• 제목/요약/키워드: Diode array

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재구성 이중편파 패치 배열 안테나 설계 (Design of Reconfigurable Dual Polarization Patch Array Antenna)

  • 이원준;차영직
    • 한국항행학회논문지
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    • 제27권4호
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    • pp.463-468
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    • 2023
  • 본 논문에서는 Pin 다이오드와 결함접지구조를 이용하여 2 개의 편파(수직 편파, 우현 편파)를 전환하여 사용할 수 있는 이중편파 재구성 패치 배열 안테나를 제안한다. 제안된 안테나는 정사각형 마이크로스트립 패치와 접지면에 2개의 일자형 슬롯을 대각선으로 배치하여 구현된 원형 편파 패치 안테나를 5.8 GHz의 반파장 길이인 25.8 mm 간격으로 3x3 배열하여 설계하였으며 각 안테나의 접지면에 대각선으로 배치된 슬롯에 Pin 다이오드와 커패시터를 연결하여 Pin 다이오드에 직류 전압이 인가에 따른 개방/단락 스위치 동작을 통하여 편파를 전환한다. 설계 결과 수직 편파에서는 11.7 dBi, 우현 편파에서는 11.6 dBic의 이득 특성을 가지며 우현 편파에서의 축비는 1.8 dB, 수직 편파일 때 20.3 dB 를 가지고, 중앙 안테나에서 인접한 안테나의 상호결합 특성을 확인 하였을때 수직 편파에서는 최대 -20.8 dB, 우현 편파에서는 최대 -30.1 dB 이다.

4-채널 3.125-Gb/s/ch VCSEL 드라이버 어레이 (A 4-channel 3.125-Gb/s/ch VCSEL driver Array)

  • 홍채린;박성민
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권1호
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    • pp.33-38
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    • 2017
  • 본 논문에서는 채널 당 3.125-Gb/s 동작 속도를 갖는 4-채널 공통-캐소드 VCSEL 다이오드 드라이버 어레이 칩을 구현하였다. 스위칭 동작하는 메인 드라이버의 동작속도 향상을 위해, 액티브 인덕터를 사용한 전치증폭단과 이퀄라이저 기능을 탑재한 입력버퍼단으로 구성하였다. 특히 개선된 입력버퍼단의 경우, 주파수 영역의 피킹으로 대역폭 증대뿐 아니라 비교적 적은 전류로 동작하도록 설계하였다. 본 논문에서 사용한 VCSEL 다이오드는 2.2 V 순방향 전압과 $50{\Omega}$ 기생저항 및 850 fF 기생 캐패시턴스를 갖는다. 또한, 3.0 mA 변조전류 및 3.3 mA 바이어스 전류로 동작하므로, 두 개의 독립적인 전류소스로 구동 가능한 current steering 기반의 메인 드라이버를 설계하였다. 제안한 4-채널 광 송신기 어레이 칩은 $0.11-{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 칩 코어의 면적은 $0.15{\times}0.18{\mu}m^2$ 이며, 채널 당 22.3 mW 전력소모를 갖는다.

Monitoring of Environmental Arsenic by Cultures of the Photosynthetic Bacterial Sensor Illuminated with a Near-Infrared Light Emitting Diode Array

  • Maeda, Isamu;Sakurai, Hirokazu;Yoshida, Kazuyuki;Siddiki, Mohammad Shohel Rana;Shimizu, Tokuo;Fukami, Motohiro;Ueda, Shunsaku
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
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    • 제21권12호
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    • pp.1306-1311
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    • 2011
  • Recombinant Rhodopseudomonas palustris, harboring the carotenoid-metabolizing gene crtI (CrtIBS), and whose color changes from greenish yellow to red in response to inorganic As(III), was cultured in transparent microplate wells illuminated with a light emitting diode (LED) array. The cells were seen to grow better under near-infrared light, when compared with cells illuminated with blue or green LEDs. The absorbance ratio of 525 to 425 nm after cultivation for 24 h, which reflects red carotenoid accumulation, increased with an increase in As(III) concentrations. The detection limit of cultures illuminated with near-infrared LED was 5 ${\mu}g$/l, which was equivalent to that of cultures in test tubes illuminated with an incandescent lamp. A near-infrared LED array, in combination with a microplate, enabled the simultaneous handling of multiple cultures, including CrtIBS and a control strain, for normalization by the illumination of those with equal photon flux densities. Thus, the introduction of a near-infrared LED array to the assay is advantageous for the monitoring of arsenic in natural water samples that may contain a number of unknown factors and, therefore, need normalization of the reporter event.

N-GaN 접촉 전극의 크기 및 배열 변화에 따른 패드리스 수직형 발광다이오드의 구동전압의 변화에 관한 연구 (The Effects of Size and Array of N-GaN Contacts on Operation Voltage of Padless Vertical Light Emitting Diode)

  • 노호균;하준석
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제21권1호
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    • pp.19-23
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    • 2014
  • LED (Light Emitting Diode) 시장의 발전이 빠르게 이루어지고 있음에 따라 점차 고효율 LED의 필요성이 증가하고 있다. 이에 우리는 Hole Type의 Padless 신 구조 수직형 LED에서, 접촉 전극의 크기와 그 배치가 Chip의 가동 전압에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 이를 위하여 LED simulation을 통한 계산과 실제 Chip 제작을 통한 전기적 특성 평가를 하였다. 그 결과, Simulation 을 통하여 n전극의 크기가 커질수록 구동전압이 낮아짐을 확인하였고, N 전극의 형태가 확산됨에 따라서도 구동전압이 낮아짐을 확인하였다. 이러한 추세는 실제 제작한 LED Chip의 측정 결과와 비슷한 경향을 나타내었다.

