• 제목/요약/키워드: E.A.V.

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중성과 다중 전하를 가진 $C_{60}$의 상대적 안정도, 이온화 에너지 및 화학 반응성 (Relative Stability, Ionization Potential, and Chemical Reactivity of the Neutral and Multiply Charged $C_{60}$)

  • 성용길;손만식
    • 대한화학회지
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    • 제41권3호
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    • pp.117-122
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    • 1997
  • 전편[Bull. Korean Chem. Soc. 1995, 16, 1015]에 기초하여 중성과 다중 전하를 가진 $C_{60}$이온에 대하여 상대적 안정도, 이온화 에너지 및 화학 반응성을 연구하였다. $C_{60}^{1-}$이 가장 안정하며, 이온화 에너지는 15.31 eV($C_{60}^{2+}$)로부터 -13.01 eV($C_{60}^{6-}$)까지 값을 갖는다. 또한 전하와 이온화 에너지의 상관 관계에서 직선관계가 나타났으며, 전하당 평균 이온화 에너지는 3.15 eV(계산값)와 3.22 eV(상관관계값) 이었다. 양의 전하를 띤 $C_{60}$ 이온의 전하-이동 및 전자-이동 반응은 게스트 분자의 이온화 에너지가 호스트 $C_{60}^{n+}$의 전자 친화도보다 더 낮을 때 일어남을 알 수 있었다. 이때, 이온화 에너지와 전자친화도의 에너지 차이(${\Delta}_{IP-EA}$)가 클 때는 전하-조절 효과에 의하여 전하-이동 반응이 일어나며, 그 에너지 차이가 작을 때는 프론티어-조절 효과에 의하여 전자-이동 반응에 의하여 일어남을 확인하였다.

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RF Power 변화에 의한 CdS 박막 특성에 관한 연구 (The Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology)

  • 이달호;박정철
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.122-127
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    • 2021
  • 본 논문은 ITO 유리를 기판으로 사용하여 CdS 박막을 제작하였다. MDS (Multiplex Deposition Sputter System)을 이용하여 RF power와 증착시간을 변화시키면서 소자를 제작하였다. 제작된 시편은 광학적 특성에 대해 분석을 하였다. 본 논문의 목적은 태양전지의 광흡수층에 적용될 수 있는 제작조건을 찾는 것이다. RF power가 50W이고 증착 시간이 10분 일 때, 두께는 64Å로 측정되었다. 100W일?, 두께는 406Å로 측정되었고, 150W일 때는 두꼐는 889Å로 측정되었다. 박막은 RF power가 증가할수록 두께가 증가되는 것을 확인하였다. 광투과율 측정한 결과, 550~850nm는 RF power가 50W, 100W, 150W일 때 모두 투과율이 대략 70% 이상으로 관찰되었다. RF power가 증가되면 두께가 증가되고 입자 크기가 커지므로 박막의 밀도가 증가되어 광투과율이 감소되었다. RF power를 100W로 하고 증착시간을 15분 일 때, 밴드갭은 3.998eV로 계산되었다. 증착시간을 20분일 때, 3.987eV이고 150W는 15분에서는 3.965eV이며 20분에서는 3.831eV이다. RF power가 증가하면 밴드갭이 증가하는 것으로 측정되었다. XRD 분석에서 RF power와 증착시간의 변화에 관계없이 2Θ=26.44에서의 회절 피크를 관찰할 수가 있었다. 반치폭은 증착시간이 증가하면 감소되는 것을 알 수가 있었다. 그리고 RF power를 일정하게 하고 증착시간을 증가하면 입자크기는 증가되는 것으로 측정되었다.

