The present study evaluated the microstructures and mechanical properties of severely deformed Ni-30Cr alloys. Cross-roll rolling (CRR) process was introduced as a severe plastic deformation (SPD), and Ni-30Cr alloy sheets were cold rolled to 90% thickness reduction and subsequently annealed at $700^{\circ}C$ for 30 min to obtain the recrystallized microstructure. Electron back-scattering diffraction (EBSD) was introduced to analyze grain boundary character distributions (GBCDs). The application of CRR to the Ni-30Cr alloy was effective in enhancing the grain refinement through heat treatment; consequently, the average grain size was significantly refined from $33{\mu}m$ in the initial material to $0.6{\mu}m$. This grain refinement directly improved the mechanical properties, in which yield and tensile strengths significantly increased relative to those of the initial material. We systematically discuss the grain refinement and accompanying improvement of the mechanical properties, in terms of the effective strain imposed by CRR relative to conventional rolling (CR).
Journal of the Society of Naval Architects of Korea
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v.46
no.5
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pp.536-544
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2009
The performance of radars operated near an offshore wind farm region may be degraded due to the distorted signals by wind turbines. This degradation of radar systems includes ghost effects and doppler effects by a tower, nacelle, and turbine blades consisting of the wind turbine. In this paper, electromagnetic wave backscatterings from a offshore wind turbine are numerically simulated in terms of temporal radar cross section and radar cross section spectra, using a quasi-static approach based on physical optics and physical theory of diffraction. The simulations are carried out at 3.05 GHz for the seven yaw angles and four blade pitch angles. From the results, radar cross section values and doppler effect as turbine blades rotate are investigated.
The diffraction of waves by three bottom fixed vertical circular cylinders is investigated by using the boundary element method. This method has been successfully applied to the isolated vertical circular cylinder and now is used to study the interaction between waves and multiple vertical cylinders. In this paper, a numerical analysis by the boundary element method is developed by the linear potential theory. The numerical analysis by the boundary element method is based on Green's second theorem and introduced to an integral equation for the fluid velocity potential around the vertical circular cylinders. To verify this method, the results obtained in present study are compared with the results computed by the multiple scattering method. The results of the comparisons show strong agreement. Also in this paper, several numerical examples are given to illustrate the effects of various parameters on the wave exciting force such are the separation distance, the wave number and the incident wave angle. This numerical computation method might be used broadly for the design of various offshore structures to be constructed in the future.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.29-29
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1999
The synthesis of layered structures on the nanometer scale has become essential for continued improvements in the operation of various electronic and magnetic devices. Abrupt metal-metal interfaces are desired for applications ranging from metallization in semiconductor devices to fabrication of magnetoresistive tunnel junctions for read heads on magnetic disk drives. In particular, characterizing the interface structure between various transition metals (TM) and aluminum is desirable. We have used the techniques of MeV ion backscattering and channeling (HEIS), x-ray photoemission (ZPS), x-ray photoelectron diffraction(XPD), low-energy ion scattering (LEIS), and low-energy electron diffraction(LEED), together with computer simulations using embedded atom potentials, to study solid-solid interface structure for thin films of Ni, Fe, Co, Pd, Ti, and Ag on Al(001), Al(110) and Al(111) surfaces. Considerations of lattice matching, surface energies, or compound formation energies alone do not adequately predict our result, We find that those metals with metallic radii smaller than Al(e.g. Ni, Fe, Co, Pd) tend to form alloys at the TM-Al interface, while those atoms with larger atomic radii(e.g. Ti, Ag) form epitaxial overlayers. Thus we are led to consider models in which the strain energy associated with alloy formation becomes a kinetic barrier to alloying. Furthermore, we observe the formation of metastable fcc Ti up to a critical thickness of 5 monolayers on Al(001) and Al(110). For Ag films we observe arbitrarily thick epitaxial growth exceeding 30 monolayers with some Al alloying at the interface, possible driven by interface strain relief. Typical examples of these interface structures will be discussed.
The structural evolution of $Ni(400\;\AA)/Au(400\;\AA)$ films on p-type GaN during thermal oxidation in ai. was investigated by in situ x-ray scattering experiments. These results indicate that Ni layer and Au layer intermix during thermal oxidation. Au-rich solid solutions containing the different amount of Ni atoms are formed during oxidation. The Ni atoms in Au-rich solid solution out-diffuse as the oxidation proceeds resulting in the formation of NiO(111) phase. Despite of the complete oxidation at $650^{\circ}C$, the position of bulk Au(111) diffraction profile indicates that small amount of Wi atoms are still incorporated in the Au phase.
