Kim, Soaram;Park, Hyunggil;Nam, Giwoong;Yoon, Hyunsik;Kim, Jong Su;Kim, Jin Soo;Son, Jeong-Sik;Lee, Sang-Heon;Leem, Jae-Young
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제34권11호
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pp.3335-3339
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2013
Boron-doped ZnO (BZO) nanorods were grown on quartz substrates using hydrothermal synthesis, and the temperature-dependence of their photoluminescence (PL) was measured in order to investigate the origins of their PL properties. In the UV range, near-band-edge emission (NBE) was observed from 3.1 to 3.4 eV; this was attributed to various transitions including recombination of free excitons and their longitudinal optical (LO) phonon replicas, and donor-acceptor pair (DAP) recombination, depending on the local lattice configuration and the presence of defects. At a temperature of 12 K, the NBE produces seven peaks at 3.386, 3.368, 3.337, 3.296, 3.258, 3.184, and 3.106 eV. These peaks are, respectively, assigned to free excitons (FX), neutral-donor bound excitons ($D^{\circ}X$), and the first LO phonon replicas of $D^{\circ}X$, DAP, DAP-1LO, DAP-2LO, and DAP-3LO. The peak position of the FX and DAP were also fitted to Varshni's empirical formula for the variation in the band gap energy with temperature. The activation energy of FX was about ~70 meV, while that of DAP was about ~38 meV. We also discuss the low temperature PL near 2.251 eV, related to structural defects.
Kim, Young-Yi;Han, Won-Suk;Kong, Bo-Hyun;Cho, Hyung-Koun;Kim, Jun-Ho;Lee, Ho-Seoung
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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pp.11-11
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2008
ZnO has a very large exciton binding energy (60 meV) as well as thermal and chemical stability, which are expected to allow efficient excitonic emission, even at room temperature. ZnO based electronic devices have attracted increasing interest as the backplanes for applications in the next-generation displays, such as active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs), and in solid state lighting systems as a substitution for GaN based light emitting diodes (LEDs). Most of these electronic devices employ the electrical behavior of n-type semiconducting active oxides due to the difficulty in obtaining a p-type film with long-term stability and high performance. p-type ZnO films can be produced by substituting group V elements (N, P, and As) for the O sites or group I elements (Li, Na, and K) for Zn sites. However, the achievement of p-type ZnO is a difficult task due to self-compensation induced from intrinsic donor defects, such as O vacancies (Vo) and Zn interstitials ($Zn_i$), or an unintentional extrinsic donor such as H. Phosphorus (P) doped ZnO thin films were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering with various Ar/ $O_2$ gas ratios. Control of the electrical types in the P-doped ZnO films was achieved by varying the gas ratio with out post-annealing. The P-doped ZnO films grown at a Ar/ $O_2$ ratio of 3/1 showed p-type conductivity with a hole concentration and hole mobility of $10^{-17}cm^{-3}$ and $2.5cm^2/V{\cdot}s$, respectively. X-ray diffraction showed that the ZnO (0002) peak shifted to lower angle due to the positioning of $p^{3-}$ ions with a smaller ionic radius in the $O^{2-}$ sites. This indicates that a p-type mechanism was due to the substitutional Po. The low-temperature photoluminescence of the p-type ZnO films showed p-type related neutral acceptor-bound exciton emission. The p-ZnO/n-Si heterojunction LEO showed typical rectification behavior, which confirmed the p-type characteristics of the ZnO films in the as-deposited status, despite the deep-level related electroluminescence emission.
투명 전도성 산화물(TCO)를 대체할 수 있는 대표적인 물질로 알려진 ZnO는 3.37 eV의 bandgap과 60 meV의 exciton binding energy를 가진 반도체 물질이다. 본 연구에서는 투명 전극으로 사용하기 위한 높은 전기적 특성을 확보하기 위해 원자층 증착법을 기반으로 양이온과 음이온의 단일 및 이중 도핑에 따라 성장한 ZnO 박막을 제작하였다. 3가 양이온 Al, Ga과 음이온 F이 단일 및 이중 도핑된 ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성 및 전기적 특성을 확인하였다. 단일 도핑의 경우, ZnO에 donor로 작용하는 Al, Ga, F에 의해 캐리어 농도가 도핑 전에 비해 증가하였고 근자외선 영역에서의 band-edge absorption이 증가하는 것을 확인하였다. 단일 도핑 중에서는 F이 ZnO 내 산소 공공 자리에 passivation 되면서 높은 mobility와 함께 가장 높은 전도도를 보였다. 이중 도핑의 경우, 각 원소들의 도핑 효과가 더해지면서 단일 도핑에 비해 높은 전기적 특성을 보였다. 결과적으로 Ga-F에 비해 Al-F 도핑 시 ionic radius 차이에 의한 lattice distortion 감소 및 delocalized 된 전자 상태의 증가로 가장 낮은 비저항 값을 보였으며 PDOS 분석을 통한 시뮬레이션 데이터로 측정 값과 일치하는 결과를 확인했다.
