The microstructure and texture of three 316L foils of 25 ㎛ thickness, which were subjected to different manufacturing process, were systematically characterized using advance analytical techniques. Then, the electrochemical property of the 316L foils in simulated pressurized water reactor (PWR) solution was analyzed using potentiodynamic polarization. The results showed that final rolling strain and annealing temperature had evident effect on grain size, fraction of recrystallization, grain boundary type and texture distribution. It was suggested that large final rolling strain could transfer Brass texture to Copper texture; low annealing temperature could limit the formation of preferable orientations in the rolling process to reduce anisotropy. Potentiodynamic polarization test showed that all samples exhibited good corrosion performance in the simulated primary PWR solution.
This paper describes the fabrication and characteristics of CrN thin-film type pressure sensors, in which the sensing elements were deposited on SuS. 630 diaphragm by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitride atmosphere(Ar-(10%)N$_2$). The optimized condition of CrN thin-film sensing elements was thickness range of 3500$\AA$ and annealing condition(300$\^{C}$, 3 hr) in Ar-10%N$_2$ deposition atmosphere. Under optimum conditions, the CrN thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, ρ=1147.65 $\mu$Ωcm, a low temperature coefficient of resistance, TCR=186ppm/$\^{C}$ and a high temporal stability with a good longitudinal, 11.17. The output sensitivity of fabricated CrN thin-film type pressure sensors is 2.36 mV/V, 4∼20nA and the maximum non-linearity is 0.4%FS and hysteresis is less than 0.2%FS.
This paper describes the fabrication and characteristics of CrN thin-film type pessure sensors, which the sensing elements were deposited on SUS. 630 diaphragm by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitride atmosphere(Ar-(10%)N$_2$). The optimized condition of CrN thin-film sensing elements was thickness range of 3500${\AA}$ and annealing condition(300$^{\circ}C$, 3 hr) in Ar-10 %N$_2$deposition atmosphere. Under optimum conditions, the CrN thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, $\rho$=1147.65 ${\mu}$$\Omega$cm, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-186 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal, 11.17. The output sensitivity of fabricated CrN thin-film type pressure sensors is 2.36 mV/V, 4∼20 mA and the maximum non-linearity is 0.4 %FS and hysteresis is less than 0.2 %FS.
저진공 국가표준기인 초음파간섭 수은주압력계를 이용하여 두 개의 용량형 격막식 게이지와 두 개의 공진형 실리콘 게이지를 교정하였다. 용량형 격막식 게이지의 센서부는 금속으로 되어 있으므로 견고하고 과압에 잘 견딜 뿐만 아니라 우수한 분해능을 가지고 있으며, 공진형 실리콘 게이지는 우수한 안정성과 기계적인 충격에 강한 특성을 가지고 있다. 이들의 교정 불확도를 국제표준화기구에서 제정한 측정불확도 표현지침서에 따라 분석하여 비교하였으며, 그 결과 확장불확도의 최대 차이는 교정압력 100 Pa에서 $9\times10^{-3}$Pa 이었다. 또한 공진형 실리콘 게이지의 표준압력에 대한 압력비의 차이가 0.5 % 이내이었으므로 저진공 영역의 전달표준기로 사용이 가능함을 알 수 있었다.
정전용량형 후막 스트레인 게이지(piezocapacitive thick film strain gage)는 세라믹 ($Al_2O_3$)을 주 원료로 하는 지지대(약 5mm)와 다이어프램(약 $300{\mu}m$) 그리고 가드 링으로 구성된다. 전극 판은 도전성 페이스트를 이용하여 지지대와 다이어프램에 형성되었으며 극판 사이에는 유전체 메이스트를 사용하여 스크린 인쇄로 후막을 형성하였다. 극판 사이의 가드 링 두께는 약 $30{\mu}m$정도로 다이어프램의 변위 최대값을 유지시키는 데 필요한 간격이다. 따라서 정전용랑형 후막 스트레인 게이지는 지지대를 중심으로 다이어프램에 압력 (0.5~1.0bar)이 인가될 때 변위를 발생시키면서 커패시터 값이 압력의 크기에 따라 비례 특성을 가지고 변화하는 것을 이용한 것이다. 압력이 없을때 초기값은 35pF~40pF 정도이고 정격압력의 최대치를 인가시켰을 때 약 55pF~55p를 나타내었다.
