• 한국진공학회지
• /
• 제4권S1호
• /
• pp.138-144
• /
• 1995

It is commonly believed that high permittivity materials will be necessary for future high density Gbit DRAMs. In a first part, we explain the choice of SrTiO3 by ECR MOCVD for Gbit-scale DRAMs. In a second part, after describing the ECR MOCVD system and presenting the requirements SrTiO3 thin films should meet for use in Gbit-scale DRAMs, the physical and electrical properties of srTiO3 thi film prepared by ECR MOCVD are then studied. A stacked capacitor technology, suitable for use in 1 Gbit DRAM, and comprising high permittivity SrTiO3 thin films prepared by ECR MOCVD at $450^{\circ}C$ on electron beam and RIE patterned RuO2/TiN storage nodes is finally described.

• 한국군사과학기술학회지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.44-53
• /
• 2003

Cu/C films were prepared at room temperature under $Cu(hfac)_2-Ar-H_2$ atmosphere in order to obtain metallized polymer by using ECR-MOCVD(Electron Cyclotron Resonance Metal Organic Chemical Vapor Deposition) coupled with a DC bias system. The room temperature MOCVD on polymer substrate could be possible by collaboration of ECR and a DC bias. Structural analysis of the films by ECR was found that fine copper grains embedded in an amorphous polymer matrix with indistinctive interfacial layer. The increase in $H_2$ contents brought on copper-rich film formation with low electric resistance. On the other hand carbon-rich films with low sheet electric resistance were prepared in argon atmosphere. The electric sheet resistance of Cu/C films with good interfacial property were controlled at $10^8$~$10^0$ Ohm/sq. ranges by the $H_2$/Ar mole ratio and the shielding effectiveness of the film showed maximum up to 45dB in the our experimental range.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제42권2호
• /
• pp.94-98
• /
• 2005

[ $RuO_2$ ]는 DRAM과 FRAM소자에서 고유전 capacitors의 저전극물질로서 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 XRD, SEM, AFM 분석 등을 통하여 금속유기 화학 증착법(MOCVD)으로 $RuO_2$ 증착시 핵생성에 영향을 미치는 수소, 산소, 아르곤 ECR플라즈마 전처리 효과를 조사하였으며, 아르곤 ECR플라즈마 전처리의 경우 가장 높은 핵생성 밀도를 나타내었다. ECR 플라즈마 전처리를 통한 $RuO_2$의 핵생성 향상 메카니즘은 아르곤이나 수소 ECR 플라즈마는 TiN막 표면의 질소나 산소원자를 제거하고 따라서 TiN막 표면은 Ti-rich TiN으로 바뀌게 되는 것이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.163-163
• /
• 2003

TiN barrier막 위에 metal organic chemical deposition(MOCVD)법으로 RuO$_2$ 를 증착시 TiN막 표면을 세정처리하지 않을 경우 RuO$_2$의 핵생성이 어렵고, 그로 인해 RuO$_2$ 연속막이 형성되기 힘들다. 그러므로 RuO$_2$의 핵생성을 향상시키기 위해 TiN막에 대한 전처리 세정이 필수적이다. TiN막의 전처리 세정방법으로 ECR plasma 세정법을 사용하였으며, $O_2$ plasma와 H$_2$ plasma 그리고 Ai plasma를 이용해 각각의 exposure time을 변화시키며 전처리 세정을 실시하였다. H$_2$ plasma와Ar plasma의 exposure time이 증가됨에 따라 RuO$_2$의 핵생성이 향상되었다. 본 연구에서는 scanning electron microscopy(SEM), Auger electron emission spectrometry(AES), Atomic Force Microscope(AFM), X-ray diffraction (XRD) 등의 분석을 통해 TiN막 표면에 대한 ECR plasma 전처리 세정 이 RuO$_2$의 핵생성과 연속막 성장에 미치는 효과에 대해 조사하였다.

• 한국군사과학기술학회지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.34-46
• /
• 2004

Copper films were prepared by using ECR-MOCVD(Electron Cyclotron Resonance Metal Organic Chemical Vapor Deposition) coupled with a DC bias system. The DC bias is connected to the electrode which placed 1∼3cm above the polymer substrate. The pulse electrical field around the electrode attracts the positive charged copper ions generated from the dissociation of copper precursor, $Cu(hfac)_2$, under ECR plasma. Condensation of supersaturated copper ions in the space between the electrode and substrate, makes it possible to deposit copper film on the polymer substrate even at room temperature. In this study, optimization of the electrode configuration was carried out in order to obtain the uniform films. The uniformity of the deposited films were closely related to the parameters of electrode geometry such as electrode shape, thickness, grid size and the spacing between electrodes. The most uniform copper film was observed with the electrode that enabled uniform electrical field distribution across the whole dimension of electrode.

