• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2017년도 추계학술대회
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• pp.153-154
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• 2017

In this paper, a short-circuit protection function of a gate driver for SiC FET is investigated, which monitors voltage between drain and source of a FET under turn-on condition and turns off the FET if the voltage exceeds a predefined value.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1463-1465
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• 2008

We report all-ink-jet printed inorganic/organic hybrid TFTs on plastic substrates. We have investigated the optimal printing conditions to make uniform patterned layers of gate electrode, dielectrics, source/drain electrodes, and semiconductor as a coplanar type TFT in a successive manner. All ink-jet printed devices have good mechanical flexibility and current modulation characteristic even when bent.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.875-877
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• 2007

Zinc tin oxide (ZTO) sol-gel solution was synthesized for ink-jet printable semiconducting ink. Bottom-contact type TFT was produced by printing the ZTO layer between the source and drain electrodes. The transistor involving the ink-jet printed ZTO had the $mobility\;{\sim}\;0.01\;cm^2V^{-1}s^{-1}$. We demonstrated the direct-writing of semiconducting oxide for solution processed TFT fabrication.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.841-844
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• 2007

In this paper, a vertical block mura, which massively occurred in the LCD products, was investigated extensively by various methods, source drain (SD) line shift is found out to be one of the key reasons. This work to some extent, establishes theoretic hypothesis for further research and solutions similar issues.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.526-532
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• 2015

We quantitatively investigated instability mechanisms under simultaneous positive gate and drain bias stress (SPGDBS) in self-aligned top-gate amorphous indium-zinc-oxide thin-film transistors. After SPGDBS ($V_{GS}=13V$and $V_{DS}=13V$), the parallel shift of the transfer curve into a negative $V_{GS}$ direction and the increase of on current were observed. In order to quantitatively analyze mechanisms of the SPGDBS-induced negative shift of threshold voltage (${\Delta}V_T$), we experimentally extracted the density-of-state, and then analyzed by comparing and combining measurement data and TCAD simulation. As results, 19% and 81% of ${\Delta}V_T$ were taken to the donor-state creation and the hole trapping, respectively. This donor-state seems to be doubly ionized oxygen vacancy ($V{_O}^{2+}$). In addition, it was also confirmed that the wider channel width corresponds with more negative ${\Delta}V_T$. It means that both the donor-state creation and hole trapping can be enhanced due to the increase in self-heating as the width becomes wider. Lastly, all analyzed results were verified by reproducing transfer curves through TCAD simulation.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권3호
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• pp.339-345
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• 2016

This paper presents a two-stage power amplifier MMIC using a $0.4{\mu}m$ GaN-HEMT process. The two-stage structure provides high gain and compact circuit size using an integrated inter-stage matching network. The size and loss of the inter-stage matching network can be reduced by including bond wires as part of the matching network. The two-stage power amplifier MMIC was fabricated with a chip size of $2.0{\times}1.9mm^2$ and was mounted on a $4{\times}4$ QFN carrier for evaluation. Using a downlink LTE signal with a PAPR of 6.5 dB and a channel bandwidth of 10 MHz for the 2.6 GHz band, the power amplifier MMIC exhibited a gain of 30 dB, a drain efficiency of 32%, and an ACLR of -31.4 dBc at an average output power of 36 dBm. Using two power amplifier MMICs for the carrier and peaking amplifiers, a Doherty power amplifier was designed and implemented. At a 6 dB back-off output power level of 39 dBm, a gain of 24.7 dB and a drain efficiency of 43.5% were achieved.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권11호
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• pp.1-7
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• 2006

이상적인(ideal) 이중-게이트(double-gate) 벌크(bulk) FinFET의 3차원(3-D) 시뮬레이션을 수행하여 전기적 특성들을 분석하였다. 3차원 시뮬레이터를 이용하여, 게이트 길이($L_g$)와 높이($H_g$), 핀 바디(fin body)의 도핑농도($N_b$)를 변화시키면서 소스/드레인 접합 깊이($X_{jSDE}$)에 따른 문턱전압($V_{th}$), 문턱전압 변화량(${\Delta}V_{th}$), DIBL(drain induced barrier lowering), SS(subthreshold swing)의 특성들을 살펴보았다. 게이트 높이가 35 nm인 소자에서 소스/드레인 접합 깊이(25 nm, 35 nm, 45 nm) 변화에 따라, 각각의 문턱전압을 기준으로 게이트 높이가 $30nm{\sim}45nm$로 변화 될 때, 문턱전압변화량은 20 mV 이하로 그 변화량이 매우 적음을 알 수 있었다. 낮은 핀 바디 도핑농도($1{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}1{\times}10^{17}cm^{-3}$)에서, 소스/드레인 접합 깊이가 게이트전극보다 깊어질수록 DIBL과 SS는 급격히 나빠지는 것을 볼 수 있었고. 이러한 특성저하들은 $H_g$ 아래의 ${\sim}10nm$ 위치에 국소(local) 도핑을 함으로써 개선시킬 수 있었다. 또한 local 도핑으로 소스/드레인 접합 깊이가 얕아질수록 문턱전압이 떨어지는 것을 개선시킬 수 있었다.

