(spot size)를 비교하여 분석하였다.
The axial discharge at switching operations of EHV $SF_6$ disconnector can lead to the breakdown to the enclosure. Precursor in periphery zone leads to formation of leader over some time delay. Injected charge value depends on electric field and gap geometry. The calculation method for parameters of $SF_6$ insulation for DS in EHV-GIS is suggested by using the new criterion of leader inception in connection with periphery field nearby the boundary of streamer zone.
As the industry develops, they are interested in the fault of electric machines and the effect on human beings by electromagnetic fields and waves which generate through much use of electric machines and appliances. In foreign country, they confirmed the standard about electromagnetic interference and compatibility(EMI/EMC) of electromagnetic fields and waves generating electricity transmission/distribution equipments and electric appliance. In Korea, such criteria are applied too. Before EMI/EMC standard is applied, it is important to prepare the plan to predict and reduce electromagnetic fields and waves which generate in the inner and the outer part of electric machinery. To solve such a problem, they calculated Maxwell's equations by finite element method(FEM) and finite difference method(FDM) in most papers. However, these methods have the disadvantage that mathematical expansions are complex and need much memory allocations for grid and mesh generations. In this paper, we introduce transmission line matrix(TLM) method that media of which trains consists are regarded as transmission lines for electromagnetic field calculation in Korean High Speed Train, calculate the electric and magnetic field, and analyze the results.
대용량 초전도 에너지저장장치(Superconducting Magnetic Energy Storage, SMES)용 초전도 권선을 제작하기 위해서는 높은 자장특성을 가고 있는 2세대 고온초전도 (2nd Generation High-Temperature Superconductor, 2G HTS) 선재를 사용하는 것이 효율적이다. 자기에너지 저장 밀도를 높이기 위해서는 권선에 높은 전류밀도를 인가해야 하는데, 도체의 평면에 수직 방향으로 인가되는 자속밀도가 커지면 임계전류가 작아지는 2세대 HTS 선재의 특성상 토로이드 형태의 권선을 구성하는 것이 일반적이다. 이러한 고온초전도 권선을 설계하기 위해서는 권선 특성의 정확한 해석이 필요한데 이를 위해 유한요소법을 사용한 프로그램을 이용하여 해석이 가능하나 토로이드 형태의 권선은 대칭성의 문제로 3차원 해석을 해야만 하며, 이는 모델링에 많은 어려움과 높은 컴퓨터 사양, 그리고 매우 긴 계산 소요시간이 필요함을 의미한다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 분석적이고 통계적으로 고온 초전도 코일에서 작용하는 최대 수직자장과 저장된 에너지를 결정하는데 이해하기 쉽고 효율적으로 계산하는 방법을 제시했다. 이 방법은 현저한 시간단축과 효율적인 설계를 할 수 있는 새로운 계산 방법으로 기존의 유한요소법에 의해 소요되는 계산 시간에 비해 1/1000정도로 계산시간 단축을 할 수 있었다.
A non-thermal micron size plasma needle is applicable for medical treatment because it includes radicals, charged particles, ultraviolet emission, and strong electric fields. The electric fields around the plasma needle device driven by a radio frequency wave are investigated in order to calculate the power delivered to the cell. A commercial multi-physics code, CFD-ACE, was utilized for the calculation of electric fields for the optimization of the needle structure. The electric field and energy absorption profiles are presented with the variation of the device structure and the distance between the needle and tissues. The living tissues effectively absorb the radio frequency power from the plasma needle device with the covered pyrex structure.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제4C권2호
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pp.45-50
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2004
The field utilization factor (equation omitted) (the mean electric field / the maximum electric field) of standard sphere gaps was calculated by the charge simulation method, taking into account the ground plane and shanks. n changes mainly with g/r and slightly with 1$_1$, 1$_2$ and 1, where D=2r is the sphere diameter, g is the gap length, 1$_1$ and 1$_2$, respectively, are the lengths of the upper and lower shank, and t is the shank diameter. Generally, (equation omitted) increases as 1$_1$,1$_2$ and t each becomes larger. IEC standard 60052(2002) limits t$\leq$0.2D 1$_1$$\geq$1D and prescribes A=1$_2$+D+g where A is the height of the spark point on the upper sphere. Therefore, (equation omitted) is the largest when A=9D and the smallest when A=3D. The simple equation of a straight line, (equation omitted)=1- (g/3r), can generally be used as a representative value of (equation omitted) for a wide variety of sphere diameters that are permitted by the IEC standard. The maximum electric field E$_{m}$ at sparkover of standard air gaps has also been calculated by the relation E$_{m}$=V/(equation omitted)g). E$_{m}$ describes a U-curve for g/r, up to the sphere diameter of 1 m. Moreover, for 1.5-m and 2-m diameters and especially .for negative polarity, sparkover voltages have been calculated by integration of the ionization index.index.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권1호
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pp.63-73
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2004
A simple analytical model has been presented for the study of the optical bistability using a $GaAs-Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ multiple quantum well (MQW) p-i-n diode structure. The calculation of the optical absorption is based on a semi-emperical model which is accurately valid for a range of wells between 5 and 20 nm and the electric field F< 200kV/cm . The electric field dependent analytical expression for the responsivity is presented. An attempt has been made to derive the analytical relationship between the incident optical power ( $(P_{in})$ ) and the voltage V across the device when the diode is reverse biased by a power supply in series with a load resistor. The relationship between $P_{in}$ and $P_{out}$ (i.e. transmitted optical power) is also presented. Numerical results are presented for a typical case of well size $L_Z=10.5nm,\;barrier\;size\;L_B=9.5nm$ optical wave length l = 851.7nm and electric field F? 100kV/cm. It has been shown that for the values of $P_{in}$ within certain range, the device changes its state in such a way that corresponding to every value of $P_{in}$ , two stable states and one unstable state of V as well as of $P_{out}$ are obtained which shows the optically controlled bistable nature of the device.
The formula to calculate a variation of optical path length of single crystal by the electric field was derived by this study. The formula was applied to $Bi_{12}SiO_{20}$ single crystal. The results are as follows. In case of the applied electric field in the body diagonal direction and the passing light along the same direction, the variation of optical path length had the largest value. The symmetry of the space distribution of optical path length satisfied $E3C_2\;8C_3$, the set of elements of the symmetry of $Bi_{12}SiO_{20}$ single crystal. The property which gave the largest influence to the variation of optical path length is the strain of length by the Inverse piezoelectric effect. The second influence, is the variation of the refractive index by the electro-optic effect. The variation of optical path length by the inverse piezoelectric effect and by the electro-optic effect have a reverse sign each other.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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