Electro-optical (EO) characteristics of in-plane switching (IPS) cell on the polyimide surface using obliquely ion beam (IB) exposure as new ion beam (IB) type system (DuoPIGatrion ion source). A good uniform alignment of the nematic liquid crystal (NLC) alignment with the ion beam exposure on the polyimide surface was observed. In addition, it can be achieved the good EO properties of the ion-beam-aligned IPS-cell on poly imide surface ; the stable VT curve in the ion-beam-aligned IPS cell on a poly imide (PI) surface with ion beam exposure using new type IB equipment was obtained. and the fast response time in the ion-beam-aligned IPS cell on a polyimide (PI) surface with ion beam exposure using new type IB equipment was obtained.
Electro-optical (EO) characteristics of twisted nematic (TN) - liquid crystal display (LCD) on the NDLC thin film using obliquely ion beam (IB) exposure as new ion beam (IB) type system (DuoPIGatrion ion source). A good uniform alignment of the nematic liquid crystal (NLC) alignment with the ion beam exposure on the NDLC thin film was observed. In addition, it can be achieved the good EO properties of the ion-beam-aligned TN-cell on polyimide surface ; the stable VT curve in the ion-beam-aligned TN cell on the NDLC thin film with ion beam exposure using new type IB equipment was obtained. and the fast response time in the ion-beam-aligned TN cell on the NDLC thin film with ion beam exposure using new type IB equipment was obtained.
We studied the nematic liquid crystal (NLC) alignment capability by the IB(Ion bean) alignment method on a NDLC(Nitrogen Diamond Like Carbon) as a-C:H thin film. and investigated electro-optical performances of the IBaligned IPS(In plane switching)cell with NDLC surface. A good LC alignment by IB exposure on a NDLC surface was achieved. Monodomain alignment of the IB aligned IPS cell can be observed. The goodelectro-optical (EO) characteristics of the IB aligned IPS cell was observed with oblique IBexposure on the NDLC as a-C:H thin film for 1 min.
Grid type의 DuoPIGatron 이온원 인출구 형상을 변경하여 이온빔 인출 특성 변화를 연구하였다. 이온원의 인출구는 직경 $6{\Phi}$ 원형구멍을 이용하였으며, 각각의 개수가 1개/3개/11개일 때 빔 인출조건을 변화시켜 빔 프로파일을 비교하였다. 인출구 구멍개수가 11개 조건의 실험에서, 최대 $475{\mu}A/cm^2$의 전류밀도를 가지는 대면적의 이온빔이 인출되었다.
We studied homeotropic alignment effect for a nematic liquid crystal (NLC) on the $SiO_x$, thin film irradiated by the new ion beam method $SiO_x$ thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and were treated by the DuoPIGatron ion source. A uniform liquid crystal alignment effect was achieved over 2100 eV ion beam energy. Tilt angle were about $90^{\circ}$ and were not affected by various ion beam energy.
고에너지(50-200KeV)로 가속된 이온을 모재표면에 물리적으로 투입하므로써 표면의 조성 및 조직을 변화시키는 공정인 이온주입기술을 이용하여 경량고강도소재로 각광받고 있는 AI2218 합금의 재식성 향상을 연구하였다. 질소이온주입은 DuoPIGatron 이온원을 사용하여 가속전압 100KeV, 조사량 $1{\times}10^{17}ions/\textrm{cm}^2$~$5{\times}10^{17}ions/\textrm{cm}^2$의 조건으로 행하였으며 AI합금의 열화를 방지하기 위하여 시편온도를 $60^{\circ}C$이하로 유지하였다. 질소이온 주입재의 재식성 평가를 위하여 3.5% NaCI 용액에서 양극분극시험 및 5% NaCI 용액에서 염수분무시험을 행하였다. Auger Electron Spectroscopy와 Transmission Electron Microscopy을 이용하여 표면의 질화물형성 여부를 조사하였으며, Scanning Electron Microscopy을 이용하여 부식된 표면을 관찰하였다. AI2218합금에 질소이온을 주입한 결과 표면에 미세한 AIN 석출물을 형성하였으며 이러한 질화물형성에 의해 공식(pitting)발생을 억제하고 부식전류밀도를 감소시켜 내식성이 향상되었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권6호
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pp.293-296
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2006
We studied homeotropic alignment effect for a nematic liquid crystal (NLC) on the $SiO_{x}$ thin film irradiated by the new ion beam method. $SiO_{x}$ thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and were treated by the DuoPIGatron ion source. A uniform liquid crystal alignment effect was achieved over 2100 eV ion beam energy. Tilt angle were about $90^{\circ}$ and were not affected by various ion beam energy.
We studied liquid crystal (LC) alignment with ion beam (IB) on polyimide and electro-optical characteristics of twisted nematic (TN)-liquid crystal display (LCD) on the polyimide surface using obliquely ion beam (IB) exposure with new IB type equipment. A good uniform alignment of the nematic liquid crystal (NLC) alignment with the ion beam exposure on the polyimide surface was observed. In addition, it can be achieved the good EO properties of the ion-beam-aligned TN-LCD on polyimide surface. Also, the EO characteristics of the ion-beam-aligned TN-LCD on a polyimide (PI) surface with ion beam exposure using new type IB equipment is same or more superior than ion-beam-aligned TN-LCD on a polyimide (PI) surface with ion beam exposure using Kaufman-type Ar ion gun.
In this study, the advanced DuoPIGatron-type ion beam (IB) system was applied to inorganic thin film for aligning liquid crystal (LC). LC alignment on $Ta_2O_5$ via IB irradiation was embodied. As a result of IB irradiation, the homogeneously aligned liquid crystal display (LCD) on $Ta_2O_5$ was observed with low pretilt angles. The $Ta_2O_5$ were deposited on indium-tin-oxide coated Coming 1737 glass substrates by rf magnetron sputtering at $200^{\circ}C$. The deposition process resulted in forming very uniform thin film on glass substrates without any defects. To confirm the application of the inorganic alignment on modem display optical devices, we fabricated twisted nematic LCD and measured optical property and response time. As a result of the experiment, the electro optical characteristics of the LCD fabricated by using IB irradiation on $Ta_2O_5$ alignment layer were similar with the other LCD fabricated by using rubbing process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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