파장 분할 다중화 방식을 위한 고속 레이저 다이오드 배열 모듈의 혼신해석 (Crosstalk analysis of laser-diode array modules for wavelength division multiplexing)

  • 김성일;이해영
    • 전자공학회논문지D
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    • 제34D권7호
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    • pp.71-78
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    • 1997
  • In this paper, we analyzed the crosstalk characteristics of LD array modules for WDM and improved the crosstalk levels using a screening line between access lines. From the calculation resutls, we have found that inductive crosstalk of access lines is dominant for the low impedance LD arrays with short bondwire interconnections. The proposed array interconnecton with the screening line and ouble bondwires, rduces the crosstalk level about 10dB compared to conventional interconnections using simple access lines and a single bondwire. This proposed structure also can be easily imlemented with transmission reliability.

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Planar Active Rectrodirective Array With Subharmonic Phase Conjugation Mixers

  • Kim Gi-Rae;Park Ji-Yong
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제2권3호
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    • pp.153-156
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    • 2004
  • A planar active retrodirective four-element array with subharmonic phase conjugation mixers based on anti-parallel diode pairs (APDPs) is proposed. As compared to previous phase conjugation mixers using twice RF frequency for LO frequency, the proposed conjugation mixers need only half RF frequency so that it can be easily applied for millimeter-wave applications. Receiving, transmitting, local oscillator, and intermediate frequencies are 5.79, 5.81, 2.9 GHz, and 10 MHz. Monostatic RCS and Bistatic RCS measurements at source locations of $0^{\circ},\;-20^{\circ},\;and\;28^{\circ}$ show good agreement with the calculated data.

V/UHF대역 소형다이폴 원형배열 능동안테나 설계 (Design of V/UHF band Small Dipole Circular Array Active Antenna)

  • 고지환;이철수;김강욱;조영기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.6-16
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    • 2009
  • V/UHF대 방향 탐지(DF)용에 적용하기 위하여 9개의 다이폴 소자로 구성된 원형배열 안테나를 연구하였다. 배열 안테나의 전체 크기를 줄이기 위하여 소자는 top-hat 다이폴 형태를 이용하였다. 20-1,300Mhz인 매우 넓은 주파수 범위에서 동작하기 위하여 각 다이폴 소자의 팔(arm)의 중간에 pin diode를 삽입하였다. 이런 형태의 다이폴을 이용하므로 pin diode의 on/off에 따라 다이폴의 실효 길이를 증감할 수 있다. 능동 배열 안테나는 평형 푸시풀 증폭기와 직접 연결되게 설계하므로 수신 감도를 개선할 뿐만 아니라 발룬 역할을 하였다. 그리고 능동 배열 안테나를 설계 및 제작하였고, 측정 결과를 계산 결과와 비교하여 제시하였다.

The Effect of Thermal Concentration in Thermal Chips

  • Choo, Kyo-Sung;Han, Il-Young;Kim, Sung-Jin
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회B
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    • pp.2449-2452
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    • 2007
  • Hot spots on thin wafers of IC packages are becoming important issues in thermal and electrical engineering fields. To investigate these hot spots, we developed a Diode Temperature Sensor Array (DTSA) that consists of an array of 32 ${\times}$32 diodes (1,024 diodes) in a 8 mm ${\times}$ 8 mm surface area. To know specifically the hot spot temperature which is affected by the chip thickness and a generated power, we made the DTSA chips, which have 21.5 ${\mu}m$, 31 ${\mu}m$, 42 ${\mu}m$, 100 ${\mu}m$, 200 ${\mu}m$, and 400 ${\mu}m$ thickness using the CMP process. And we conducted the experiment using various heater power conditions (0.2 W, 0.3 W, 0.4 W, 0.5 W). In order to validate experimental results, we performed a numerical simulation. Errors between experimental results and numerical data are less than 4%. Finally, we proposed a correlation for the hot spot temperature as a function of the generated power and the wafer thickness based on the results of the experiment. This correlation can give an easy estimate of the hot spot temperature for flip chip packaging when the wafer thickness and the generated power are given.

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InGaAs PD 어레이와 광섬유 격자를 이용한 준분배형 전력설비 안전진단 시스템 (A Quasi-Distributed Fiber-Optic Sensor System using an InGaAs PD Array and FBG Sensors for the Safety Monitoring of Electric Power Systems)

  • 김현진;박형준;송민호
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제24권2호
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    • pp.86-91
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    • 2010
  • 광섬유 격자를 이용한 센서 네트워크를 이용하여 준분배형 전력설비 안전진단 시스템을 구성하였다. FBG를 이용한 센서는 한 개의 라인에 복수의 센서가 설치가능하며, 전자기 노이즈에 영향을 받지 않는 특성을 가진다. 광섬유 격자에서 반사되는 파장의 신호를 분석하기 위하여 InGaAs PD 어레이와 홀로그램 회절격자를 이용하여 구조가 간단하면서도 고속의 파장복조가 가능하도록 하였다. 제안한 시스템의 정확도를 개선하기 위해 가우시안 라인피팅을 적용하였고, 높은 파장 정밀도(4[pm])와 동작 안정성을 얻을 수 있음을 확인하였다.