Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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2006.05a
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pp.1914-1918
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2006
Recently, the importance of ocean becomes more serious. Thus, we need to construct port structures and instruments safely. Especially, we should understand the diffraction phenomenon of wave in order to construct breakwaters. To simulate diffraction of wave, parabolic mild slope equations are solved using FDM. A breakwater with an open part and an half infinite breakwater are selected for simulation. Diffraction of wave are simulated in the condition of wave angles of attack of $0^{\circ},\;30^{\circ}\;and\l;60^{\circ}$. Diffraction Coefficient and 1)Ampplitude are shown in graphics and compared with results of Penny & Price and Memos.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.12
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pp.1925-1932
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1990
In this paper, we consider the effect of diffraction due to the finite-sized aperture and propose the new correction method of errors in measurements of attenuation coefficient owing to the diffraction effect. In the existing correction method, we obtained the attenuation coefficient after correct the spectrum at each depth. However, this paper obtain the attenuation coefficient using lg-spectral difference approach and then correct errors. As a proposed method is not correction for the spectrum at each depth but the difference spectrum, we reduce the calculation. Also the correction is performed through the total frequency range, the accurate attenuation coefficient in whole bandwidth is produced.
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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2004.05a
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pp.718-723
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2004
The insertion loss of a noise barrier comes from the effects of diffraction, transmission loss, absorption coefficient and attenuation by direct propagation. The noise level after the noise barrier, differs reatly from the diffraction on the upper part of the barrier. Maekawa, furze and Anderson presented a empirical formula for calculating the diffraction of a semi infinte screen shaped noise barrier. In this syudy, Noise reduction performance software was developed for the proper design and assessment of new plastic barrier . Predicted sound pressure level from using the software is compared with the site-measurement results to verify the noise reduction performance and feasibility of prediction software for insertion loss of noise barrier.
Journal of Korean Society of Coastal and Ocean Engineers
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v.1
no.1
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pp.63-70
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1989
A numerical analysis of the wave characteristics of wave diffraction and the interference effects for a single cylinder and for two cylinders were carried out by the Boundary Element Method using constant elements. The Present investigation was limited to the diffraction of 2-dimensional linear waves by vertical impervious cylinders. Numerical model has been written to calculate the wave diffraction coefficient both on the boundary of the cylinders and at points away from it. The accuracy of the computational scheme was investigated by comparing the analytical results of the other reseraches. Good agreement was observed.
We prepared the photorefractive sol-gel glass based on organic-inorganic hybrid materials containing a charge transporting molecule, second-order nonlinear optical (NLO) chromophore, photosensitizer, and plasticizer. Carbazole and 2-{ 4-[(2-hydroxy-ethyl)-methyl-amino]-benzylidene}-malononitrile were reacted with isocyanato-triethoxy silane and the functionalized silanes were employed to fabricate the efficient photorefractive media induding 2,4,7-trinitrot1uorenone (TNF) to form a charge transfer complex. The prepared sol-gel glass samples showed a large net gain coefficient and high diffraction efficiency at a certain composition. As the concentration of photosensitizer increased, the photorefractive properties were enhanced due to an increment of charge carrier density. Dynamic behavior of the diffraction efficiency was also investigated with the concentration of the photosensitizer.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.05a
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pp.132-136
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2004
열 증착 방법을 이용하여 copper(II)-phthalocyanine(CuPc) 박막을 glass 기판 위에 제작하였다. 열처리 조건은 $150^{\circ}C$에서 후열(annealing) 처리 하는 방식과 예열하는 두 가지 방식으로 달리하였다. 제작된 박막의 전기전도도를 평가하기 위해 마이크로웨이브 근접장 효과를 이용한 근접장 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 비파괴적인 방식으로 CuPc 박막의 반사계수(reflection coefficient)를 측정하였다. CuPc 박막의 전기전도도 특성을 UV 흡수도를 통한 에너지 밴드갭의 shift 현상과 관련지어 설명하고 또한 x-ray diffraction(XRD) data를 통해 박막의 결정 특성과 비교하였다. 박막 표면 특성은 SEM(scanning microscope microscopy)을 통해 관측하였다. 열처리 조건에 따른 CuPc 박막의 전기전도도 특성은 후열 처리한 박막의 경우 예열 처리한 박막보다 전기 전도 특성이 향상되었음을 관측할 수 있었다.
