도핑 되지 않은 반 절연 LEC GaAs내의 EL2와 얕은 준위 분포를 영상화하기 위해 대역단 적외선 영상 기법을 활용했다. 대역단 적외선 투사 매핑에 근거한 본 기법은 분석 속도가 빠르고 비파괴적인 방법이다. EL2 흡수 영상이 콘트라스트 반전되는 대역단 부근에 대한 정량적인 해석은 아직 보고되지 않고 있다. 본 논문은 대역단 부근에서 영상의 특정 부분(cell, wall)에 대한 포토퀀칭 메커니즘의 스펙트럼-, 공간- 및 온도- 종속성을 논하고 있다. 결함 부분별(EL2w, EL2b)로 포토퀀칭 개시점이 다른 것은 불순물 종류의 차이로 인한 서로 다른 전기적 작용에 기인한 것으로 해석할 수 있다. 전위(dislocation) 밀도가 높은 곳에서는 EL2b 밀도는 약간 적은 반면 EL2w 밀도는 보다 많다는 것을 정량적 해석으로부터 확인 했다.
The changes of microstructural and mechanical properties were evaluated for the high burn-up fuel claddings after the neutron irradiation of $1.8{\sim}3.1{\times}10^{20}n/cm^2$ (E>1.0 MEV) in HANARO research reactor. After the irradiation, the spot-type dislocations (a-type dislocations) were easily observed in most claddings, and the density of the dislocations was different depending on the grains and was higher at grain boundaries than within grains. As the final annealing temperature increased, the density of spot-type dislocations increased and the line-type dislocations (c-type dislocations) which was perpendicular to the <0002> direction, appeared sporadically in some claddings. However, the types of precipitates in the fuel claddings after the irradiation were not changed from that in unirradiated claddings. The mechanical properties including the hardness, strength and elongation after the irradiation were changed due to the formation of spot-type dislocations. That is, the increase in hardness and strength as well as the decrease in elongation after the irradiation was occurred simultaneously with increasing the final annealing temperature. Owing to the Nb contribution to the formation of spot-type dislocation during the irradiation, the increase in hardness and strength in higher Nb-contained Zr alloys after the irradiation was higher than that in lower Nb-contained Zr alloys.
본 연구는 재생된 SiC 분말을 이용하여 단결정 성장 가능성을 검증하는 것을 목적으로 한다. 재활용 분말의 입도, 형상, 조성, 불순물 등의 기초적인 물성을 분석하고, 이를 활용하여 반응기 내부에서 일어날 수 있는 승화 거동을 예측하였다. 종합적인 판단 결과, 재생 분말의 물성은 단결정 성장에 적합 하였고, 이를 이용하여 단결정 성장 실험을 진행하였다. 높이 25 mm, 직경 100 mm 4H-SiC 단결정 잉곳을 다른 다형혼입 없이 성장 시켰다. 동공 결함 밀도는 0.02 ea/cm2, 비저항은 0.015~0.020 ohm·cm2 측정되어 상용 수준의 품질을 얻었으나, 실제 소자 적용을 위해서는 전위 결함, 적층 결함과 관련된 추가 분석이 필요하다고 판단된다.
Although the Ti-6Al-4V alloy has been used in the aircraft industry owing to its excellent mechanical properties and low density, the low formability of the alloy hinders broadening its applications. Recently, laser-powder bed fusion (L-PBF) has become a novel process for overcoming the limitations of the alloy (i.e., low formability), owing to the high degree of design freedom for the geometry of products having outstanding performance used in high-tech applications. In this study, to investigate the effect of bulk shape on the microstructure and mechanical properties of L-PBFed Ti-6Al-4V alloys, two types of samples are fabricated using L-PBF: thick and thin samples. The thick sample exhibits lower strength and higher ductility than the thin sample owing to the larger grain size and lower residual dislocation density of the thick sample because of the heat input during the L-PBF process.
O. H. Nam;K. H. Ha;J. S. Kwak;Lee, S.N.;Park, K.K.;T. H. Chang;S. H. Chae;Lee, W.S.;Y. J. Sung;Paek H.S.;Chae J.H.;Sakong T.;Kim, Y.;Park, Y.
한국재료학회:학술대회논문집
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한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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pp.20-20
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2003
We developed 30 ㎽-AlInGaN based violet laser diodes. The fabrication procedures of the laser diodes are described as follows. Firstly, GaN layers having very low defect density were grown on sapphire substrates by lateral epitaxial overgrowth method. The typical dislocation density was about 1-3$\times$10$^{6}$ /$\textrm{cm}^2$ at the wing region. Secondly, AlInGaN laser structures were grown on LEO-GaN/sapphire substrates by MOCVD. UV activation method, instead of conventional annealing, was conducted to achieve good p-type conduction. Thirdly, ridge stripe laser structures were fabricated. The cavity mirrors were formed by cleaving method. Three pairs of SiO$_2$ and TiO$_2$ layers were deposited on the rear facet for mirror coating. Lastly, laser diode chips were mounted on AlN submount wafers by epi-down bonding method. The lifetime of the laser diodes was over 10,000 hrs at room temperature under automatic power controlled condition. We expect the performance of the LDs to be improved by the optimization of the growth and fabrication process. The detailed characteristics and important issues of the laser diodes will be discussed at the conference.
