• 한국산업보건학회지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.152-165
• /
• 1993

This study was performed at eleven small-sized plating factories located in Seoul, Incheon, Ansan, and Taejeon from July 21 to October 6, 1992. The major objectives of this study were to evaluate worker exposure to hexavalent chromium and local exhaust ventilation (L.E.V.) systems at the chromium plating operations. The most suitable L.E.V. systems for chromium plating tanks were designed as examples for recommendation to the industry. The results are summarized as follows. The range of chromium plating operations investigated included decorative, hard, and black chromium plating on several kinds of parts. Most of plating tanks were not equipped with proper control methods against emission of hexavalent chromium mists and workers were not wearing appropriate personal protectives. The ariborne hexavalent chromium concentrations showed an approximate lognormal distribution. The geometric means of both personal and area samples were within the Korean and ACGIH standards, $50{\mu}g/m^3$. However, in comparison with the NIOSH criterion, $1{\mu}g/m^3$, the geometric means of personal samples at two factories and the geometric means of area samples at two factories exceeded it. The geometric means of personal and area samples of high exposure groups (above the NIOSH criterion) were 7 and 27 times higher than those of low exposure groups (below the NIOSH criterion), respectively. The L.E.V. systems of high exposure groups were improperly designed, and the factory with the highest exposure level had no L.E.V. systems at all on chemical etching process. Whereas at factories of low exposure groups, mist control methods such as mist suppressants, tank cover, and/or auxillary L.E.V. systems were added to L.E.V systems. The evaluation of L.E.V. systems showed that there was no chromium plating operation satisfying the ACGIH criteria for capture velocity, slot velocity, and exhaust rate simultaneously. To increase performance of L.E.V. systems, it must be designed to minimize the impact of boundary layer separation. Push-pull ventilation hood and downward plenum ventilation hood were suggested for the Korean industry.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제27권4호
• /
• pp.556-560
• /
• 2023

본 연구에서는 4H-SiC Epi Surface에 Nitrogen implantation 공정이 깊은준위결함과 lifetime에 미치는 영향을 비교분석하였다. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)와 Time Resolved Photoluminescence (TR-PL)을 사용하여 깊은준위결함과 carrier lifetime을 측정하였다. As-grown SBD에서는 0.16 eV, 0.67 eV, 1.54 eV 에너지 준위와 implantation SBD의 경우 0.15 eV 준위에서의 결함을 측정되었으며, 이는 nitrogen implantation으로 불순물이 titanium 및 carbon vacancy를 대체됨으로 lifetime killer로 알려진 Z_1/2, EH_6/7 준위 결함은 감소하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.317-326
• /
• 2016

본 논문에서는 OTP (One-Time Programmable) IP (Intellectual Property)의 개발비용을 절감하고 개발 기간을 단축하기 위해 로직 트랜지스터만 이용한 로직 eFuse (electrical Fuse) OTP IP를 설계하였다. 웨이퍼 테스트 시 테스트 장비에서 FSOURCE 패드를 통해 VDD (=1.5V)보다 높은 2.4V의 외부 프로그램 전압을 eFuse OTP IP에만 공급하므로 eFuse OTP 이외의 다른 IP에는 소자의 신뢰성에 영향을 미치지 않으면서 eFuse OTP cell의 eFuse 링크에 높은 전압을 인가하도록 하였다. 한편 본 논문에서는 128행 ${\times}$ 8열의 2D (Dimensional) 메모리 어레이에 직접 FSOURCE 전압을 인가하여 eFuse에 인가되는 프로그램 파워를 증가시키면서 디코딩 로직 회로를 저면적으로 구현한 eFuse OTP 셀을 제안하였다. 동부하이텍 $0.11{\mu}m$ CIS 공정을 이용하여 설계된 1Kb eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 면적은 $295.595{\mu}m{\times}455.873{\mu}m$ ($=0.134mm^2$)이다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제9권2호
• /
• pp.197-206
• /
• 1999