• 한국재료학회지
• /
• 제14권3호
• /
• pp.203-210
• /
• 2004

Effects of various pretreatments on the adhesion of copper-coated polymer films were investigated. Copper-coated polymer films were prepared by an electron cyclotron resonance-metal organic chemical vapor deposition (ECR-MOCVD) coupled with a DC bias system at room temperature. PET(polyethylene terephthalate) film was employed as a substrate material and it was pretreated by industrially feasible methods such as chromic acid, sand-blasting, oxygen plasma and ion-implantation treatment. Surface characterization of the copper-coated polymer film was carried out by AFM(Atomic Force Microscopy) and FESEM(Field Emission Scanning Electron Microscopy). Surface energy was calculated by based on the value of the contact angle measured. The adhesion of copper/PET films was determined by a pull-off test according to ASTM D-5179. It was found that suitable pretreatment of the PET substrate was required for obtaining good adhesion property between copper films and the substrate. In this study the highest adhesion was observed in sand-blasting, and then followed by those of acid and oxygen plasma treatment. However, the effect of surface energy was insignificant in our experimental range. This is probably due to compensating the difference in surface energy from various pretreatments by exposing substrate to ECR plasma for 5 min or longer at the early stage of the copper deposition. Therefore, it can be concluded that surface roughness of the polymer substrate plays an important role to determine the adhesion of copper-coated polymer for the deposition of copper by ECR-MOCVD.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제43권1호
• /
• pp.85-91
• /
• 2005

ECR-MOCVD를 이용한 상온조건에서 투명전도성 고분자막이$(CH_3)_4Sn-H_2-O_2$ 분위기하에 $SnO_2$막이 제조되었다. 제조된 투명전도막의 전기적특성은 공정압력, 전자석/분사링/기판사이의 거리, 전자석의 전류, 마이크로파 출력, 증착시간과 같은 공정변수에 따라 조사되었다. 마이크로파 출력과 전자석의 전류가 증가함에 따라 낮은 전기적 저항을 갖는 $SnO_2$막이 형성되었다. 또한 이들 공정변수들이 증착된 막의 광학적특성에 미치는 영향은 중요하게 나타났다. ECR-MOCVD에 의해 제조된 막의 투과도와 반사도는 380-780 nm의 가시광영역에서 각각 93-98%, 0.1-0.5%였다. 증착된 막의 평균 grain 크기는 공정변수에 관계없이 20-50 nm범위의 값으로 일정하였다. 본 연구의 최적화된 조건에서 전기적저항은 $7.5{\times}10^{-3}ohm{\cdot}cm$, 투과도 93%, 반사도 0.2%를 갖는 막이 얻어졌다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.120-120
• /
• 2003

MOCVD법으로 TiN 표면에 Ru을 증착함에 있어서 Ru의 핵생성을 고양시키기 위한 ECR plasma 전처리 세정이 필요하다. 본 연구에서는 Ru 증착시 ECR $H_2O$$_2$, AE Plasma 전처리 세정 효과를 SEM, AES, XRD로 분석하였다. Ru의 핵생성은 ECR H$_2$, Ar Plasma의 노출시간이 증가할수록 향상된 반면, ECR $O_2$ plasma의 경우 노출시간이 증가할수록 핵생성 효과는 감소하였다. H$_2$ plasma 내의 H$_2$ion은 Ti와 NH$_3$를 형성하기 위해서 TiN과 반응하여 TiN을 Ti로 개질 시켰으며, Ar plasma 전처리 세정하는 동안 Ar plasma 내의 Ar ion은 TiN 또는 TiON 표면의 질소와 산소원자를 제거하는 효과를 나타내었다. 그 결과 TiN 표면상에서도 Ru의 핵생성이 쉽게 이루어졌으며 H$_2$, Ar ECR Plasma 전처리 세정에서 RU 핵생성이 향상되는 결과를 얻었다. 세 종류의 plasma중에서 Ar ECR plasma로 전처리 세정한 경우에 가장 높은 Ru 핵생성 밀도를 얻을 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및
• /
• pp.131.2-131.2
• /
• 2007

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.196-196
• /
• 2002