AlN 단결정은 넓은 밴드갭(6.2 eV), 높은 열 전도도($285W/m{\cdot}K$), 높은 비저항(${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), 그리고 높은 기계적 강도와 같은 장점들 때문에 차세대 반도체 적용을 위한 많은 흥미를 끈다. 벌크 AlN 단결정 또는 박막 템플릿(template)들은 주로 PVT(Physical vapor transport)법, 플럭스(flux)법, 용액 성장(solution growth)법, 그리고 증기 액상 증착(HVPE)법에 의해 성장된다. 단결정이 성장하는 동안에 발생하는 결함들 때문에 상업적으로 어려움을 갖게 된 이후로 결함들 분석을 통한 결정 품질 향상은 필수적이다. 격자결함 밀도(EPD)분석은 AlN 표면에 입자간 방위차와 결함이 존재하고 있는 것을 보여준다. 투과전자현미경(TEM)과 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전체적인 결정 퀄리티와 다양한 결함의 종류들을 연구하는데 사용된다. 투과전자현미경(TEM)관찰로 AlN의 형태가 적층 결함, 전위, 이차상 등에 의해 크게 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 또한 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전위의 생성을 유도하는 성장 결함으로서 AlN의 zinc blende 폴리모프(polymorph)가 존재하고 있는 것을 나타내고 있었다.
Recently, a patterned sapphire substrate (PSS) has been intensively used as one of the effective ways to reduce the dislocation density for the III-nitride epitaxial layers aiming for the application of high-performance, especially high-brightness, light-emitting diodes (LEDs). In this paper, we analyze the growth kinetics of the atoms and crystalline quality for the undopped-GaN depending on the facets of the pattern fabricated on a sapphire substrate. The effects of the PSS on the device characteristics of InGaN/GaN LEDs were also investigated. Several GaN samples were grown on the PSS under the different growth conditions. And the undoped-GaN layer was grown on a planar sapphire substrate as a reference. For the (002) plane of the undoped-GaN layer, as an example, the line-width broadening of the x-ray diffraction (XRD) spectrum on a planar sapphire substrate is 216.0 arcsec which is significantly narrower than that of 277.2 arcsec for the PSS. However, the line-width broadening for the (102) plane on the planar sapphire substrate (363.6 arcsec) is larger than that for the PSS (309.6 arcsec). Even though the growth parameters such as growth temperature, growth time, and pressure were systematically changed, this kind of trend in the line-width broadening of XRD spectrum was similar. The emission wavelength of the undoped-GaN layer on the PSS was red-shifted by 5.7 nm from that of the conventional LEDs (364.1 nm) under the same growth conditions. In addition, the intensity for the GaN layer on the PSS was three times larger than that of the planar case. The spatial variation in the emission wavelength of the undoped-GaN layer on the PSS was statistically ${\pm}0.5\;nm$ obtained from the photoluminescence mapping results throughout the whole wafer. These results will be discussed in terms of the mixed dislocation depending on the facets and the period of the patterns.
근위 상완골 골절은 골절의 형태에 따라 크게 관절편 또는 해부학적 경부, 대 결절, 소 결절, 상완골 간부 또는 외과적 경부의 4개의 골절편으로 나눌 수 있다. 현재 널리 사용되고 있는 Neer의 근위 상완골 골절의 분류는 골절선에 의해 골절편을 나누는 분류가 아니며, 1 cm이상전이나 45$^{\circ}$ 이상의 각형성 이 있는 경 우를 전 이 골절편으로 생각하였다. 골절에 대한 관혈적 정 복 및 내고정술의 일차적 적응증은 골다공증이 없는 젊은 환자에서 발생된 튼튼한 내고정물을 시행할 수 있는 삼분 골절로 만족할 만한 결과를 위해 술후 오랜 기간동안 시행할 재활치료에 잘견딜수 있는 활동력 이 좋은 환자여야 한다. 수술적 치료의 절대적 적응증은 개방성 골절 ,혈관이 나 신경 손상이 동반될 때 , 정복이 불가능한 골절 탈구등이다. 반대로 환자가 골다공증이 심하거나, 근위 상완 골절편의 분쇄정도가 심하며 , 튼튼한 내고정을 시행할 가능성 이 희박한 나이가 많은 경 우에는 관혈적 정복 및 내고정술보다 일차적 인공삽입물을 이 용한 관절성형 술을 시행한 후 조기 재활 치료를 시행하는 것을 고려할 수 있다. 상완골 근위부 골절의 수술적 요법에는 다양한 수술 기법과 이에 따른 여러 합병증이 발생할 수 있으며 지속적 이고 체계적 인 재활 치 료가 꼭 필요하다. 여러 수술 기 법 중 관혈적 정복 및 장력 대 강선 기법을 시행할 때 만족할 만한 결과를 얻 을 수 있다. 이 방법 은 수술적 기법이 어렵지 않고, 골에 대한 고정과 함께 회전근 개의 건부착 부위에 대한 봉합을 추가할 수 있으나 역시 여러 가지 합병증이 있으므로 골절의 양상이 나 환자의 상태 ,환자의 활동력 등을 고려하여 치료 방법을 결정하여야 할것으로 사료된다.EX>46N으로, 슬개건-티타늄 간섭나사군이평균 1067.4$\pm$145N에서평균 601.8$\pm$134N으로, 슬개건-생체흡수성간섭나사군이평균 987.1$\pm$168N에서588.7$\pm$124N으로각각40$\%$, 39$\%$, 50$\%$, 24$\%$, 44$\%$, 40$\%$가감소하였다. 