• 한국군사과학기술학회지
• /
• 제12권5호
• /
• pp.644-651
• /
• 2009

In this paper, the design results of a $22.5^{\circ}$ diode phase shifter for the RADANT lens and two $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$ dielectric phase shift layers for the diode phase shifter are presented. The amount of phase shift introduced by each dielectric layer depends on the thickness and the shape of the metal strip and the electrical property of the diode. The equivalent circuit model is employed to represent the dielectric phase shift layer, and the simulated result of the equival circuit model is compared with the result of the field simulation. The measured data of the fabricated $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$ dielectric phase shift layer shows about $2^{\circ}$ phase shift error.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권7호
• /
• pp.734-740
• /
• 2003

본 논문에서는 4개의 다이오드 감쇠기, 비대칭 커플드 라인 커플러, 대칭 커플드 라인 커플러 및 전력 합성기를 이용한 벡터 모듈레이터형 광대역 아날로그 위상변위기를 구현하였다. 가격, 회로의 크기 및 수동소자의 수에 그 장점이 있는 간단한 구조를 제안하였다. P-I-N 다이오드 감쇠기의 감쇠량에 따른 위상변화를 수식적으로 표현하여, 전체회로를 최적화하였다. 제작된 위상변위기는 1 GHz~3 GHz주파수 대역에서 360$^{\circ}$위상변화를 나타내며, $\pm$8.2$^{\circ}$의 최대 위상 오차 및 16$\pm$2.5 dB의 삽입 손실을 나타내었다.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제31A권6호
• /
• pp.45-52
• /
• 1994

A microwave PIN diode 4-bit phase shifter is designed in X-band. A loaded-line type is used for the 22.5$^{\circ}$ and 45$^{\circ}$ bits, and a switched-line type for the 90$^{\circ}$and 180$^{\circ}$bits. The measured results show that the phase error and average insertion loss are less than $\pm$5.4$^{\circ}$and 7.2dB, respectively, over a 9.75~10.25GHz frequency band.

• 한국전자파학회지:전자파기술
• /
• 제6권2호
• /
• pp.3-10
• /
• 1995

p-i-n 다이오드를 이용한 위상변위기를 설계하고, 그 특성을 해석하였다. 큰 위상변화는 가변선로형 위상변위기와 하이브리드 브랜치라인위상변위기로 실현하고, 작은 위상변화는 부하선로형 위상변위기로 실현하였다. 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 중심주파수 3.2GHz에서 좋은 위상변화특성이 유지됨을 확인하였고, 실제 제작된 위상변위기 특성도 이론치에 매우 근사하게 나타났다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.182-188
• /
• 1986

A method of wideband constant phase control is proposed. This can be applied to reflection type phase shifter with p-i-n diode. Using the proposed method, a microwave phase network which consists of a transmission line and reactive circuit element is suggested. By determining theproper values of design parameters, the desired wideband constant phase with different specification can easily be designed. Also, using the proposed method, the parameters variation, and 1.1 dB of insertion loss in the range of 12% bandwidth.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제13권2호
• /
• pp.123-129
• /
• 2002

5-bit 광대역 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 위상 변위기를 설계 및 제작하였다. 광대역 동작 특성을 위해서 11.25$^{\circ}$, 22.5$^{\circ}$, 45$^{\circ}$, 90$^{\circ}$ bit는 Lange 커플러를 이용한 reflection 형태로 설계되었으며, 180 $^{\circ}$bit 는 Lange 커플러를 사용한 shorted coupled line과 전송선을 $\pi$-network 형태로 만든 구조를 이용하여 구현되었고, Lange 커플러로 인한 전체 회로의 크기가 커지는 것을 막기 위해서 커플러를 크게 구부려 회고의 크기를 작게 하였다. 또한 손실이 작은 PIN 다이오드를 사용하여 각 bit에서 스위치로 사용하였다. 제작된 5-bit 광대역 위상 변위기는 5개의 주요 위상에 대하여 RMS 위상 오차 3.5$^{\circ}$, 최대 삽입손실 12.5 dB, 최대 입.출력 반사 손실 7 dB와 10 dB의 측정결과를 되였다. 제작된 위상 변위기 회로의 크기는 6.5$\times$5.3 $ extrm{mm}^2$ 이다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권5호
• /
• pp.521-526
• /
• 2003

본 논문에서는 Ka-band에 대한 반사형 아날로그 위상변화기의 설계 및 제작결과를 기술하였다. 큰 위상 변화를 가지기 위해서 병렬의 GaAs hyperabrupt junction 바랙터 다이오드와 리액턴스 정합 방법을 사용하였으며 이론적인 설계공식도 도출하였다. Ka-band에서는 조립과정도 중요하며 조립과정중 발생할 수 있는 기생성분을 최소화하기 위한 조립절차도 포함하였다. 제작결과는 Ka-Band에서 기존 것보다 큰 220$^{\circ}$$\pm$7$^{\circ}$ 가변의 위상변화와 삽입손실이 5 dB$\pm$1 dB를 가진 우수한 성능의 측정된 결과를 얻었다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국통신학회 1984년도 추계학술발표회논문집
• /
• pp.19-21
• /
• 1984

A design of digital loaded-line phase shifter circuits with PIN Diode is presented. A computer program showes that any phase difference which is satisfied with the condition of minimun VSWR can be obtained with variable stub length and spacing between stubs. A 30 phase bit is designed and measured at 3Gh. Experimental and theoretical performance are compared and found to be in good agreement.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제22권1호
• /
• pp.114-124
• /
• 2011

본 논문에서는 2 GHz 선형 위상 천이 특성을 갖는 위상천이기를 설계 및 제작하여 보였다. 소형의 위상 천이기 구현을 위해 집중소자로 구성된 전통과 회로망(all pass network)을 기반으로 위상천이기를 구성하고, 박막세라믹 공정을 이용하여 제작하였다. 또한, 선형의 위상 천이 특성을 얻기 위해 버랙터(varactor) 다이오드에 직렬 커패시터를 연결하여, 전압에 대한 커패시턴스를 선형화함으로써 비선형성을 개선하였다. 전통과 회로망에 나타나는 인덕터는 스파이럴 인덕터로 구현하고, 이를 다이오드 바이어스 회로에 활용하여 $4\;mm{\times}4\;mm$ 면적을 가지는 소형 위상천이기를 구성할 수 있었다. 또한, 온-웨이퍼(on wafer)로 측정을 위해 입출력은 CPW(Coplanar Waveguide) 형상으로 구현하였으며, 제작된 위상천이기는 버랙터 조정 전압 0~5 V에 대하여, 2 GHz에서 삽입 손실은 약 4.2~4.7 dB, 위상 변화량은 약 $79^{\circ}$였으며, 예상한대로 선형 위상 천이 특성을 보였다.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제40권9호
• /
• pp.392-397
• /
• 2003

Lange 커플러를 이용한 반사구조 위상변위기는 광대역에서 위상변이를 얻는데 사용되는 회로이다. 이런 5-비트 반사구조에서 33.75°는 대개 11.25°와 22.5°를 동시에 "on"시켜서 얻는 방법이 사용되어져 왔다. 본 논문은 33.75° 위상특성을 개선하기 위하여 GaAs PM 다이오드와 리액티브 부하로 구성된 별도의 회로를 제안하였으며 MMIC로 구현하였다. 2-6 GHz에서 제안된 회로는 기 발표 논문에 비하여 33.75°를 기준으로 할 때 평균 4.7° 개선된 특성을 얻었다. 기존 회로와 비교할 때 삽입손실 및 반사손실은 거의 변화가 없었다.