본 논문에서는 압저항 효과를 이용한 Si 압력센서 제작을 최적화하였다. Si 압저항형 압력센서의 제작공정에 있어서 압저항과 알루미늄 회로 패턴 이후에 Si 이방성 식각을 통하여 수율이 개선되었다. 압저항의 위치와 공정 파라메터는 각각 ANSYS와 SUPREME 시뮬레이터를 이용하여 결정하였다. Boron-depth 프로파일 측정으로부터 p-형 Si 압저항의 두께를 측정한 결과 SUPREME 시뮬레이션으로부터 얻은 결과와 잘 부합하였다. 다이아프램을 위한 Si 이방성 식각 공정은 암모늄 첨가제 AP(Ammonium persulfate)를 TMAH(Tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액에 첨가함으로써 최적화되었다.
Top of the alumina body which is made according to plan has been printed using a screen printer equipment in order to print an electrode pattern. The electrode is connected with the quartz crystal oscillator of the piezoelectricity method which has a piezoelectric characteristic. The pressure contact department has been experimented using three type of the teflon. The teflon is good for pressure delivery vector but it is bad restitution. So we devised the structure which inserts the metal in the teflon. Bottom of the module is connected with the signal processing department which is planned in advance and then has investigated to characteristic. Therefore we have got the best output-voltage and frequency characteristic follows in the pressure.
Ventricular Assist Device(VAD) has switched its goal from a short-tenn use for bridge-to-transplantation to a long-tenn use for destination therapy, With this goal, the importance of long-tenn reliability gets more interests and importances, H-VAD is an portable extracorporeal biventricular assist device, and adopts an electro-pneumatic driving mechanism. The pneumatic pressure to pump out blood is generated with compression of bellows, and is transmitted in a closed pneumatic circuit through a pneumatic line. The existing pneumatic VAD adopts a air compressor which can generate stable pressures but has defects such as a noise and a size problem. Thus, it is not suitable for being used as a portable device, These problems are covered with adopting a closed pneumatic circuit mechanism with a bellows which has a small size and small noise generation, but it has defects that improper pneumatic setting causes a failure of adequate flow generation. In this study, the pneumatic pressure regulation system is developed to cover these defects of a bellows-type pneumatic VAD. The optimal pneumatic pressure conditions according to various afterload conditions for an optimal flow rate were investigated and the afterload estimation algorithm was developed, The final pneumatic regulation system estimates a current afterload and regulate the pneumatic pressure to the optimal point at a given afterload condition. The afterload estimation algorithm showed a sufficient performance that the standard deviation of error is 8.8 mmHg, The pneumatic pressure regulation system showed a sufficient performance that the flow rate was stably governed to various afterload conditions. In a further study, if a additional sensor such as ultrasonic sensor is developed to monitor the direct movement of diaphragm in a blood pump part, the reliability would be greatly increased. Moreover, if the afterload estimation algorithm gets more accuracy, it would be also helpful to monitor the hemodynamic condition of patients.
본 논문에서는 광 마이크로폰의 주파수 응답특성 분석을 위해 시스템을 제안하고 구현하였다. 현재 사용되어지고 있는 캐패시턴스 마이크로폰과 광섬유 전송로형 광 마이크로폰(FOM)은 낮은 지향성과 크기, 무게, 비싼 가격 등에서 단점을 나타내고 있다. 반면 제안된 광 마이크로폰은 저가의 소자로 구성할 수 있으며, 소형, 경량화, 높은 지향성 등의 장점을 갖는다. 본 논문에서 제안하는 광 마이크로폰의 헤드 부는 인가된 음압에 따라서 전후로 움직이게 되어있으며, 반사판이 부착되어 있는 형태로 구성되어 있다. 광 헤드와 진동판사이의 거리를 변화시켜가며 응답특성을 측정하여 선형성과 민감도가 최대인 지점을 동작 점으로 결정하였다. 컴퓨터 기반 음향 측정/분석 프로그램인 Smaart Live와 USBPre를 사용하여 음향 신호의 주파수를 변화시켜 가며 구현한 광 마이크로폰의 광전 변환된 신호의 출력을 측정하였으며, 기존의 캐패시턴스 마이크로폰과 비교 분석하였다. 측정된 광 마이크로폰은 비교 콘덴서 마이크로폰과 거의 동일한 출력 특성을 나타내었으며, 주파수 대역폭은 약 ${\pm}3$[dB] 이내에서 300[Hz]-3[kHz] 정도의 성능을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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