• 한국항행학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.164-169
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• 2005

본 논문에는 2.3GHz대역의 주파수를 이용해 초고속 인터넷 서비스를 제공하는 와이브로용 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기의 효율 향상을 위해 포락선 검파기를 이용하여 입력신호의 크기에 따라 게이트 전압을 조정하여 도허티 증폭기의 전력효율을 개선시키는 방법을 구현하였다. 측정결과, 적응형 바이어스를 적용한 도허티 증폭기는 측정시 입력 신호를 25.6dBm으로 했을 때 P1dB에서 출력전력 34.0dBm과 36.6%의 PAE를 가진다. 이것은 동일 입력레벨에서 AB급 증폭기와 비교해서 출력전력에서 1dB, 효율에서 7.6%의 개선을 보였다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제11권1호
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• pp.16-26
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• 2011

This paper presents high power and high efficiency Doherty amplifiers for 2.345 GHz wireless broadband (WiBro) applications that use a Nitronex 125-W ($P_{3dB}$) GaN high electron mobility transistor (HEMT). Two- and three-way Doherty amplifiers and a saturated Doherty amplifier using Class-F circuitry are implemented. The measured result for a center frequency of 2.345 GHz shows that the two-way Doherty amplifier attains a high $P_{3dB}$ of 51.5 dBm, a gain of 12.5 dB, and a power-added efficiency (PAE) improvement of about 16 % compared to a single class AB amplifier at 6-dB back-off power region from $P_{3dB}$. For a WiBro OFDMA signal, the Doherty amplifier provides an adjacent channel leakage ratio (ACLR) at 4.77 MHz offset that is -33 dBc at an output power of 42 dBm, which is a 9.5 dB back-off power region from $P_{3dB}$. By employing a digital pre-distortion (DPD) technique, the ACLR of the Doherty amplifier is improved from -33 dBc to -48 dBc. The measured result for the same frequency shows that the three-way Doherty amplifier, which has a $P_{3dB}$ of 53.16 dBm and a gain of 10.3 dB, and the saturated Doherty amplifier, which has a $P_{3dB}$ of 51.1 dBm and a gain of 10.3 dB, provide a PAE improvement of 11 % at the 9-dB back-off power region and 7.5 % at the 6-dB back-off region, respectively, compared to the two-way Doherty amplifier.

• 전자공학회논문지SC
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• 제44권2호
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• pp.32-38
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• 2007

본 논문은 Doherty 증폭기의 높은 효율을 유지하면서 선형성을 개선하기 위해 아날로그 전치왜곡기를 가진 Doherty 증폭기를 보여준다. 3차 전치왜곡기는 전치왜곡기와 Doherty 증폭기에서 3차와 5차 혼변조 성분이 이루는 위상차를 같게 만들어 3차뿐만 아니라 5차 혼변조 왜곡신호를 동시에 상쇄시킨다. 이것은 전치왜곡기에서 위상조절 왜곡발생기를 이용하여 3차와 5차의 위상차를 독립적으로 조절함으로서 이루어진다. 또한, 간단하고 정확한 위상 측정 장치를 이용하여 왜곡발생기의 위상조절 능력을 실험적으로 확인한다. 실험적인 검증을 위해, 3차 전치왜곡기는 2.11-2.17 GHz의 WCDMA 대역에서 180-W Doherty 증폭기와 구현된다. 투톤 실험결과는 3차와 5차 혼변조 왜곡성분이 크게 상쇄될 수 있음을 보여준다. 또한, 4-carrier WCDMA 응용에서도 넓은 출력 범위에서 상당한 ACLR이 개선된다. 이 기법은 간단한 구조, 작은 크기, 세 가지의 조절 파라미터 때문에 가격 효율적이며 편리하다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.182-185
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• 2002

A RE predistorted asymmetric Doherty amplifier for CDMA IS-95 signal has been fabricated using GaAs FETs. The Doherty amplifier used a Class AB main device and a Class C auxiliary device. At 6 ㏈ back-of from Pl ㏈ of 34 ㏈m, PAE of 27% was measured. This Doherty amplifier has higher PAE than Class AB for over 20 dB range of pout power. A RF predistortion linearizer is applied to the Doherty amplifier to improve the IMD cancellation performance. The 3rd order IMD cancellation of 12.2 ㏈ was achieved at output power of 18 ㏈m.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제29권6호
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• pp.618-627
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• 2005

