현대사회는 디지털 정보화시대로 변화하고 있으며, 이로 인해 다양한 영상들의 이용이 증가하고 있다. 이러한 영상을 처리하기 위하여, 다양한 디지털 영상 처리 기법이 이용되고 있다. 그 중 에지검출 기법은 물체 인식, 차선 검출 등 여러 응용 분야에 활용되고 있다. 기존의 에지 검출 기법은 Sobel, Prewitt, Roberts, Laplacian 등이 있다. 하지만 이러한 기존의 방법들로 처리한 영상들은 영상을 주변 화소의 변화정도와 관계없이 동일하게 영상을 처리하기 때문에, 에지 검출 특성이 다소 미흡하다. 따라서 본 연구에서는 기존의 방법들의 단점을 개선하기 위하여, 변형된 확장 마스크를 이용한 에지 검출 알고리즘을 제안하였다.
영상에서 에지는 영상의 특징을 분석하는 중요한 요소이며 여러 응용 분야에 선택적으로 활용되고 있다. 이러한 에지를 검출하고 활용하기 위한 많은 연구들이 지금까지도 진행되고 있으며, 초기에는 에지를 검출하기 위하여 인접한 화소들의 관계를 이용한 방법들이 제안되었다. 이러한 방법들의 특징은 알고리즘의 처리가 빠르지만 영상에 관계없이 특정 가중치가 모든 화소에 동일하게 적용되는 것이다. 이와 같은 기존의 방법의 단점을 보완하기 위하여, 최근에는 영상에 따라 적응하여 에지를 검출하는 알고리즘의 연구가 활발히 진행되고 있다. 따라서 본 논문에서는 에지를 우수한 특성으로 검출하기 위해 적응 마스크를 이용한 알고리즘을 제안하였다.
영상매체의 발전으로 영상처리가 여러 분야에 적용되고 있으며, 영상의 밝기가 급격히 변화하는 경계 부분은 에지가 중요한 정보와 특징을 포함하므로 영상의 특징을 분석함에 있어서 중요한 요소이다. 이러한 에지를 검출하기 위한 많은 연구가 계속되어 왔으며, 기존의 에지 검출 방법은 인접한 화소 사이에 대한 관계를 이용하여 수행 속도는 우수하나, 휘도 변화를 고려하지 않는 고정된 마스크를 이용하므로 에지검출 특성이 다소 미흡하다. 따라서 본 논문에서는 마스크의 휘도 변화를 이용한 새로운 알고리즘을 제안하였다.
The hard mask photo-resist strip inspection system for the semiconductor wafer manufacturing process inspects the position of the circuit pattern formed on the wafer by measuring the distance from the edge of the wafer to the strip processing area. After that, it is an inspection system that enables you to check the process status in real time. Process defects can be significantly reduced by applying a tester that has not been applied to the existing wafer strip process, edge etching process, and wafer ashing process. In addition, it is a technology for localizing semiconductor process inspection equipment that can analyze the outer diameter of the wafer and the state of pattern formation, which can secure process stability and improve wafer edge yield.
본 논문에서는 영상의 명암대비(contrast)를 개선시키는 언샾 마스킹 방법을 제안한다. 언샾 마스킹은 이미지가 가지고 있는 에지와 디테일 정보를 개선시키는데 일반적인 샤프닝 마스크 보다 효과적이기에 이에 관한 많은 연구가 있었다. 제안하는 방법은 방향성 정보를 이용한 블록 단위의 언샾 마스킹 방법으로 영상을 블록 단위로 분할하고 DCT(Discrete Cosine Transform)를 이용하여 각 블록에서 패턴의 방향성 정보를 얻어낸다. DCT 결과로부터 해당 블록들의 방향성 타입을 결정하고 이에 따라 언샾 마스크를 적응적으로 적용한다. 블록의 분류는 평탄영역, 텍스처, 에지 그리고 나머지 형태로 구분되어 진다. 평탄 영역에 속하는 블록은 잡음에 의한 영향을 줄이기 위해 언샾 마스킹을 적용하지 않으며 텍스처와 에지영역에 대해서는 고주파 성분을 강조하기 위해 블록타입에 맞는 적응적 언샾 마스킹을 적용한다. 실험을 통하여 영상에서 평탄 영역은 잡음에 의한 훼손을 줄이며 에지들이 포함된 텍스처 영역은 적응적으로 강조하여 시각적으로 우수한 명암대비 개선 결과를 얻을 수 있었다.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.91-93
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2008
The organic field-effect transistors with step-edge structure were fabricated. Source and drain electrodes were obliquely deposited by vacuum evaporation. The step-edge of the gate electrode serve as a shadow mask, and the short channel is formed at the step-edge. The excellent device performances were obtained.
