• Journal of Chest Surgery
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• 제14권3호
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• pp.235-240
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• 1981

A total of 102 patients who had an Open Heart Surgery from April 1976 to July 1981 were reviewed. 55 paeitnts were congenital heart disease and 47 patients were acquired heart disease. Among SS patients of congenital heart disease, 18 T 0 F, 18 V S D, 8 A S D, and each one case of l\ulcorner 0 R V, Truncus arteriosus, Ebstein anomaly, Single ventricle, P D A, P 5, A S D + P 5, E C D, V 5 D + P D A, A - P window, D C R V were noted respectively. In 47 patients of acquired heart disease and one Ebstein patient, 46 prosthetic values were implanted: 17 had M V R, 4 had A V R, 2 had M V R + A V R, and 4 had M V R + T V R and one T V R. The operative mortality was 8.S% in acquired heart disease and 17% in congenital heart disease. The follow up period was between 6 months and 6 years. There were 3 cases of late mortality in acquired heart disease and one case in congenital heart disease.

• 한국진공학회지
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• 제13권1호
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• pp.14-21
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• 2004

오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minority carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다. 스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가될 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전자조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 $p^+- n^-$접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결함은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다. 본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지을 수 있다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제24권4호
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• pp.349-366
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• 2007

천체관측용 고효율 CCD 카메라 시스템과 제어소프트웨어의 독자개발의 시도로 KODAK사의 KAF-0401E($768\;{\times}\;512$), KAF-1602E($1536\;{\times}\;1024$), KAF-3200E($2184\;{\times}\;1472$) 등 세 종류의 CCD를 바꾸어 가며 장착할 수 있는 범용 CCD 카메라 시스템을 개발하였다. 기본적인 자료 입출력과 제어는 병렬 포트뿐만 아니라 입출력 속도가 상대적으로 바른 USB 포트로도 가능하도록 만들었다. ${\pm}18V$를 전원공급기로부터 공급받아 ${\pm}15V$와 +5V로 정류시켜서 시스템의 전원으로 사용하고 열전냉각소자 및 셔터는 ${\pm}12V$와 +5V로 동작되도록 하였다. 개발된 CCD 카메라는 전자회로기판을 2단으로 구성해서 공간 효율을 높였고, 전자회로의 구성은 컴퓨터에서 만들어진 클락 신호를 입력받아 CCD 동작을 위한 신호패턴을 만들어 주는 부분, CCD로부터 받은 신호를 증폭해서 디지털 신호로 바꿔주는 부분, 이 신호를 4비트씩 나누어서 병렬 포트에 전달하는 CCD 제어 부분과, 온도 센서의 신호를 디지털 신호로 바꾸어서 컴퓨터로 전달하는 온도제어 부분으로 이루어져 있다. 최대 냉각능력은 상온대비 ${\Delta}33^{\circ}C$이고, 이 온도 범위에서 약 $0.4^{\circ}C$의 정밀도로 제어 할 수 있다. 제작된 CCD 카메라 시스템의 읽기잡음은 $6e^-$이고, 이득은 $5e^-/ADU$이다. 모두 10대의 카메라가 만들어졌으며, CCD 카메라들은 작동시험에서 모두 만족한 결과를 얻었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권5호
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• pp.444-452
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• 2006

298.15 K 및 1 atm에서 2성분계 {1,2-dichloropropane+2-(2-methoxyethoxy)ethanol} 및 {1,2-dichloropropane+2-(2-ethoxyethoxy)ethanol}에 대한 과잉몰부피와 과잉몰엔탈피를 측정하였다. 과잉몰부피를 측정하기 위한 밀도는 vibrating glass-tube 방식의 densimeter를 이용하였고, 과잉몰엔탈피는 flow mixing 형의 isothermal microcalorimeter를 이용하였다. 측정한 과잉몰부피 및 과잉몰엔탈피는 조성과 상관지어 모두 S자형을 나타내었다. 초기 2-(2-alkoxyethoxy)ethanol 의 강한 자체 회합현상으로 음의 편차를 나타내며, 할로겐화탄화수소 분자의 증가에 따라 2-(2-alkoxyethoxy)ethanol 분자간의 수소결합을 끊기 위한 에너지가 상대적 더 많이 필요함을 보여주고 있다. 실험으로부터 얻어진 $V^E_m$ 및 $H^E_m$ data는 Nelder-Mead의 simplex pattern search method를 이용하여 Redlich-Kister 다항식에 접합(fitting)하였고, Wilson, NRTL 및 UNIQUAC model을 이용하여 $V^E_m$ data와 조성과의 상관관계를 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.882-889
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• 2011

In this study, we have investigated the effects of Co doping on I-V curves, bulk trap levels and grain boundary characteristics of ZnO-$Bi_2O_3$ (ZB) varistor. From I-V characteristics the nonlinear coefficient (a) and the grain boundary resistivity (${\rho}_{gb}$) decreased as 32${\rightarrow}$22 and 18.4${\rightarrow}0.6{\times}10^9{\Omega}cm$ with sintering temperature (900~1,300$^{\circ}C$), respectively. Admittance spectra and dielectric functions show two bulk traps of zinc interstitial, $Zn_i^{{\cdot}{\cdot}}$(0.16~0.18 eV) and oxygen vacancy, $V_o^{{\cdot}}$ (0.28~0.33 eV). The barrier of grain boundaries in ZBCo (ZnO-$Bi_2O_3-Co_3O_4$) could be electrochemically single type. However, its thermal stability was slightly disturbed by ambient oxygen because the apparent activation energy of grain boundaries was changed from 0.93 eV at the 460~580 K to 1.13 eV at the 620~700 K. It is revealed that Co dopant in ZB reduced the heterogeneity of the barrier in grain boundaries and stabilized the barrier against the ambient temperature.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권3호
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• pp.122-124
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• 2008