결론: 수술후초기고정력은슬괵건을LA나사(R) 또는Semifix(R)로고정하는방법과슬개건을티타늄및생체흡수성간섭나사로고정하는방법등이우수하였으며, 슬괵건을생체흡수성간섭나사나Endobutton(R)으로 고정하는 방법 등은고정력이 상대적으로매우약함을 알수있었다. 최대인장력은단순인장검사로는이상의대퇴골측고정방법의고정력이초기부하를견뎌내는데충분하다고생각되었으나주기성부하실험후현저히감소되어충분한초기안정성을제공하지못함을알수있었다.를 나타내었다. 또한 3m깊이에서의 측방 선량분포에서 Spoiler의 거리변화(6, 10cm)는 심부선량의 변화에 영향을 주지 않는 것으로 확인할 수 있었다. 그리고 위의 실험측정치를 치료계획 시스템에 입력하여 선량분포를 확인한 결과 Spoiler를 사용하는 경우 OPEN에 비해 선량분포 영역을 표면으로 끌어 올릴 수 있으며 Bolus 보다 피부 보호효과는 어느 정도 유지가 되는 것을 보여주었다. 4.결론 이와 같이 Spoiler는 Bolus와 비교하여 6MV 광자선의 build up 영역을 표면으로 증가시키는 동시에 Skin Sparing(피부보호)효과를 유지할 수 있으며 두경부암의 치료에서 Spoiler의 사용이 가능한 조건으로는 조사면이
형석$(CaF_2)$ 단결정 내부에 형성되는 다양한 결함에 대하여 현미경관찰, 성분분석 및 투과율분석을 하고 광투과에 미치는 영향을 고찰하였다. 내부 cavity의 종류로는 bubble과 결정면을 포함하는 공공형태의 negative crystals이 있으며, 특히 negative crystals이 결정에 고루 퍼져있는 경우, UV-Visible 파장영역에서 약 3%의 투과율 저하현상이 나타났다. 또한, 결정내부의 석출물은 주로 내부 cavite에 형성됨을 WDX 분석을 통하여 확인할 수 있었다. Violet colored 결정은 non-colored 결정에 비하여 전위밀도가 3배 정도 높았고, 성분분석 F이온이 적은 Ca와 F의 원자비가 나타내었다. 이러한 결과로 F이온의 부족으로 인하여 형성된 violet 색상이 발생되었음을 간접적으로 알 수 있었다.
Objective : Craniovertebral junctional anomalies constitute a technical challenge. Surgical opening of atlantoaxial joint region is a complex procedure especially in patients with nuchal deformity like basilar invagination. This region has actually very complicated anatomical and functional characteristics, including multiple joints providing extension, flexion, and wide rotation. In fact, it is also a bottleneck region where bones, neural structures, and blood vessels are located. Stabilization surgery regarding this region should consider the fact that the area exposes excessive and life-long stress due to complex movements and human posture. Therefore, all options should be considered for surgical stabilization, and they could be interchanged during the surgery, if required. Methods : A 53-year-old male patient applied to outpatients' clinic with complaints of head and neck pain persisting for a long time. Physical examination was normal except increased deep tendon reflexes. The patient was on long-term corticosteroid due to an allergic disease. Magnetic resonance imaging and computed tomography findings indicated basilar invagination and atlantoaxial dislocation.The patient underwent C0-C3-C4 (lateral mass) and additional C0-C2 (translaminar) stabilization surgery. Results : In routine practice, the sites where rods are bound to occipital plates were placed as paramedian. Instead, we inserted lateral mass screw to the sites where occipital screws were inserted on the occipital plate, thereby creating a site where extra rod could be bound.When C2 translaminar screw is inserted, screw caps remain on the median plane, which makes them difficult to bind to contralateral system. These bind directly to occipital plate without any connection from this region to the contralateral system.Advantages of this technique include easy insertion of C2 translaminar screws, presence of increased screw sizes, and exclusion of pullout forces onto the screw from neck movements. Another advantage of the technique is the median placement of the rod; i.e., thick part of the occipital bone is in alignment with axial loading. Conclusion : We believe that this technique, which could be easily performed as adjuvant to classical stabilization surgery with no need for special screw and rod, may improve distraction force in patients with low bone density.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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