Objectives: This paper aims to investigate the seasonal deposition characteristics of water-soluble ion species by comparing the deposition amount of two samples taken according to different sampling methods of deposition for ambient aerosol such as gases and particulate matters. Methods: Deposition samples were collected using two deposition gauges in the downtown area of Iksan City over approximately two weeks of each season in 2004. The type of deposition gauges consisted of two different sampling methods known as dry gauge and a wet gauge. The dry gauge was empty and used a dry PE bottle with an inlet diameter of 9.6 cm. Before the beginning of each deposition sampling, a volume of 30-50 ml distilled ionized water was added to the wet gauge to wet the bottom during the sampling period. Deposition samples were measured twice per day and analyzed for inorganic water-soluble ion species using ion chromatography. Results: The daily deposition amounts of all measured ions in the dry gauge and the wet gauge showed a significant increase when precipitation occurred, having no difference of deposition amount between in the wet gauge and in the dry gauge. By excluding two samples from rainy days during the sampling period, the mean daily deposition of all ions in dry gauge and wet gauge were $6.58mg/m^2/day$ and $18.16mg/m^2/day$, respectively. The mean deposition amounts of each ion species were higher in the wet gauge than in the dry gauge because of the surface difference of the sampling gauge, especially for $NH_4{^+}$ and ${SO_4}^{2-}$. The mean deposition amounts of $NH_4{^+}$ and ${SO_4}^{2-}$ in the wet gauge were found to be about 15.4 times and 5.2 times higher than that in dry gauge, with a pronounced difference between spring and summer, while the remaining ion species were 1.1-2.0 times higher in the wet gauge than in the dry gauge. Dominant species in the dry gauge were $Ca^{2+}$ and $NO_3{^-}$, accounting for 36.4% and 18.1% of the total ion deposition, whereas those in the wet gauge were $NH_4{^+}$ and ${SO_4}^{2-}$, accounting for 32.5% and 25.0% of the total ion deposition, respectively. Conclusion: The seasonal differences in deposition amounts of water-soluble ion species in ambient aerosol depending on the two types of different sampling methods were identified. This suggests that the removal of ambient aerosol is strongly influenced by the weather conditions of each season as well as the condition of earth's surface, such as dry ground and water.
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.14
no.5
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pp.465-478
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1998
In this study, seasonal variations of the dry deposition velocity and deposition flux for the sulfur dioxide were analysed. The field observation was performed during one year (from November 1, 1995 to October 31, 1996) in Chunchon basin. The turbulence data were measured by 3-dimensional sonic anemometer/thermometer, and were estimated by mean meteorological data obtained at two heights (2.5 m and 10 m) of meteorological tower. Also, the estimation methods were evaluated by comparing the turbulence data. The results showed that the estimated dry deposition velocity and turbulence parameter such as uc and sensible heat flux using mean meteorological data were relatively similar to the sonic measurements, but all showed somewhat large differences. The dry deposition velocity was large in summer and small in winter mainly due to canopy resistance (rc). The major factor which affects diurnal variation of the velocity was aerodynamic resistance (rw). The SO2 dry deposition flux was large in winter and small in summer in Chunchon.