This study investigated the crystal growth, crystalline structure and the basic optical properties of $SnSe/BaF_2$ epilayers. The SnSe epilayer was grown on $BaF_2$(111) insulating substrates using a hot wall epitaxy(HWE) technique. It was found from the analysis of X-ray diffraction patterns that $SnSe/BaF_2$ epilayer was growing to single crystal with orthorhombic structure oriented [111] along the growth direction. Using Rutherford back scattering(RBS), the atomic ratios of the SnSe was found to be stoichiometric, almost 50 : 50. The best values for the full width at half maximum (FWHM) of the DCXRD was 163 arcsec for SnSe epilarer. The epilayer-thickness dependence of the FWHM of the DCXRD shows that the quality of the $SnSe/BaF_2$ is as expected. The dielectric function ${\varepsilon}$(E) of a semiconductor is closely related to its electronic energy band structure and such relation can be drawn from features around the critical points in the optical spectra. The real and imaginary parts(${\varepsilon}_1$ and ${\varepsilon}_2$) of the dielectric function ${\varepsilon}$ of SnSe were measured. These data are analyzed using a theoretical model known as the model dielectric function(MDF). The optical constants related to dielectric function such as the complex refractive index(n*-n+ik), absorption coefficient (${\alpha}$) and normal- incidence reflectivity (R) are also presented for $SnSe/BaF_2$.
Since major reason of disaster in coastal area is wave action, prediction of wave deformation is one of the most important problems to ocean engineers. Wave deformations are due to physical factors such as shoaling effect, reflection, diffraction, refraction, scattering and radiation etc. Recently, numerical models are widely utilized to calculate wave deformation. In this study, the mild slope equation was used in calculatin gwave deformation which considers diffraction and refraction. In order to slove the governing equation, finite element method is introduced. Even though this method has some difficulties, it is proved to predict the wave deformation accurately even in complicated boundary conditions. To verify the validity of the numerical calculation, experiments were carried out in a model harbour of rectangular shape which has mild slope bottom. The results by F.E.M. are compared with those of both Lee's method and the experiment. The results of these three methods show reasonable agreement.
This paper describes the heteroepitaxial growth of single-crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films on Si (100) wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) at 1350 oC for micro/nanoelectromechanical system (M/NEMS) applications, in which hexamethyldisilane (HMDS, Si2(CH3)6) was used as a safe organosilane single-source precursor. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the H2 carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important in obtaing a mirror-like crystalline surface. The growth rate of the 3C-SiC film in this work was 4.3 μm/h. A 3C-SiC epitaxial film grown on the Si (100) substrate was characterized by X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), reflection high energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscopy (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman scattering, respectively. These results show that the main chemical components of the grown film were single-crystalline 3C-SiC layers. The 3C-SiC film had a very good crystal quality without twins, defects or dislocations, and a very low residual stress.
The small-angle X-ray scattering (SAXS) beamline BL4C1 at the 2.5 GeV storage ring of the Pohang Accelerator Laboratory (PAL) has been in its first you of operation since August 2000. During this first stage it could meet the basic requirements of the rapidly growing domestic SAXS user community, which has been carrying out measurements mainly on various polymer systems. The X-ray source is a bending magnet which produces white radiation with a critical energy of 5.5 keV. A synthetic double multilayer monochromator selects quasi-monochromatic radiation with a bandwidth of ca. 1.5%. This relatively low degree of monochromatization is sufficient for most SAXS measurements and allows a considerably higher flux at the sample as compared to monochromators using single crystals. Higher harmonics from the monochromator are rejected by reflection from a flat mirror, and a slit system is installed for collimation. A charge-coupled device (CCD) system, two one-dimensional photodiode arrays (PDA) and imaging plates (IP) are available its detectors. The overall performance of the beamline optics and of the detector systems has been checked using various standard samples. While the CCD and PDA detectors are well-suited for diffraction measurements, they give unsatisfactory data from weakly scattering samples, due to their high intrinsic noise. By using the IP system smooth scattering curves could be obtained in a wide dynamic range. In the second stage, stating from August 2001, the beamline will be upgraded with additional slits, focusing optics and gas-filled proportional detectors.
Microwave dielectric properties of the layered and functionally graded materials (FGMs) of $Mg_{0.93}Ca_{0.07}TiO_3$ (MCT) and $(Ca_{0.3}Li_{0.14}Sm_{0.42})TiO_3$(CLST) were investigated as a function of the volume ratio of two components. Dielectric constant was decreased with an increase of the volume ratio of MCT which had a lower dielectric constant thant CLST. For the layered FGMs specimens, the difference of thermal expansion coefficients between two components induced thermal strain to dielectric layers, which was confirmed by the plot of ${\Delta}$k (X-ray diffraction peak width0 versus k (scattering vector) using the double-peak Lorentzian function, f(x). Quality factor of the specimens was affected by the thermal strain of dielectric layer, especially MCT layer. For the specimen with the volume ratio of MCT/CLST = 2, the qulaity factor of the specimen showed a minimum value due to the maximum thermal strain fo MCT layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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