Zhang, Mao-Hua;Thong, Hao Cheng;Lu, Yi Xue;Sun, Wei;Li, Jing-Feng;Wang, Ke
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.54
no.4
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pp.261-271
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2017
Environment-friendly $(K,Na)NbO_3-based$ (KNN) lead-free piezoelectric materials have been studied extensively in the past decade. Significant progress has been made in this field, manifesting competitive piezoelectric performance with that of lead-based, for specific application scenarios. Further understanding of the relationship between high piezoelectricity and microstructure or more precisely, ferroelectric domain structure, domain wall pinning effect, domain wall conduction and local polarization switching underpins the continuous advancement of piezoelectric properties, with the help of piezoresponse force microscopy (PFM). In this review, we will present the fundamentals of scanning probe microscopy (SPM) and its cardinal derivative in piezoelectric and ferroelectric world, PFM. Some representative operational modes and a variety of recent applications in KNN-based piezoelectric materials are presented. We expect that PFM and its combination with some newly developed technology will continue to provide great insight into piezoelectric materials and structures, and will play a valuable role in promoting the performance to a new level.
The effects of an Ag seed layer on the magnetic properties and the microstructural evolution of SmCo/Cr thin films deposited on glass substrates were investigated. Coercivity of the films is 2.0 kOe when the thickness of Ag seed layer was 1nm thick, but it increased to 2.7 kOe when the Ag seed layer thickness is 3 nm. The increase of coercivity for film with 3 nm-thick Ag is due to roughness of Cr and grain size of Cr by the Ag microbumps. Ar partial pressure influenced on the formation of Ag microbumps, for example, they were formed at 5 mTorr when Ag thickness was 1 nm. The mechanism of magnetization reversal of the SmCo films changed from domain wall motion to domain rotation as the Ag inserted. This was thought to be due to inhibition of domain wall motion by the reduction of Cr grain size and the increase of roughness.
Amorphous FeBSiNb alloy ribbons having bulk glass forming ability and high saturation magnetic flux density were produced by single-roller melt spinning apparatus in the thickness range of 22∼102㎛. With the increase of thickness, the coercive force and squareness ratio decreased, while maximum permeability and AC permeability increased. However electrical resistivity was almost constant. Furthermore refined and complex magnetic domain structure was observed in thicker ribbons owing to the change in internal magnetic anisotropy. For the alloy with the thickness of 81㎛, small coercive force of 24 mOe and high effective permeability of 12,000 at 1㎑ were obtained, those are considered to be better comparing to the conventional soft magnetic amorphous alloys (∼20 ㎛). The good soft magnetic properties of the thick FeBSiNb amorphous alloys were attributed to the decrease in surface pinning effect during wall motion, appearance of perpendicular anisotropy and resulted domain refinement.
Ni (100 nm thick) was deposited onto synthesized diamonds to fabricate etched diamonds. Next, those diamonds were annealed at varying temperatures ($400{\sim}1200^{\circ}C$) for 30 minutes and then immersed in 30 wt% $HNO_3$ to remove the Ni layers. The etched properties of the diamonds were examined with FE-SEM, micro-Raman, and VSM. The FE-SEM results showed that the Ni agglomerated at a low annealing temperature (${\sim}400^{\circ}C$), and self-aligned hemisphere dots formed at an annealing temperature of $800^{\circ}C$. Those dots became smaller with a bimodal distribution as the annealing temperature increased. After stripping the Ni layers, etch pits and trigons formed with annealing temperatures above $400^{\circ}C$ on the surface of the diamonds. However, surface graphite layers existed above $1000^{\circ}C$. The B-H loop results showed that the coercivity of the samples increased to 320 Oe (from 37 Oe) when the annealing temperature increased to $600^{\circ}C$ and then, decreased to 150 Oe with elevated annealing temperatures. This result indicates that the coercivity was affected by magnetic domain pinning at temperatures below $600^{\circ}C$ and single domain behavior at elevated temperatures above $800^{\circ}C$ consistent with the microstructure results. Thus, the results of this study show that the surface of diamonds can be etched.
The changes of magnetic properties in neutron irradiated F $e_{81}$$B_{13.5}$S $i_{3.5}$$C_2$ amorphous ribbon were studied by X-ray diffraction, hysteresis loop, temperature dependence of magnetization and complex permeability. The fluences of thermal ( $n_{th}$) and fast ( $n_{f}$) neutron were 6.95$\times$10$^{18}$$n_{th}$ c $m^{-2}$ and 4.56$\times$10$^{16}$$n_{f}$c $m^{-2}$ , respectively. The changes of XRD Profiles were not observable at the neutron irradiated sample. The complex permeability spectra showed that the permeability from domain wall motion decreased due to the increase of pinning force against domain motion by the neutron irradiation, and the relaxation frequency of rotational magnetization moved to higher frequency region. The measurement of hysteresis loop showed the increase of magnetic softness, related to rotational magnetization, but saturation magnetization was decreased in neutron irradiation sample. The Curie temperature was decreased in the neutron irradiated sample.e.e.e.