원거리에서의 획득한 영상은 해상도가 낮고 블러링과 잡음에 의한 영향이 크다. 이러한 문제점들은 얼굴 검출 과정에서 보다 많은 오류영역을 산출할 수 있다. 본 논문에서는 AdaBoost 필터와 얼굴의 색상과 외형 정보를 이용한 순차적인 검증 단계를 적용한 얼굴 검출 방법을 제안한다. AdaBoost 방법으로 검출된 오류(false alarm)는 피부색 필터와 가변 경계마스크 필터로 순차적으로 제거된다. 피부색 필터는 사각 윈도우 영역과 화소 별로 적용되는 두 단계로 구성되어 최종적으로 이진 얼굴 클러스터 영상을 구성한다. 기존의 고정된 경계마스크 필터의 단점을 해결하기 위하여 얼굴 클러스터영역에 부합하는 타원을 추정하여 경계마스크의 크기를 산출하고 가로-세로 비율의 적정성을 검토한다. 실험에서는 CCTV와 스마트 폰으로 획득한 영상을 이용하여 제안된 얼굴 검출 방법이 원거리에서 획득한 영상의 얼굴 검출에 효과적임을 보인다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권1호
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pp.61-69
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2014
With the extreme ultraviolet (EUV) lithography, the performance limit of chemically amplified resists has recently been extended to 16- and 11-nm nodes. However, the line edge roughness (LER) and the line width roughness (LWR) are not reduced automatically with this performance extension. In this paper, to investigate the impacts of the EUVL mask and the EUVL exposure process on LER, EUVL is modeled using multilayer-thin-film theory for the mask structure and the Monte Carlo (MC) method for the exposure process. Simulation results demonstrate how LERs of the mask transfer to the resist and the exposure process develops the resist LERs.
Park, Hyeoung Woo;Kim, H.J.;Roh, Ji Hyoung;Choi, Jong-Kyun;Cha, Kyoung-Rae
Journal of the Korean Physical Society
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제73권10호
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pp.1473-1478
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2018
In this study, we have developed a simple and cost-effective method to prevent edge bead formation by covering the edge of a chip-level substrate with heat-resistant tape during patterning using SU-8. Edge beads are a fundamental problem in photoresists and are particularly notable in high-viscosity fluids and thick coatings. Edge beads can give rise to an air gap between the substrate and the patterning mask during UV exposure, which results in non-uniform patterns. Furthermore, the sample may break since the edge bead is in contact with the mask. In particular, the SU-8 coating thickness of the chip-level substrates used in MEMS or BioMEMS may not be properly controlled because of the presence of edge beads. The proposed method to solve the edge bead problem can be easily and economically utilized without the need for a special device or chemicals. This method is simple and prevents edge bead formation on the sample substrate. Despite the small loss in the taping area, the uniformity of the SU-8 coating is improved from 50.9% to 5.6%.
This paper addresses the problem of vision-based mask filter inspection for mask production systems. Machine learning-based approaches can be considered to solve the problem, but they may not be applicable to mask filter inspection if normal and anomaly mask filter data are not sufficient. In such cases, handcrafted image processing methods have to be considered to solve the problem. In this paper, we propose a hierarchical correlation-based approach that combines handcrafted image processing methods to detect anomaly mask filters. The proposed approach combines image rotation, cropping and resizing, edge detection of mask filter parts, average blurring, and correlation-based decision. The proposed approach was tested and analyzed with real mask filters. The results showed that the proposed approach was able to successfully detect anomalies in mask filters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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