A new 600 V dual gate transistor employing thyristor action, which incorporates floating PN junction and trench gate IGBT, is proposed to improve the forward current-voltage characteristics and the short circuit ruggedness. Our two-dimensional numerical simulation shows that the proposed device exhibits low forward voltage drop and eliminates the snapback phenomena compared with conventional trench gate IGBT and EST The proposed device achieves high current saturation characteristics by separating floating N+ emitter and cathode. The proposed device achieves low saturation current value compared with conventional devices, and the short-circuit ruggedness is improved. The proposed device may be suitable for the use of high voltage switching applications.
Journal of international Conference on Electrical Machines and Systems
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제2권3호
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pp.288-294
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2013
This paper introduces a novel method of on-line identifying the stator resistance and leakage inductance of dual three phase induction motor (DTPIM). According to the machine mathematical model, the stator resistance and leakage inductance can be estimated using the voltage and current values in harmonic subspace. Thus a method of voltage vector injection in harmonic subspace (VVIHS) is proposed, which causes currents in harmonic space. Then the errors between command and actual harmonic currents are utilized to regulate the machine parameters, including stator resistance and leakage inductance. The principle is presented and analyzed in detail. Experimental results prove the feasibility and validity of proposed method.
A dual gate trench emitter IGBT structure is proposed and studied numerically using the device simulator MEDICI. The on-state forward voltage drop latch-up current density turn-off time and breakdown voltage of the proposed structure are compared with those of the conventional DMOS-IGBT and trench gate IGBT structures. The proposed structure forms an additional channel and increases collector current level resulting in reduction of on -state forward voltage drop. In addition the trench emitter increases latch-up current density by 148% in comparison with that for the conventional DMOS-IGBT and by 83% compared with that for the trench gate IGBT without degradation in breakdown voltage when the half trench gate width(Tgw) and trench emitter depth(Ted) are fixed at $1.5\mum\; and\; 2\mum$, respectively
A bidirectional dual active converter with the power factor control capability is proposed as a battery charger. The source side half-bridge acts as a PWM converter that maintains the unity power factor. The battery side half-bridge converter acts as a dual active bridge (DAB) together shares the same DC link voltage with PWM converter. The imbalance voltage phenomenon is eliminated by employing asymmetric duty cycle technique. Simulation results are included to verify theoretical analysis.
A new plasma display panel sustaining driver using single side sustaining technique with the dual resonant method is proposed. Since this circuit enables to reduce switches in energy recovery circuit with keeping voltage stress like that of prior circuit, it can be low cost circuit comparing with a conventional driver. To integrate sustain function into one side with single power source in the driver, a charge pump method is adopted to make negative sustaining voltage and achieve dual resonant energy recovery on sustaining modes.
Journal of international Conference on Electrical Machines and Systems
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제3권2호
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pp.155-161
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2014
Industrial Static Var Generator (SVG) is typically applied at or near the load center to mitigate voltage fluctuation, flicker, phase unbalance, non-sine distortion or other load-related disturbance. Special attention is paid to the influence of grid voltage quality on SVG current, the non-sine distortion and unbalance of grid voltage causes not only the AC current distortion and unbalance but also the DC voltage fluctuation. In order to let the inverter voltage contain the fundamental negative sequence and harmonic component corresponding to the grid voltage, a new dual-loop control scheme is proposed to suppress the influence in this paper. The harmonic and negative sequence voltage decomposition algorithm and DC voltage control are also introduced. All these analyses can guide the practical applications. The simulation results verify the feasibility and effectiveness of the present control strategy and analyses.
For open-end permanent magnet synchronous machine(PMSM) with dual inverter system, where one inverter is connected to the source and the other is flying, the dc link voltage of the flying inverter can be boosted through the machine. For this reason, when compared with single inverter drive system, higher voltage can be applied to PMSM, and higher torque can be generated in the flux weakening region. In this case, however, active and reactive powers are separately supplied by each inverter to maintain the dc link voltage of flying inverter. Therefore, the required flux weakening control is different from the conventional method for a single inverter drive system. This paper proposes the novel flux weakening control method which maximizes the active voltage component in a dual inverter PMSM drive system. The proposed method was demonstrated and verified through experimental results.
Due to the charge compensation effect, SOI(Silicon-On-Insulator) LIGBT with dual-epi layer have been found to exhibit both low forward voltage drop and high static breakdown voltage. In this paper, electrical characteristics of the SOI LIGBT with dual-epi structure is presented. Trenched anode structure is employed to obtain uniform current flowlines and shorted anode structure also employed to prevent the fast latch-up. Latching current density of the proposed LIGBT with $T_1=T_2=2.5{\mu}m,\;N_1=7{\times}10^{15}/cm^3,\;N_2=3{\times}10^{15}/cm^3$ is $800A/cm^2$ and breakdown voltage is 125V while latching current density and breakdown voltage of the conventional LIGBT is $700A/cm^2$ and 55V.
This paper presents a new structure for a step up dc-dc converter, which has several advantageous features. Firstly, the input dc source and the clamped capacitor are connected in series to transfer energy to the load through dual voltage multiplier cells. Therefore, the proposed converter can produce a very high voltage and a high conversion efficiency. Secondly, a double voltage clamped circuit is introduced to the primary side of the coupled inductor. The energy of the leakage inductance of the coupled inductor is recycled and the inrush current problem of the clamped circuits can be shared equally by two synchronous clamped capacitors. Therefore, the voltage spike of the switch tube is solved and the current stress of the diode is reduced. Thirdly, dual voltage multiplier cells can absorb the leakage inductance energy of the secondary side of the coupled inductor to obtain a higher efficiency. Fourthly, the active switch turns on at almost zero current and the reverse-recovery problem of the diodes is alleviated due to the leakage inductance, which further improves the conversion efficiency. The operating principles and a steady-state analysis of the continuous, discontinuous and boundary conduction modes are discussed in detail. Finally, the validity of this topology is confirmed by experimental results.
In this paper, parallel input/serial output dual converter is designed appropriately for fuel cell hybrid power system. In case of proposed converter, zero voltage switching condition is designed without additional resonance device using leakage inductance of transformer and output capacitance of switch, and zero voltage switching method is used. Also, the system method is for increasing power by connecting half-bridge in parallel and increasing output voltage by connecting secondary output of transformer in serial. Through this method we can increase power and decrease volume of system. So in this paper, dual converter is designed. 1.5kW fuel cell hybrid power system was implemented, and system operation and stability was verified through experiment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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