수평 전기로에서 $AgInSe_2$다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 $AgInSe_2$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. $AgInSe_2$단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 $610^{\circ}C$, $450^{\circ}C$로 성장하였다. 이때 성장된 단결정 박막의 두께는 3.8$\mu\textrm{m}$였다. 단결정 박막의 결정성의 조사에서 20 K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 884.1nm(1.4024eV) 근처에서 excition emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 회절곡선(DCXD)의 반폭치(FWHM)도 125arcsec로 매우 작은 값으로 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $9.58{\times}10^{22} electron/m^3,\; 3.42{\times}10^{-2}m^2/V{\cdot}s$였다. $AgInSe_2$단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 20K에서 측정된 $\Delta$Cr(Crystal field splitting)은 0.12eV, $\Delta$So(spin orbit coupling)는 0.29 eV였다. 20K에서 얻어진 광발광 봉우리들 중에서 881.1nm(1.4071 eV)와 882.4nm(1.4051 eV)는 free exciton$E_x$의 upper polariton과 lower polariton인$E_x^U$와 $E_x^L$를 의미하며, 884.1nm(1.4024 eV)는 donor-bound exciton emission에 의한 $I_2$봉우리를, 885.9nm(1.3995 eV)는 acceptor-bound exciton emission에 의한 $I_1$ 봉우리를 각각 나타내었다. 또한 887.5nm(1.3970 eV)에서 관측된 봉우리는 DAP(donor-acceptor pair)에 기인하는 광발광 봉우리로 해석되었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제11권10호
• /
• pp.889-894
• /
• 2001

2wt% $Al_2O_3-doped$ ZnO (AZO) thin films were deposited on sapphire (0001) single crystal substrate by parellel type rf magnetron sputtering at 55$0^{\circ}C$. The as-grown AZO thin films was polycrystalline and showed only broad deep defect-level photoluminescence (PL). In order to examine the change of PL property, AZO thin films were annealed in $N_2$ (N-AZO) and $H_2$ (H-AZO) at the temperature of $600^{\circ}C$~$1000^{\circ}C$ through rapid thermal annealing. After annealed at $800^{\circ}C$, N-AZO shows near band edge emission (NBE) with very small deep-level emission, and then N-AZO annealed at $900^{\circ}C$ shows only sharp NBE with 219 meV FWHM. In Comparison with N-AZO, H-AZO exhibits very interesting PL features. After $600^{\circ}C$ annealing, deep defect-level emission was quire quenched and NBE around 382 nm (3.2 eV) was observed, which can be explained by the $H_2$passivation effect. At elevated temperature, two interesting peaks corresponding to violet (406 nm, 3.05 eV) and blue (436 nm, 2.84 eV) emission was firstly observed in AZO thin films. Moreover, peculiar PL peak around 694 nm (1.78 eV) is also firstly observed in all the H-AZO thin films and this is believed good evidence of hydrogenation of AZO. Based on defect-level scheme calculated by using the full potential linear muffin-tin orbital (FP-LMTO), the emission 3.2 eV, 3.05 eV, 3.84 eV and 1.78 eV of H-AZO are substantially deginated as exciton emission, transition from conduction band maximum to $V_{ Zn},$ from $Zn_i$, to valence band maximum $(V_{BM})$ and from $V_{o} to V_BM}$, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.236-236
• /
• 2009

This paper describes the fabrication and characteristics of Schottky micro hydrogen sensors for high temperatures by using polycrystalline(poly) 3C - SiC thin film grown on Si substrates with thermal oxide layer using APCVD. Pd/poiy 3C-SiC Schottky diodes were made and evaluated by I-V and C-V measurements. Electric current density and barrier height voltage were $2\times10^{-3}\;A/cm^2$ and 0.58 eV, respectively. These devices could operate stably at about $400^{\circ}C$. According to $H_2$ concentrations, their barrier height($\Phi_{Bn}$) were changed 0.587 eV, 0.579 eV, 0.572 eV and 0.569 eV, respectively. the current was increased. Characteristics of implemented sensors have been investigated in terms of sensitivity, linearity of response, response rate and response time. Therefore, from these results, Pd/poly 3C-SiC Schottky devices have very high potential for high temperature chemical sensor applications.

• Kyungpook Mathematical Journal
• /
• 제59권3호
• /
• pp.363-375
• /
• 2019

Let G = (V, E) be a simple graph with p vertices and q edges. A subset S of V (G) is called a strong (weak) efficient dominating set of G if for every $v{\in}V(G)$ we have ${\mid}N_s[v]{\cap}S{\mid}=1$ (resp. ${\mid}N_w[v]{\cap}S{\mid}=1$), where $N_s(v)=\{u{\in}V(G):uv{\in}E(G),\;deg(u){\geq}deg(v)\}$. The minimum cardinality of a strong (weak) efficient dominating set of G is called the strong (weak) efficient domination number of G and is denoted by ${\gamma}_{se}(G)$ (${\gamma}_{we}(G)$). A graph G is strong efficient if there exists a strong efficient dominating set of G. In this paper, some cycle and star related Nordhaus-Gaddum type relations on strong efficient dominating sets and the number of strong efficient dominating sets are studied.