Induction of Resistance to BRAF Inhibitor Is Associated with the Inability of Spry2 to Inhibit BRAF-V600E Activity in BRAF Mutant Cells

  • Ahn, Jun-Ho;Han, Byeal-I;Lee, Michael
    • Biomolecules & Therapeutics
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    • 제23권4호
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    • pp.320-326
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    • 2015
  • The clinical benefits of oncogenic BRAF inhibitor therapies are limited by the emergence of drug resistance. In this study, we investigated the role of a negative regulator of the MAPK pathway, Spry2, in acquired resistance using BRAF inhibitor-resistant derivatives of the BRAF-V600E melanoma (A375P/Mdr). Real-time RT-PCR analysis indicated that the expression of Spry2 was higher in A375P cells harboring the BRAF V600E mutation compared with wild-type BRAF-bearing cells (SK-MEL-2) that are resistant to BRAF inhibitors. This result suggests the ability of BRAF V600E to evade feedback suppression in cell lines with BRAF V600E mutations despite high Spry2 expression. Most interestingly, Spry2 exhibited strongly reduced expression in A375P/Mdr cells with acquired resistance to BRAF inhibitors. Furthermore, the overexpression of Spry2 partially restored sensitivity to the BRAF inhibitor PLX4720 in two BRAF inhibitor-resistant cells, indicating a positive role for Spry2 in the growth inhibition induced by BRAF inhibitors. On the other hand, long-term treatment with PLX4720 induced pERK reactivation following BRAF inhibition in A375P cells, indicating that negative feedback including Spry2 may be bypassed in BRAF mutant melanoma cells. In addition, the siRNA-mediated knockdown of Raf-1 attenuated the rebound activation of ERK stimulated by PLX4720 in A375P cells, strongly suggesting the positive role of Raf-1 kinase in ERK activation in response to BRAF inhibition. Taken together, these data suggest that RAF signaling may be released from negative feedback inhibition through interacting with Spry2, leading to ERK rebound and, consequently, the induction of acquired resistance to BRAF inhibitors.

RF 스퍼터링으로 증착된 a-Si$_{1-x}$C$_{x}$: H 박막의 결합구조와 광학적 성질에 미치는 증착변수의 영향 (Effects of Deposition Parameters on the Bonding Structure and Optical Properties of rf Sputtered a-Si$_{1-x}$C$_{x}$: H films)

  • 한승전;권혁상;이혁모
    • 한국표면공학회지
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    • 제25권5호
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    • pp.271-281
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    • 1992
  • Amorphous hydrogenated silicon carbide(a-Si1-xCx : H) films have been prepared by the rf sputtering using a silicon target in a gas mixture of Argon and methane with varying methane gas flow rate(fCH) in the range of 1.5 to 3.5 sccm at constant Argon flow rate of 30sccm and rf power in the range of 3 to 6 W/$\textrm{cm}^2$. The effects of methane flow rate and rf power on the structure and optical properties of a-Si1-xCx : H films have been analysed by measuring both the IR absorption spectrum and the UV transmittance for the films. With increasing the methane flow rate, the optical band gap(Eg) of a-Si1-xCx : H films increases gradually from 1.6eV to the maximum value of 2.42eV at rf power of 4 W/$\textrm{cm}^2$, which is due to an increases in C/Si ratio in the films by an significant increase in the number of C-Hn bonds. As the rf power increases, the number of Si-C and Si-Hn bonds increases rapidly with simultaneous reduction in the number of C-Hn bonds, which is associated with an increase in both degree of methane decomposition and sputtering of silicon. The effects of rf power on the Eg of films are considerably influenced by the methane flow rate. At low methane flow rate, the Eg of films decreased from 2.3eV to 1.8eV with the rf power. On the other hand, at high methane flow rate, that of films increased slowly to 2.4eV.

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Electronic structure and magnetism of catalytic material Pt3Ni surfaces: Density-functional study

  • Sharma, Bharat Kumar;Kwon, Oryong;Odkhuu, Dorj;Hong, Soon Cheol
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2012년도 자성 및 자성재료 국제학술대회
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    • pp.172-172
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    • 2012
  • A Pt-skin $Pt_3Ni$(111) surface was reported to show high catalytic activity. In this study, we investigated the magnetic properties and electronic structures of the various oriented surfaces of bulk-terminated and Pt-segregated $Pt_3Ni$ by using a first-principles calculation method. The magnetic moments of Pt and Ni are appreciably enhanced at the bulk-terminated surfaces compared to the corresponding bulk values, whereas the magnetic moment of Pt on the Pt-segregated $Pt_3Ni$(111) surface is just slightly enhanced because of the reduced number of Ni neighboring atoms. Spin-decomposed density of states shows that the dz2 orbital plays a dominant role in determining the magnetic moments of Pt atoms in the different orientations. The lowering of the d-band center energy (-2.22 eV to -2.46 eV to -2.51 eV to -2.65 eV) in the sequence of bulk-terminated (100), (110), (111), and Pt-segregated (111) may explain the observed dependence of catalytic activity on surface orientation. Our d-band center calculation suggests that an observed enhanced catalytic activity of a $Pt_3Ni$(111) surface originates from the Pt-segregation.

