A metal-ferroelectric [SrBi$_2$Ta$_2$O$\_$9/ (SBT)-high-k-insulator(PrOx)-semiconductor(Si) structure has been fabricated and evaluated as a key part of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor-field-effect-transistor MFIS-FET memory, aiming to improve the memory retention characteristics by increasing the dielectric constant in the insulator layer and suppressing the depolarization field in the SBT layer. A 20-nm PrOx film grown on Si(100) showed both a high of about 12 and a low leakage current density of less than 1${\times}$ 10e-8 A/$\textrm{cm}^2$ at 105 MV/cm. A 400-nm SBT film prepared on PrOx/Si shows a preferentially oriented (105) crystalline structure, grain size of about 130 nm and subface roughness of 3.2 nm. A capacitance-voltage hysteresis is confirmed on the Pt/SBT/PrOx/Si diode with a memory window of 0.3V at a sweep voltage width of 12 V. The memory retention time was about 1 104s, comparable to the conventional Pt/SBT/SiO$\_$x/N$\_$y/(SiO$\_$N/)/Si. The gradual change of the capacitance indicates that some memory degradation mechanism is different from that in the Pt/SBT/SiON/Si structure.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.14
no.3
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pp.185-193
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1994
Conventional ultrasonic flaw detection system uses a large amplitude narrow pulse to excite a transducer. However, these systems are limited in pulse energy. An excessively large amplitude causes a dielectric breakage of the transducer, and an excessively long pulse causes decrease of the resolution. Using the pulse compression, a long pulse of pseudorandom signal can be used without sacrificing resolution by signal correlation. In the present work, the pulse compression technique was implemented into an ultrasonic system. Golay code was used as a pseudorandom signal in this system, since pair sum of autocorrelations has no sidelobe. The equivalent input pulse of the Golay code was derived to analyze the pulse compression system. Throughout the experiment, the pulse compression technique has demonstrated for its improved SNR(signal to noise ratio) by reducing the system's white noise. And the experimental data also indicated that the SNR enhancement was propotional to the square root of the code length used. The technique seems to perform particularly well with highly energy-absorbent materials such as polymers, plastics and rubbers.
Nano sized $(Pb_{0.5}Ca_{0.5})(Fe_{0.5}Nb_{0.5})O_3$ (PCFN) powders with the stoichiometric composition and the uniform size distribution were successfully synthesized by the metal-citrate process through the calcination of the polymeric precursor which consisted of the metal ions and the organic network. The crystallization of the initial amorphous powders began at $400{\circ}$ and completed at $700{\circ}$. The pyrochlore phase was detected caused by the dissociation of PbO above $900{\circ}$. Single phase perovskite PCFN powders with 40 nm size and uniform shape were obtained through the calcination at $700{\circ}$.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.10
no.3
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pp.158-165
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2010
This study reviewed terahertz technologies of time domain spectroscopy, T-ray imaging, and high rate wireless data transfer. The main topics of the terahertz research area were investigation of materials and package modules for terahertz wave generation and detection, and setup of the terahertz system for time domain spectroscopy(TDS), T-ray imaging and sub-THz wireless communication. In addition to Poly-GaAs film as a photoconductive switching antenna material, a table-top scale for the THz-TDS/imaging system and terahertz continuous wave(CW) generation systems for sub-THz data transfer and narrow band T-ray imaging were designed. Dielectric properties of ferroelectric BSTO($Ba_xSr_{1-x}TiO_3$) films and chalcogenide glass systems were characterized with the THz-TDS system at the THz frequency range. Package modules for terahertz wave transmitter/receiver(Tx/Rx) photoconductive antenna were developed.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.20
no.2
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pp.154-160
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2009
This paper describes a wide bandwidth RFID tag antenna design for protection of connection part between chip and antenna. A proposed tag antenna size, a resonant frequency and bandwidth are $53{\times}10{\times}1\;mm$, 900 MHz and 800 MHz($500{\sim}1,300\;MHz$) at -10 dB below, respectively. The dielectric materials with different relative permittivity such as polyethylene, glass and silicon were applied for protection of connection part between the proposed antenna and chip on the way of whole and partial housing. The measured return loss and radiation pattern agreed well with the calculation results. The read range of the proposed tag antenna without any housing and of tag antenna with housing covered over all by silicon with 3 mm thickness were observed about 5 m and 4 m, respectively.
In this paper, we present an optimization method for the single Dallenbach-layer type microwave absorbers composed of E-glass fabric/epoxy composite laminates. The composite prepreg containing carbon nanotubes (CNT) was used to control the electrical property of the composites laminates. The design technology using the genetic algorithm was used to get the optimal thicknesses of the laminates and the filler contents at various center frequencies, for which the numerical model of the complex permittivity of the composite laminate was incorporated. In the optimal design results, the content of CNT increased in proportion to the center frequency, but, on the contrary, the thickness of the microwave absorbers decreased. The permittivity and reflection loss are measured using vector network analyzer and 7 mm coaxial airline. The influence of the mismatches in between measurement and prediction of the thickness and the complex permittivity caused the shift of the center frequency, blunting of the peak at the center frequency and the reduction of the absorbing bandwidth.