This paper proposes an effective inertia coefficient (EIC) in the Morison equation for better wave-force calculations. The OC4 semi-submersible floating offshore wind turbine (FOWT) platform was considered to test the feasibility. Large diffraction at large Keulegan-Carpenter (KC) numbers and the interaction between columns can result in errors in estimating the wave force using the Morison equation with a theoretical inertia coefficient, which can be corrected by the EIC as a function of the wave period and direction. The horizontal and vertical wave forces were calculated using the Morison equation and potential theory at each column, wave period, and wave direction. The EICs of each column were then obtained, resulting in a minimal difference between the Morison inertia force and the wave excitation force by the potential theory. The EICs, wave forces, phase angles, and dynamic motions were compared to confirm the feasibility of an EIC concept under regular and random waves.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.6
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pp.63-71
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1998
In this paper, we experiment the characteristics of coupling coefficient, gain, diffraction efficiency and dependence of time determined by TWM(Two-Wave Mixing), using Fe-LiNbO$_3$ crystal(doped with 0.015Wt.%). From these results, we proposed to apply for optical memory application. The highest coupling angle of 14。 and maximum coupling coefficient of 6.9$cm^{-1}$ / are obtained at 514.5nm wavelength. Also, maximum diffraction efficiency is 54.13% when intensity ratio and writing beam incident angle are 0.1 and 14o, respectively. After fixing process, diffraction efficiency is 21.4%. As an example, we demonstrated the writing and reconstruct optical data using spatial light modualtor and angular multiplexing in most optimal condition.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.193-196
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2001
Single phase $CuInS_2$ thin film with the highest diffraction peak (112) at diffraction angle $(2\theta)$ of $27.7^{\circ}$ and the second highest diffraction peak (220) at diffraction angle $(2\theta)$ of $46.25^{\circ}$ was well made with chalcopyrite structure at substrate temperature of $70^{\circ}C$, annealing temperature of $250^{\circ}C$, annealing time of 60 min. The $CuInS_2$ thin film had the greatest grain size of $1.2{\mu}m$ and Cu/In composition ratio of 1.03. Lattice constant of a and c of that $CuInS_2$ thin film was 5.60 A and 11.12 A respectively. Single phase $CuInS_2$ thin films were accepted from Cu/In composition ratio of 0.84 to 1.3. P-type $CuInS_2$ thin films were appeared at over Cu/In composition ratio of 0.99. Under Cu/In composition ratio of 0.96, conduction types of $CuInS_2$ thin films were n-type. Also, fundamental absorption wavelength, the absorption coefficient and optical energy band gap of p-type $CuInS_2$ thin film with Cu/In composition ratio of 1.3 was 837 nm, $3.0{\times}104cm^{-1}$ and 1.48 eV respectively. When Cu/In composition ratio was 0.84, fundamental absorption wavelength, the absorption coefficient and optical energy band gap of n-type $CuInS_2$ thin film was 821 nm, $6.0{\times}10^4cm^{-1}$ and 1.51 eV respectively.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.4
no.1
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pp.7-10
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2003
Single phase CuInS$_2$ thin film with the strongest diffraction peak (112) at diffraction angle (2$\theta$) of 27.7$^{\circ}$ and the second strongest diffraction peak (220) at diffraction angle (2$\theta$) of 46.25$^{\circ}$was well made with chalcopyrite structure at substrate temperature of 70$^{\circ}C$. annealing temperature of 250$^{\circ}C$, annealing time of 60 min. The CuInS$_2$ thin film had the greatest grain size of 1.2 Um when the Cu/In composition ratio of 1.03, where the lattice constant of a and c were 5.60${\AA}$ and 11.12${\AA}$, respectively. The Cu/In stoichiometry of the single-phase CuInS$_2$thin films was from 0.84 to 1.3. The film was p-type when tile Cu/In ratio was above 0.99 and was n-type when the Cu/In was below 0.95. The fundamental absorption wavelength, absorption coefficient and optical band gap of p-type CuInS$_2$ thin film with Cu/In=1.3 were 837nm, 3.OH 104 cm-1 and 1.48 eV, respectively. The fundamental absorption wavelength absorption coefficient and optical energy band gap of n-type CuInS$_2$ thin film with Cu/In=0.84 were 821 nm, 6.0${\times}$10$^4$cm$\^$-1/ and 1.51 eV, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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