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결정질AZO 박막과 비정질IGZO 박막의 결정구조와 결합에너지와의 상관성 (A Study on the Chemical Properties of AZO with Crystal Structure and IGZO of Amorphous Structure Due to the Annealing Temperature)

  • 소영호;송정호;서동명;오데레사
    • 산업진흥연구
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    • 제1권1호
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    • pp.1-6
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    • 2016
  • 산화물반도체의 결정질특성과 비정질특성을 이해하기 이하여 AZO 박막과 IGZO 박막을 증착하고 열처리하여 물리적 화학적인 특성을 비교하였다. AZO 박막은 열처리온도가 올라갈수록 결정성이 높아졌으나 IGZO 박막은 열처리온도가 높을수록 비정질특성이 우수하였다. AZO 박막은 열처리에 따라서 PL, XPS 분석에서 화학적 이동이 나타났으나 IGZO 박막은 화학적 이동이 나타나지 않았다. AZO의 O 1s 결합 에너지는 531.5 eV였으며, IGZO 박막은 530 eV으로 낮았다.

바나듐 옥사이드 박막의 성장 및 그 구조적, 전기적, 광학적 특성 (Sol-gel growth and structural, electrical, and optical properties of vanadium-based oxide thin films)

  • 박영란;김광주
    • 한국진공학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.534-540
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    • 2006
  • $V_2O_3$, $VO_2$, $V_2O_5$ 박막들이 하나의 선구 용액으로부터 다양한 후열처리 조건을 통하여 제작될 수 있었다. 진공 중 후열처리 시 rhombohedral 구조의 $V_2O_3$ 박막이 형성되어졌고, 공기 중 후열처리 시 orthorhombic 구조의 $V_2O_5$ 박막을 얻을 수 있었다. Monoclinic 구조의 $VO_2$ 박막은 진공 후열처리 중 $O_2$ 가스를 공급함으로써 제작될 수 있었다. $V_2O_3$ 박막이 상온에서 도체적 특성을 보이는 반면, $V_2O_5$, $VO_2$ 박막은 반도체적 성질을 지니고 있음을 전기적, 광학적 특성 조사를 통하여 알 수 있었다. 크롬(Cr)이 도핑됨에 따라 $VO_2$ 박막은 그 전기전도성이 n-type에서 p-type으로 변화하였고 비저항이 감소되는 결과를 나타내었다. 또한, 크롬 도핑된 $VO_2$ 박막은 orthorhombic 구조를 나타내었다. 이와 같은 바나듐 옥사이드 박막들에서 관측된 광학적 흡수 구조들은 O 2p 에서 V 3d 밴드로의 전이에 의한 것으로 해석되어진다. 바나듐 이온의 $t_{2g}$ 상태와 $e_g$ 상태 사이의 결정장 갈라짐(crystal-field splitting)은 $V_2O_5$$VO_2$에 대해서 각각 1.5 및 1.0 eV로 해석된다.

수소화된 비정질 실리콘박막의 안정성향상에 관한 연구 (The improvement of the stability of hydrogenated amorphous silicon)

  • 이재희
    • 한국진공학회지
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    • 제8권1호
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    • pp.51-54
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    • 1999
  • Ar기 처리를 하면서 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 제작하였다. 연속증착할 때의 deposition rate는 1.9 /s 이었으며, Ar기 처리시간을 0.5분, 1분으로 증가시키면 2.8 $\AA$/s, 3.3 $\AA$/s 로 증가하였다. Ar기 처리시간이 2분, 3분일 때는 3.3 $\AA$/s 로 일정하였다. Ar기 처리시간을 증가시키면 광학적 밴드 갭과 박막내의 수소량이 증가하다가 약간 감소하는 경향을 보였다. Ar기 처리한 a-Si:H 박막도 Staebler-Wronski 효과를 보였으나, 연속증착된 a-Si:H 보다 광열화 현상이 많이 감소하였다. 1시간의 빛조사에 의하여 연속증착된 a-Si:H 박막의 경우, 상온에서의 전기전도도와 전기전도도 활성화에너지(Ea)는 각각 1/25배, 0.09eV 증가하였다. Ar기 처리를 한 경우, 상온에서의 전기전도도는 1/3배, Ea는 0.03eV 증가하였다. Ar기 처리를 함으로서 a-Si:H 박막의 빛에 대한 안정성을 향상시킬 수 있었으며, 안정성향상에 관한 미시적 과정을 논의하였다.