In order to fabricate the piezoelectric thin film of the PZT-PNN ternary compound, the metal alkoxides were used as starting materials. The electrical and crystalline properties of the thin film were evaluated. The X- RD study shows that the crystallization of the film is optimized at $550^{\circ}C$ of sintering temperature. According to the D-E hysterisis curve, the coercive field is 28.8 kV /cm, and the remanent polariztion is $18.3\;{\mu}C/cm^{2}$. The break down voltages of the thin films are $76.0\;{\sim}\;27.0\;MV/m$. When the sintering temperature is raised, the break down voltage is lowered. As a result of measuring the C-V characteristic curve of the ternary compound piezoelectric thin film, the relative dielectric constants are 406 for the composition (50:40:10), 1084 for the composition (50:30:20), 723 for the composition (45:35:20) and 316 for the composition (40:40:20).
When the charged particle travels in transparent medium with a velocity greater than that of light in the same medium, the electromagnetic field close to the particle polarizes the medium along its path, and then the electrons in the atoms follow the waveform of the pulse which is called as Cerenkov light or radiation. This type of radiation can be easily observed in a spent fuel storage pit. In optical fibers, the Cerenkov light also can be generated due to their dielectric components. Accordingly, the radiation-induced light signals can be obtained using optical fibers without any scintillating material. In this study, to measure the intensities of Cerenkov radiation induced by gamma-rays, we have fabricated the fiber-optic Cerenkov radiation sensor system using silica optical fibers, plastic optical fibers, multi-anode photomultiplier tubes, simulated spent fuel assembly and a scanning system. To characterize the Cerenkov radiation generated in optical fibers, the intensities of Cerenkov radiation generated in the silica and plastic optical fibers were measured. Also, we measured the longitudinal distribution of gamma rays emitted from the Ir-192 isotope by using the fiber-optic Cerenkov radiation sensor system and simulated spent fuel assembly.
Kim, A-Young;Han, Seung-Ho;Kim, Jeong-Seog;Cheon, Chae-Il
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.48
no.4
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pp.307-311
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2011
Solid solutions of the (1-x)$BiFeO_3-xSrTiO_3$ ceramic system (x = 0~0.4) are explored here in attempts to obtain multiferroic properties in these systems. The polarization-electric field hysteresis, magnetization-magnetic field curves, and dielectric properties are also characterized. This solid-solution system shows a crystal structural transition from a noncentrosymmetric (R3c) structure to a centrosymmetric (Pm-3m) structure at 0.3 < x < 0.4. The solid solution ceramic shows unsaturated M-H behavior and low remanent magnetization over the composition region of 0.1 ${\leq}$ x ${\leq}$ 0.3. The $0.7BiFeO_3-0.3SrTiO_3$ system shows the largest value of $M_s$ at 0.17 emu/g and the smallest value of $H_c$ at 1.06 kOe. The P-E hysteresis curves were not saturated under an electric field as high as E = 70 kV/cm. This system is considered to have multiferroic characteristics in the composition range of 0.1 ${\leq}$ x ${\leq}$ 0.3.
Park, Tae-Gun;Lee, Sang-Hwa;Shin, Woo-Ju;Seong, Jae-Kyu;Oh, Seok-Ho;Hwang, Jae-Sang;Lee, Bang-Wook
Proceedings of the KIEE Conference
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2011.07a
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pp.1564-1565
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2011
고온 초전도(HTS) 변압기는 절연수명의 손실 없이 과부하 용량의 증가와 효율의 향상이 가능하여 기존의 변압기와는 달리 구조물의 소형화로 공간 배치가 용이하고 환경 친화적 이어서 전력시스템 운용 전반에 걸쳐 많은 이점을 제공한다. 하지만, 이러한 이점에도 불구하고 AC전압이 인가되었을 때, 교류손실에 의한 심각한 효율의 감소는 불가피하다. 따라서, HTS 변압기뿐만 아니라 고온초전도전력기기들에 대한 DC전압의 적용은 초전도상에서 전기적 저항이 거의 0이라는 큰 이점을 가지고 있기 때문에 초전도 전력기기 시스템에서 최선의 선택으로 여기어지고 있다. 그러므로 DC고온초전도 전력기기들을 개발하기 위해서는 극저온상에서의 DC 절연 특성과 같은 기초연구들이 선행 되어야 한다. 그러나, 지금까지 이 분야에 대한 연구가 많이 부족한 실정이다. 본 논문에서는 현재 초전도 전력기기의 대표적인 절연 매질인 Kraft, Kapton(Polymide)와 Nomax(Type 410)을 가지고 권선대 권선의 형상을 모의하여 DC와 AC의 절연파괴 특성의 차이점을 분석하였다. 실험의 결과로부터, 극저온상에서 각각의 절연매질에 따른 DC와 AC의 절연파괴 특성을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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