한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

전극형상 조건에 따른 빔 프로파일 변화

Beam Profile study on the Ion Source Electrode change

  • 최혁준 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단) ;
  • 김범석 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단) ;
  • 이찬영 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단) ;
  • 이재상 (한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단)
  • 발행 : 2012.05.31
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초록

Grid type의 DuoPIGatron 이온원 인출구 형상을 변경하여 이온빔 인출 특성 변화를 연구하였다. 이온원의 인출구는 직경 $6{\Phi}$ 원형구멍을 이용하였으며, 각각의 개수가 1개/3개/11개일 때 빔 인출조건을 변화시켜 빔 프로파일을 비교하였다. 인출구 구멍개수가 11개 조건의 실험에서, 최대 $475{\mu}A/cm^2$의 전류밀도를 가지는 대면적의 이온빔이 인출되었다.

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