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적송잎증류농축액의 항균활성 및 항산화활성 (Antibacterial and Antioxidant Activities of the Red Pine Leaf Distilled Concentrate)

  • 민경철;임승철;김보경;김근대;김익종;이상현;김미향
    • 생명과학회지
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    • 제31권10호
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    • pp.937-943
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    • 2021
  • 본 연구에서는 적송잎증류농축액을 이용하여 그람음성 병원성 균주들에 대한 항균활성 및 항산화활성을 측정하였다. 적송잎증류농축액 에멀션의 항균활성을 paper disc법으로 측정한 결과, 그람음성 병원성 균주인 E. coli, S. typhi, V. parahaemolyticus에 대해 항균활성을 나타냈으며, 5% (v/v)의 농도에서 각각 12 mm, 10 mm, 9 mm의 생육저해환(clear zone)을 보였다. 또한, 가장 낮은 농도인 0.5% (v/v)의 농도에서도 3종의 균주 모두에서 활성을 보였다. 그러나 그람양성 병원성 균주에 대한 항균활성은 나타나지 않았다. 적송잎증류농축액의 항균활성을 비탁법으로 측정한 결과, paper disc법의 결과와 마찬가지로 그람음성 병원성 균주인 E. coli, S. typhi, V. parahaemolyticus에 대해 항균활성을 나타냈다. V. parahaemolyticus에서는 5% (v/v)의 농도에서 음성 대조군에 비해 60% 이상의 생장억제를 보였고, E. coli에서는 배양 4시간에서 64.3%, S. typhi에서는 배양 4시간과 5시간에서 각각 94.2%, 94.1%의 생장억제를 보였다. 적송잎증류농축액 에멀션의 항산화활성을 DPPH radical 소거능으로 측정 한 결과, 1.0% (v/v)의 농도에서 55.81%의 활성을 나타냈다. 적송잎증류농축액 에멀션의 항산화활성을 ABTS radical 소거능으로 측정한 결과, 1.0% (v/v)의 농도에서 18.44%의 활성을 나타냈다. 본 연구를 통해, 적송잎증류농축액의 생리활성인 항균활성 및 항산화활성을 검증하였으며, 이를 이용하여 기능성이 강화된 식품 및 화장품의 개발이 가능할 것으로 기대된다.

Measurement of Energy Dependent Neutron Capture Cross Section of 99Tc

  • Lee, Sam-Yol;Lee, Sang-Bock;Lee, Jun-Haeng;Lee, Jeung-Min;Yoon, Jung-Ran
    • 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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    • 한국콘텐츠학회 2004년도 추계 종합학술대회 논문집
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    • pp.495-500
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    • 2004
  • The neutron capture cross section of $^{99}Tc$ has been measured relative to the $^{10}B$(n,g) standard cross section by the neutron time-of-flight(TOF) method in the energy range of 0.007 eV to 47keV using a 46-MeV electron linear accelerator(linac) at the Research Reactor Institute, Kyoto University(KURRI). In order to experimentally prove the result obtained, the supplementary cross section measurement has been made from 0.3 eV to 1 keV using the Kyoto University Lead slowing-down Spectrometer(KULS) coupling to the linac. The relative measurement by the TOF method has been normalized to the reference value(20.01 b) at 0.0253 eV and the KULS measurement to that by the TOF method. The existing experimental data and the evaluated capture cross sections in ENDF/B-VI, JENDL-3.2, and JEF-2.2 have been compared with the current measurements by the linac TOF and the KULS experiments. The energy dependency of the KULS data is close to that of the TOF data which are energy-broadened by the resolution function of the KULS.

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