한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.314-314
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2006
The FRET property has been extensively studied from the theoretical view points to the practical applications. In case that the donor and acceptor are confined in nanodimension, the FRET effectively occurs, because of their distant dependent characteristic. However, there are no reports concerning FRET with one dimensional (1D) nanomaterial. We have successfully prepared the PMMA nanotubes using vapor deposition polymerization as the platform of FRET. The dye-PMMA composite nanofiber has also been produced without phase separation and any deterioration of properties of the dyes. The PMMA 1D nanocomposite doped two dyes with great spectral overlap between donor and acceptor displayed FRET property.
$YAlO_3:Tb{_x}^{3+}$ has been synthesized by a combustion process and the concentration x of Tb was varied from 0.001 and 0.05 mol% per mole of $YAlO_3$. The emission optical properties on the $YAlO_3:Tb{_x}^{3+}$ have been investigated by time-resolved photoluminescence spectra and decay curves of center wavelength. The emission color changes from blue to green with increasing the $Tb^{3+}$ concentration from x= 0.001 to 0.05 mole fraction in $YAlO_3$ host. This emission color change can be explained in terms of cross-relaxation processes. Decay curves of emission intensity indicate that the type of energy transfer is donor-acceptor transition.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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pp.1095-1096
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2006
When $Y_2O_3$ was added to Ti-excess $BaTiO_3$ ((Ba+Y)/Ti =1), the area occupied by $Y^{3+}$ ion was confirmed by its microstructure development, electrical conductivity behavior and lattice constant. Grain growth inhibition was observed when the content of donor dopant exceeded a critical value ($x{\approx}.0.01$) in $BaTiO_3+x(0.5Y_2O_3+TiO_2)$ system. A donor-doped behavior was observed at various Y contents ($0.2\sim3.0$ mol% Y) when $Y_2O_3$ was added to $TiO_2$-excess $BaTiO_3$. As Y content was increased, (002) and (200) peaks shifted to higher angles and the lattice constant (a and c axis) decreased gradually.
Properties of each layer in DSSC were investigated to improve solar cell characterstics. Also in this study, low costsolar simulator system is fabricated and used. Efficiency of DSSC is better in the case of thinner semiconductive layer, because thick semiconductive layer is acted as resistor. Sc-doped ZnO thin films showed better electrical property by proper donor doping effect. Among the dyes, DSSC containing N719 showed higher efficiency, because N719 have smaller electron affinity and shallow band gap.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제2권4호
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pp.24-29
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2001
GaN films were grown for various Mg doping concentrations in metal-organic chemical vapor deposition. Below the Mg concentration of 10$^{19}$ ㎤, the thermally annealed sample shows the compensated phase to n-type GaN in Hall measurement. In the MB concentration of 4$\times$10$^{19}$ ㎤ corresponding to the hole carrier concentration of 2.6$\times$1$^{19}$ ㎤ there exists a photoluminescence center of the donor and the acceptor pair transition of the 3.28-eV band. This center is correlated with the defects for a shallow donor of the $V_{Ga}$ and for an acceptor of $Mg_{Ga}$ . The acceptor level shows the binding energy of 0.2-0.25 eV, which was observed by the photon energy of the photocurrent signal of 3.02-3.31 eV. Above the Mg concentration of 4$\times$10$^{19}$ ㎤, both the Mg doping level and Mg concentration were saturated and there Is a photoluminescence center of a deep donor and an acceptor pair transition of the 2.76-eV blue band.
Effect of abnormal grain growth and heat treatment time on the electrical properties of donor-doped semiconductive BaTiO$_3$ceramics was examined. La-doped BaTiO$_3$ceramics was sintered at 134$0^{\circ}C$ for different times from 10 to 600 min in order to change the volume fraction of the abnormal grains in samples. As a result, samples with different volume fraction of abnormal grain growth from 22 to 100% were prepared. The samples were annealed at 120$0^{\circ}C$ for various times. The resistivity of the sam-ples at room and above Curie temperature was examined. The complex impedance measurement as functions of the volume fraction of abnormal grains and annealing time was conducted. Separation of complex impedance semicircle was observed in a sample in which abnormal and fine grains coexist. The results are discussed from a viewpoint of microstructure-property relationship.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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