Park, Jae-Hwan;Park, Jae-Gwan;Kim, Byung-Kook;Kim, Yoon-Ho
Korean Journal of Materials Research
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v.11
no.6
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pp.498-501
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2001
The effects of MnO$_2$ addition on the piezoelectric properties in 0.9Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-0.1Pb$TiO_3$ relaxor ferroelectrics were studied in the ferroelectricity-dominated temperature range from -4$0^{\circ}C$ to 3$0^{\circ}C$. Dielectric, piezoelectric properties and electric-field- induced strain were examined to clarify the effect of MnO$_2$ addition. As the added amount of MnO$_2$ increase. dielectric and piezoelectric properties of Pb(Mg$_{1/3}$ Nb$_{2/3}$O$_3$ became harder. From the experimental results, it was suggested that Mn behaves as a ferroelectric domain pinning element.
Computer simulation of sensing current effects on the magnetic and magnetoresistance properties of a crossed spin-valve head is carried out. The spin-valve head has the following layer structure: Ta (8.0 nm)/NiMn (25 nm)/NiFe (2.5 nm)/Cu (3.0 nm)/NiFe (5.5 nm)/Ta (3.0 nm), and it is 1500 nm long and 600 nm wide. Even with a high pinning field of 300 Oe and a high hard-biased field of 50 Oe, the ideal crossed spin-valve structure, which is essential to the symmetry of the output signal and hence high density recording, is not realized mainly due to large interlayer magnetostatic interactions. This problem is solved by applying a suitable magnitude of sensing currents along the length direction generating magnetic fields in the width direction. The ideal spin-valve head is expected to show good symmetry of the output signal. This has not been shown explicitly in the present simulation, however, The reason for this is possibly related to the simple assumption used in this calculation that each magnetic layer consists of a single domain.
No-doped PZT thin films have been fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrate using Sol-Gel technique. A fast annealing metho (three times of intermediate and final annealing) was used for the preparation of multi-coated 1800$\AA$ thick Nb-doped PZT thin films. As Nb doping percent was increased leakage current was lowered approximately 2 order but dielectic properties were degraded due to the appearance of pyrochlore phase and domain pinning. Futhermore the increase of the final annealing temperature up to 74$0^{\circ}C$lowered the pyrochlore phase content resulting in enhancing the dielectric properties of the Nb doped films. The 3%-Nb doped PZT thin films with 5% excess Pb showed a capacitance density of 24.04 fF/${\mu}{\textrm}{m}$2 a dielectric loss of 0.13 a switchable polarization of 15.84 $\mu$C/cm2 and a coercive field of 32.7 kV/cm respectively. The leakage current density of the film was as low as 1.47$\times$10-7 A/cm2 at the applied voltage of 1.5 V.
Co/Pd multilayered thin films with various ratios of Co sublayers to Pd sublayers(nCo/nPd = 1/4, 2/4, 3/4, 5/4) were fabricated at different substrate temperatures($R.\;T.,\;100,\;150,\;200\;^{\circ}C$) with the conventional vacuum evaporation method, and their Hall voltage hysteresis curves were measured. These Hall curves were decomposed on the basis of the superpose of the transverse Hall effect term from the magnetizations of Co and Pd sublayers and the magnetoresistivity term, by the optimal fitting method. In the results, both of the ferromagnetic and anti ferromagnetic states coexisted through whole samples, and the uniaxial or unidirectional easy axis type Hall hysteresis curves occured were dependent upon the effects of the exchange anisotropy between both magnetic states and the domain wall pinning by the antiferromagnet inclusions.
Kim, Se-Hoon;Kim, Hoon-Sup;Kim, Dong-Hwan;Kim, Young-Do
Journal of Powder Materials
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v.15
no.6
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pp.471-476
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2008
Sintered Nd-Fe-B magnets have been widely used due to their excellent magnetic properties, especially for driving motors of hybrid and electric vehicles. The microstructure of Nd-Fe-B magnets strongly affects their magnetic properties, in particular the coercivity. Therefore, a post-sintering process like heat-treatment is required for improving the magnetic properties of Nd-Fe-B sintered magnets. In this study, cyclic heat treatment was performed at temperatures between $350^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$ up to 16 cycles in order to control microstructures such as size and shape of the Nd-rich phase without grain growth of the $Nd_{2}Fe_{14}B$ phase. The 2 cycles specimen at this temperature range showed more homogeneous microstructure which leads to higher coercivity of 35 kOe than as-sintered one.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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