• 한국지반공학회지:지반
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• 제1권2호
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• pp.27-40
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• 1985

본고는 기약지반변형해석에 이용될 범용 program을 개발하고 이를 이용하여 성토부끝에 sheet pile을 타설하거나 혹은 성토부아래의 연약정토지반을 개취하였을 때의 변형억제효과를 연구한 것이다. 본고에 적용된 압밀리론으로서 Biot의 압밀방정식과 구성방정식으로서 탄소성리론에 근거한 modified Cam-clay 이론을 적용하였고 유한요소해석으로서는 Christian-Boehmer계를 도입하여 program화한 것이다. 그 주요한 결론은 다음과 같다. 1. 속변지반의 침하효과에 관해서는 sheet pile이나 심우혼합처새깊이를 자지층까지 관입하여 시공하고 그 자신의 침하가 없을 경우에만 유효하다. 2. 흔히 사용되는 sheet pile대책공법은 통상의 steel sheet pile의 각성으로서는 성토직후의 봉기, 측방변위의 억제효과는 기대할 수 없다. 3. Sheet pile에 대한 예상론인 사용방법은 성토하부에 세밀을 촉진하기 위해 vertical drain을 설치하고 점증재하 방법만이 확실한 효과가 있다. 4. 체층혼합처리공법은 예상한 바와 같이 그 자종가 강성이 클수록 침하억제핵과가 있다. 특히 grouting을 통한 지반강화가 곧장 주변지반의 변형억제효과가 있다고 단정하는 것은 그 강성 까 관련하여 신중히 고려하여 결정해야 한다.

• 대한토목학회논문집
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• 제14권5호
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• pp.1243-1251
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• 1994

연직드레인의 유효반경내에서 시간과 압밀도 관계를 계산하기 위해 음적차분해법이 적용되었으며 계산시 과잉간극수압의 소산은 두 방향으로 수행된다. 다단계 성토에 의한 지중응력 증분을 계산하기 위해, 지표면하의 연약지반은 등방균질 탄성체로서 간주하였고 각 단계 순간성토시 초기 과잉간극수압은 포화된 점성토내에서 평면변형률 조건과 탄성단계의 간극수압 응답 상태에 대한 Skempton의 간극수압계수를 이용해 계산하였다. 침하에 대해서는, 즉시 및 1 차 압밀침하량만 계산하였고, 2차 압밀침하는 고려하지 않았다. 계산된 과잉간극수압과 지표침하량이 경과시간에 대한 현성측성치와 유사한 것으로 판정되었으며, 본 연구에 적용된 계산기법(압밀특성이 다른 다층지반으로 구성된 연약지반내에 연직배수공법을 적용하고 성토가 다단계 순간성토로 이루어질 경우 과잉간극수압 소산과정을 음적 차분해법으로 근사계산)은 각 연약층의 시간-압밀도 관계를 예측하는데 이용가능할 것으로 생각된다.

• 한국지반공학회지:지반
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• 제12권5호
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• pp.89-102
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• 1996

지오텍스타일에 의한 압력배수 특성을 연구하기 위하여 성토하중의 증가에 따른 기초지반의 초기압밀 촉진을 유도하기 위한 수직수평 배수공의 모형을 구상하여 실험을 수행하였다. 배수재로 사용된 지오텍스타일의 압축응력이 증가함에 따라 배수공의 누적배수량은 대수함수의 형태로 증가하였다. 수두상승에 따른 각 응력단계별 배수공의 배수량은 직선적으로 증가하였으며 그 증가율은 압축응력이 클수록 작게 나타나는 경향을 보였으며 배수공의 배수량은 포설 겹 수가 많을수록, 지반재료가 세립일수록 크게 나타났다. 지오텍스타일의 전수성과 배수공의 배수량의 관계는 정의 상관관계를 나타내었으며 그 증가율은 지반재료와 수두에 관계없이 거의 동일한 것으로 나타났는바 배수공의 배수능력은 지오텍스타일의 전수성으로 결정됨이 입증되었다.