• 센서학회지
• /
• 제7권3호
• /
• pp.179-187
• /
• 1998

플라즈마의 이온온도를 측정하기 위하여 전하교환체로 탄소박막을 이용한 $90^{\circ}$ 원통형 중성입자 에너지 분석기를 설계 제작하였다. Duoplasmatron을 이용하여 에너지 $0.5{\sim}3.0\;keV$ 수소이온에 대해 장치의 에너지 교정 및 에너지 분해능을 조사하였다. 에너지에 따른 정전편향판 전압과의 관계는 $E_{o}(keV)$=3.83V(kV) 였다. 에너지 분해능은 입사입자의 에너지가 3.0 keV 인 경우 약 2 %였으며, 에너지가 0.5 keV 일 때는 약 9 % 로 수소이온의 에너지가 증가함에 따라 향상되었다. 또한 전하교환체로 두께 $0.5{\sim}2.0{\mu}g/cm^{2}$ 사이의 탄소박막을 사용하여 입사 중성입자의 에너지와 탄소박막의 두께에 따른 에너지 교정, 에너지 손실 및 전하교환된 입자의 에너지 분해능을 측정하였다. 중성수소입자의 에너지($E_{o}$)는 탄소박막의 두께(${\mu}g/cm^{2}$)와 정전편향판 전압(kV)의 함수로 $E_{o}(keV)=(0.53d+4.4){\cdot}V(kV)$ 였다. 중성입자의 손실 에너지는 $0.5{\sim}3.0\;keV$ 사이의 입사입자 에너지와 $0.5{\sim}2.0{\mu}g/cm^{2}$ 사이의 탄소박막 두께에 따라 $0.23{\sim}0.89\;keV $ 였다. 손실에너지는 중성수소입자의 에너지와 탄소박막 두께의 함수로 ${\Delta}E=(0.12d+0.27){\cdot}{E_{o}}^{1/2}(keV)$ 였다. 전하가 교환된 입자의 에너지 분해능은 실험의 범위에서 $7{\sim}35\;%$였으며, 입사 중성입자의 에너지가 높을수록, 탄소박막의 두께가 얇을수록 향상되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.328.1-328.1
• /
• 2014

MOSFET degradation의 대부분은 hot-carrier injection에 의한 interface state (Dit)의 생성에서 비롯되며 따라서 본 연구에서는 신뢰성에 대한 한 가지 방법으로 Charge pumping method를 이용하여 MOSFET의 interface trap(Dit)의 변화를 측정하였다. 소스와 드레인을 ground로 묶고 게이트에 펄스를 인가한 후 Icp를 측정하여 Dit를 추출하였다. 온도를 293~343 K까지 5 K씩 가변했을 때 293K의 Icp(${\mu}A$)는 0.12 nA 313 K는 0.112 nA 343 K는 0.926 nA이며 Dit (cm-1/eV-1)는 $1.61{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.49{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.23{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1)이다. 측정결과 Dit는 Icp가 높은 지점에서 추출되며 온도가 높아지게 되면 Icp전류가 낮아지고 Dit가 줄어드는 것을 볼 수 있다. 온도가 올라가게 되면 carrier들이 trap 준위에서 conduction band 위쪽에 이동하게 되어서 interface에 trap되는 양이 작아지게 된다. 그래서 이때 Icp를 이용해 추출한 Dit 는 실제로 trap의 양이 줄어든 것이 아니라 Thermal excess 현상으로 인해 측정되는 Icp의 양이 줄어든 것으로 분석할 수 있다.

• 천문학회지
• /
• 제32권2호
• /
• pp.91-107
• /
• 1999

We present BVRI CCD photometry and near-infrared K photometry of the intermediate-aged open cluster NGC 7790. The reddening, E(B - V) = 0.54 $\pm$ 0.05 and the distance modulus, (m - M)o = 12.45 $\pm$ 0.10 for the cluster were determined by zero-age-main-sequence fitting and theoretical isochrone fitting using not only (V, B - V), (V, V - 1), (V, V - R) but also (V, V - K) color-magnitude diagrams. The reddening corresponded approximately to the average value derived from previous studies, while the distance modulus was found to be almost midway between the CCD photometric results of Romeo et al. (1989) and those of Mateo & Madore (1988). We have used four colors to distinguish members from field stars. The expected colors were calculated using the derived distance modulus, and were then were compared with the observed colors (B - V), (V - 1), (V - R), and (V - K). Thus, a color excess E(B - V) for each star was determined which could give the minimum difference between the calculated and observed colors. Single and binary members of the cluster were determined on the basis of the E(B - V) distribution of stars.