Direct use of sunlight through the glass windows is an efficient way to reduce the energy consumption related to the heating, cooling, and lighting. Introduction of near-infrared modulating properties through colloidal doped metal oxide nanocrystals into the classical electrochromic materials accelerates the development of next-generation electrochromic devices. There has been a steady enhancement in the performance of electrochromic devices, necessitating a review of the recent progress in next-generation electrochromic devices employing doped metal oxide nanocrystals. This review provides an overview of the current developments in next-generation electrochromic smart windows utilizing colloidal doped metal oxide nanocrystals, with a focus on the key factors for achieving these advanced windows. Colloidal doped metal oxide nanocrystals are a crucial component in realizing and bringing to market the next generation of electrochromic windows, though further research and development are still required in this regard.
Khodam, Fatemeh;Amani-Ghadim, Hamid Reza;Aber, Soheil;Amani-Ghadim, Ali Reza;Ahadzadeh, Iraj
Journal of Industrial and Engineering Chemistry
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제68권
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pp.311-324
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2018
Herein,the Neodymium ion ($Nd^{3+}$) doped CoAl-LDH have been successfully prepared via co-precipitation method and was used as a precursor of Nd-doped CoAl-mixed metal oxides (MMO). The photocatalytic activity of doped LDH and MMO was investigated in the degradation of an azo dye, C.I. Acid Red 14, under visible light irradiation. DRS and PL analysis demonstrated decreasing in the band gap energy and recombination of photo-induced charge carriers of Nd-doped LDH and MMO compared with the pristine CoAL-LDH. Due to significant difference in photocatalytic performance. A power law empirical kinetic model was obtained for predicting the photocatalytic degradation efficiency.
Semiconductors with ferromagnetism at room temperature has been actively searched for in recent years; a prospect of devices using both charge and spin continuously gives impetus to the activities. Transition metal doped oxide materials have been of particular interest. Co substituted ZnO [1] and TiO$_2$ [2] thin films, for example, were reported to show ferromagnetic properties at room temperature. However, various studies do not seem to converge on a definite picture [3,4,5]. The issue is rather fundamental: whether a system shows ferromagnetic properties at all, and in case it does, whether the system possesses a close coupling between magnetism and transport properties. In this talk, we shall assess the current status of transition metal doped oxide materials as room temperature ferromagnetic semiconductors.
Metal oxide nanostructures have been applied to various fields such as energy, catalysts and electronics. We have freely designed one and two-dimensional (1 and 2-D) metal (transition metals and lanthanides) oxide nanostructures, characterized them using various techniques including scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction crystallography, thermogravimetric analysis, FT-IR, UV-visible-NIR absorption, Raman, photoluminescence, X-ray photoelectron spectroscopy, and temperature-programmed thermal desorption (reaction) mass spectrometry. In addition, Ag- and Au-doped metal oxides will be discussed in this talk.
Park, Eui-Seok;Jung, Choong-Ho;Kim, Moo-Kyung;Kim, Hyung-Tae;Kim, Yoo-Taek;Hong, Jung-Yoo
한국결정성장학회:학술대회논문집
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한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 15TH KACG TECHNICAL MEETING-PACIFIC RIM 3 SATELLITE SYMPOSIUM SESSION 4, HOTEL HYUNDAI, KYONGJU, SEPTEMBER 20-23, 1998
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pp.97-102
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1998
Transition metal Cr3+ and Fe3+ ion was diffused in white sapphire {0001}, {1010} crystal plane which were grown by the Verneuil method. It enhanced and changed the physical, electrical and optical properties of sapphires. After mixing the metallic oxide and metal powder, it were used for diffusion. Metallic oxide was synthesized by precipitation method and it's composition was mainly alumina which doped with chromium or ferric oxide. In case using metallic oxide, the dopping was slowly progressed and it needed the longer duration time and higher temperature, relatively. Metallic powder was vapoured under 1x10-4 torr of vacuum pressure at 1900(iron metal) and 2050(chromium)℃, first step. Diffusion condition were kept by 6atm of N2 accelerating pressure at 2050∼2150℃. Each surface density of sapphire crystal are 0.225(c) and 0.1199atom/Å2(a). The color of the Cr-doped sapphires was changed to red. Dopping reaction was come out more deep in th plane of {1010} than {0001}. It was speculated that the planar density was one of the factors to determine diffusion effect.
Transparent conducting oxide (TCO) films have been intensively utilized in the electric applications, such as, displays, lightings and solar cells due to the good electric conductivity with an excellent transmittance of the visible light. We, herein present an excellent Al-doped ZnO film (AZO), which has been fabricated by co-sputtering method. An as-deposited AZO film had an optical transmittance of 84.78% at 550 nm and a resistivity of $7.8{\times}10^{-3}{\Omega}cm$. A rapid annealing process significantly improved the optical transmittance and electrical resistivity of the AZO film to 99.67% and $1{\times}10^{-3}{\Omega}cm$, respectively. The fabricated AZO film was fabricated for a metal-semiconductor-metal (MSM) structure. The AZO film-embedding MSM device was highly responsive to a UV light.
Thin films of MgO-doped and CaO-doped iron oxide were prepared y spray pyrolysis. The films were characterized b X-ray diffraction, scanning electron microscopy and voltammetric techniques. The photoelectrochemical behavior of thin film electrodes depended greatly on the doping level, sintering temperature, substrate temperature and added photosensitizing compounds in solution, showed p-type photoelectrochemical behavior, while the CaO-doped iron oxide thin films prepared at low temperature showed n-type photoelectrochemical behavior. This characteristic change was interpreted in terms of the surface structure change of the thin films and doping effect of metal oxide.
The fabricatoin sequence of GaAs MIS type diode and its electrical characteristics are presented. Used wafers were undoped GaAS wafer adn Te-doped GaAs wafer. Au and AuGe/Ni was used as schottky contact metal and ohmic contact metal respectively. Oxide layer on GaAs surface was formed by water vapor saturated oxide growth technique and dry oxidation technique. In Te-doped GaAs wafer, cutin voltage of MIS type diode was enhanced about 3V comparing with non-oxide layer diode. From light I-V characteristics fill factor of MIS type Te-doped GaAs diode was about 64%, Voc(open circuit voltage) was 0.67V.
한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.1081-1081
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2002
Top emission organic EL devices were fabricated by using metal-doped cathode interface layer to achieve low drive voltages. Also, facing-targets-type sputtering was used to sputter indium-tin oxide layer on top of organic active layer. The devices fabricated in this study showed reasonably high external quantum efficiency of about 1 % which is comparable to that of bottom-emission-type devices.
ZnO($Al_2O_3\;2%$ 2% doped) 산화물 타겟과 금속 Zn(Al 2% doped) 타겟을 사용하여 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법으로 산소 가스 및 인가 전력을 조절하면서 AZO(Aluminum doped Zine Oxide) 막을 증착하였다. 비저항과 평균 투과율을 고려할 때 최적의 투명전도성을 보이는 조건은 산화물 타겟의 경우 산소가스의 비가 $0.5{\times}10^{-2}~1.0{\times}10^{-2}$범위이며, 금속 타겟의 경우 인가전력 0.6kW에서는 0.215~0.227, 1.0kW에서는 0.305~0.315이었다. 각 최적조건에서 제막된 AZO 막의 비저항은 $1.2~1.4{\times}10^{-3} {\Omega}{\cdot}cm$cm으로 타겟에 의한 차이는 없었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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