In this paper, we have compared and analyzed the performance of high amplifier using Doherty technique to improve linearity and efficiency of base station and repeater Power amplifier for WCDMA. This Doherty amplifier implements with 3dB branch line coupler and $90^{\circ}C$ transmission line The phase offset line is designed to maintain the high linearity and efficiency at the low efficiency Period of the power amplifier CW 1-tone experimental results at the WCDMA frequency $2.11{\sim}2.17GHz$ shows that Doherty amplifier which achieves power add efficiency(PAE) of 50% at 6dB back off the point from maximum output power 52.3 dBm, obtains higher efficiency of 13.3% than class AB Finding optimum bias Point after adjusted gate voltage, Doherty amplifier shows that $IMD_3$ improves 4dB.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권4호
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• pp.275-280
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• 2006

We propose Doherty power amplifier structure which can be integrated in Silicon RF ICs. Doherty power amplifiers are widely used in RF transmitters, because of their high Power Added Efficiency (PAE) and good linearity. In this paper, it is proposed that a method to replace the quarter wavelength coupler with IQ up-conversion mixers to achieve 90 degree phase shift, which allows on-chip Doherty amplifier. This idea is implemented and manufactured in CMOS 5 GHz band direct-conversion RF transmitter. We measured a 3dB improvement output RF power and linearity.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권2호
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• pp.88-93
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• 2006

본 논문은 일반적인 Doherty amplifier보다 더 작은 부하저항을 갖도록 설계하였으며 출력 정합 회로에 PBG구조를 적용하여 IMD(Inter-modulation Distortion)를 억제 시키고 PAE (Power Added Efficiency)를 향상시켰다. 본 논문에서 제안된 전력 증폭기는 기존의 Doherty 전력 증폭기를 기준으로 IMD3는 5.5 dEC, PAE는 $5\%,$ 최대 출력 전력은 8dB back-off point 에서 $18\%$의 성능 개선을 시켰다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.124-128
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• 2006

본 논문에서는 CMRC(Compact Microstrip Resonants Cell)를 이용한 직렬 구조의 3-Way 도허티 증폭기를 연구하였다. CMRC는 선형성과 효율의 개선뿐만 아니라 기존의 선형성 개선 방법보다 간단하며 크기가 작고 가격이 저렴하다는 장점이 있다. 또한 기존의 병렬 구조의 3-way 도허티 증폭기가 아닌 하나의 디바이더만을 사용하는 직렬 구조의 3-Way 도허티 증폭기를 통해 그 크기를 줄일 수 있었다. 그 결과 CMRC를 사용한 제안된 3-Way 도허티 증폭기는 IMD3를 약 4.5 dB, PAE는 약 $9.2\%$ 개선시킬 수 있었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.269-276
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• 2016

본 논문에서는 내부 정합된 GaN-HEMT를 이용하여 2.65 GHz에서 동작하는 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 패키지 내부의 정합회로는 고조파 임피던스를 정합하기 위해 적용되었다. 동시에 기본주파수 임피던스가 부분적으로 정합되기 때문에 입력 및 출력 외부 정합회로는 간단해진다. 트랜지스터 패키지의 본드 와이어와 기생 성분은 EM 시뮬레이션을 통해 예측되었다. Doherty 전력증폭기는 48 V의 동작 전압을 인가하였으며, 6.5 dB의 PAPR을 갖는 LTE 신호에 대해 2.65 GHz에서 13.0 dB의 전력이득, 55.4 dBm의 포화전력, 49.1 %의 효율 및 -26.3 dBc의 ACLR 특성을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권1호
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• pp.107-111
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• 2009

본 논문에서는 PBG 특성을 갖는 새로운 Low-pass Filter(LPF)를 증폭기의 출력정합단에 적용하여 도허티 증폭기의 효율을 향상하였다. 제안된 LPF 적용된 도허티 증폭기는 고조파 성분들이 저지됨으로 선형성은 그대로 유지하면서 출력 전력의 증가와 소비 전류의 감소로 일반적인 도허티 증폭기와 비교하여 35%의 효율을 증가시켰다. 또한 PBG 특성을 사용함으로써 LPF의 크기를 줄였다. 이를 통해 일반적인 마이크로 스트립 라인의 LPF를 사용한 도허티 증폭기보다 전체적인 도허티 증폭기의 크기를 줄일 수 있었다.