The partial phase diagram of $NaNO_3$-NaCl system was investigated and the eutectic temperature was determined as $294.5^{\circ}C$. A typical rod eutectics of $NaNO_3$-4.56 wt%NaCl was directionally solidified. The results of interrod spacing, ${\lambda}_E$ as a function of growth velocity, V, were. obtained as ${\lambda}_E\;V^{0.39}\;=\;5.26$ (temperature gradient, $G_l\;=\;21.4^{\circ}C/mm$) and ${\lambda}_E\;V^{0.32}\;=\;5.45$ ($G_l\;=\;3.9^{\circ}C/mm$) and the exponent numbers of growth velocity were smaller than the theoretical value, 1/2. The sample rotation applied during directional solidification made the interrod spacing decrease slightly.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권5호
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• pp.301-307
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• 2014

We have fabricated $SnO_2$/Zn core-shell nanowires by employing a sputtering technique with a Zn target. Scanning electron microscopy indicated that the surface of the nanowires became rougher by the coating. X-ray diffraction of the coated nanowires exhibited the hexagonal Zn diffraction peaks. TEM image of coated structures showed that shell layer was mainly comprised of hexagonal Zn phase. EDX spectra suggested that the shell layer consisted of Zn elements. The photoluminescence spectrum of the coated nanowires in conjunction with Gaussian fitting analysis revealed that the emission was disconvoluted with three Gaussian functions, which are centered at 2.1 eV in the yellow region, 2.4 eV in the green region, and 3.3 eV in the ultraviolet region. We speculated the possible mechanisms of these emission peaks.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.267-270
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• 2004

A silver indium sulfide($AgInS_2$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the literature. The grown $AgInS_2$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high qualify crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks. are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_2$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The crystal field splitting, $\ddot{A}cr$, and the spin orbit splitting, $\ddot{A}so$, have been obtained to be 0.150 eV and 0.009 eV at 10 K, respectively. And, the energy band gap at room temperature has been determined to be 1.868 eV. Also, the temperature dependence of the energy band gap, $E_g(T)$, was determined.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제24권4호
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• pp.205-213
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• 1999

지표에 오염된 방사성핵종의 단위방사능당 유효선량환산계수를 남성과 여성 인형모의피폭체와 MCNP4A 코드를 이용하여 계산하였다. 모사실험은 40 keV에서 10 MeV 영역의 19개 단일 에너지에 대한 유효선량 계산을 수행하였다. 에너지에 따른 단위 선원강도에 대한 유효선량 E를 기존 연구자들의 결과물인 유효선량당량 $H_E$와 비교한 결과, 본 연구의 E값이 USEPA의 FGR에 주어진 $H_E$ 값에 비해 30%의 편차를 보였다. 에너지와 유효선량의 관계를 polynomial fitting을 통해 구한 유효선량 감응함수는 다음과 같다. $f({\varepsilon})[fSv\;m^2]=\;0.0634\;+\;0.727{\varepsilon}-0.0520{\varepsilon}^2+0.00247{\varepsilon}^3$ 여기서, ${\varepsilon}$는 감마선의 에너지(MeV)이다. 감응함수와 ICRP 38의 방사성핵종 붕괴 자료를 이용하여 지표면과 공기 오염의 단위 방사능농도에 대한 유효선량환산계수를 계산한 후 DOSEFACTOR코드를 사용하여 계산한 베타선에 의한 피부선량을 합하여 90개의 중요 핵종들에 대한 환산계수를 평가하여 도표로 제시하였다. 기존 자료들과 비교를 통해 기존 환산계수를 사용할 경우 특히 저에너지 감마선이나 고에너지 베타선을 방출하는 핵종에 대해서 상당한 과소평가가 이루어질 수 있음을 확인할 수 있었다.

• 전기학회논문지
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• 제65권10호
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• pp.1694-1696
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• 2016

Present thin film solar cells with hydrogenated amorphous silicon oxide (a-SiO:H) as an absorber suffer from low fill factor(FF) of 61~64 [%] in spite of its benefits related to high open circuit voltage ($V_{oc}$). Since degraded quality of a-SiO:H absorber by alloying with oxygen can affect the FF, we aimed to achieve high photosensitivity by minimizing $CO_2$ gas addition. Improving optical gap($E_{opt}$) has been attained by strong hydrogen dilution combined with lowering substrate temperature down to 100 [$^{\circ}C$]. Small amount of the $CO_2$ was added in order to disturb microcrystalline formation by high hydrogen dilution. The developed a-SiO:H has high photosensitivity (${\sim}2{\times}10^5$) and high $E_{opt}$ of 1.85 [eV], which contributed to attain remarkable FF of 74 [%] and high $V_{oc}$ (>1 [V]). As a result, high power conversion efficiency of 7.18 [%] was demonstrated by using very thin absorber layer of only 100 [nm], even though we processed all experiment at extremely low temperature of 100 [$^{\circ}C$].