Statement of problem. Relatively low success rate of root analogue implant system was supposed to be due to the time duration between extraction and implant installation. The use of three-dimensional computer tomography and the reconstruction of objects using rapid prototyping methods would be helpful to shorten this time. Purpose. This aim of this study was to evaluate the application possibility of the 3-dimensional computer tomography and the rapid prototyping to root analogue implants. Material and methods. Ten single rooted teeth were prepared. Width and height of the teeth were measured by the marking points. This was followed by CT scanning, data conversion and rapid prototyping model fabrication. 2 methods were used; fused deposition modelling and stereolithography. Same width and height of this models were measured and compared to the original tooth. Results. Fused deposition modelling showed an enlarged width and reduced height. The stereolithography showed more exact data compared with the fused deposition modelling. Smaller standard deviation were recorded in the stereolithographic method. Overall width error from tooth to rapid prototyping was 7.15% in fused deposition modelling and 0.2% in stereolithography. Overall height showed the tendency of reducing dimensions. Conclusion. From the results of this study, stereolithography seems to be very predictable method of fabricating root analogue implant.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.528-531
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2000
Deposition of PZT with UV laser ablatio was applied for realization of thin film sensors and actuators. Deposition rate of more than 20nm/min was attained by pulsed KrF excimer laser deposition, which is fairly better than those obtained by the other methods. Perovskite phase was obtained at room temperature deposition with Fast Atom Beam(FAB) treatment and annealing. Smart MEMS(Micro electro-mechanical system) is now a suject of interest in the field of micro optical devices, micro pumps, AFM cantilever devices etc. It can be fabricated by deposition of PZT thin films and micromachining. PZT films of more than 1 micron thickness is difficult to obtain by conventional methods. This is the reason why we applied excimer laser ablation for thin film deposition. The remanent polarization Pr of 700nm PZT thin film was measured, and the relative dielectric constant was determined to about 900 and the dielectric loss tangent was also measured to be about 0.04. XRD analysis shows that, after annealing at 650 degrees C in 1 hour, the perovskite structure would be formed with some amount of pyrochlore phase, as is the case of the annealing at 750 degrees C in 1 hour.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.7
no.4
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pp.128-134
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2008
Models of the deposition heights in the uncontrolled laser aided direct metal deposition process are constructed for the enhancement of the process integrity. Linear and non-linear statistical models as well as fuzzy model are utilized as the modeling methods. The predictability of the models are evaluated with the values of the sum of square error. The algorithm to use the models in the feedback controlled system is suggested to increase the deposition height accuracy within a layer.
An, Jaeyoung;Kim, Heesu;Oh, Jungmin;Han, Sooyong;Yu, Jeseol
Analytical Science and Technology
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v.33
no.2
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pp.108-114
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2020
Gloves are very important evidence at a crime scene; specifically, rubber gloves can be found easily at homes. Therefore, crime scene investigators attempt to develop fingerprints inside the rubber gloves that are discovered, for identifying unknown suspects. This study compared the effectiveness of three different methods that are used for developing latent prints on gloves with aging time. These were the powder, cyanoacrylate fuming, and multi-metal deposition I methods. The powder method achieved good results for 1-3 days of aged prints, and the cyanoacrylate fuming method worked well on 2-week-old prints. In comparison, multi-metal deposition I method developed good quality fingerprints for 6 weeks of aging time.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.2
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pp.108-111
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2011
The semiconducting material of ZnO in II-VI group was well known as its good application for photo electronics, chemical sensors and field effect transistors due to the remarkable optical properties with wide energy band gap and great ionic reactivities. Up to now the growth of a good quality of ZnO film has been issued for better performances. Even though there were many deposition methods for making ZnO films, pulse laser deposition methods have been preferred for high crystalline films. In this report, the ZnO film was also created by pulsed laser deposition technique which also showed high crystalinity. By controlling several factors when deposited, it was investigated that the optimal condition for ZnO film formation. Mainly, oxygen partial pressures and growth temperatures were changed when ZnO films were synthesized and followed the characterization by HRXRD and AFM.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.369-369
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2012
The present work deals with selective deposition of copper on fluoropolymers patterned silicon (111) surfaces. The pattern of fluoropolymer was fabricated by nanoimprint lithography (NIL) and plasma reactive ion etching (RIE) was used to remove the residuals layers. Copper was electrochemically deposited in bare Si regions which were not covered with fluoropolymers. The patterns of fluoropolymers and copper have been investigated by scanning electron microscopy (SEM). In this work, we used two deposition methods. One is galvanic displacement method and another is electrodeposition. Selective deposition works in both cases and it shows applicability to other materials. By optimization of the deposition conditions can be achieved therefore this process represents a simple approach for a direct high resolution patterning of silicon surfaces.
Eun Hyeong Kim;Yoon Hee Choi;Hyeon Ji Jeon;Woo Hyeok Jang;Garam Kim
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.23
no.2
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pp.87-91
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2024
SiO2, renowned for its excellent insulating properties, has been used in the semiconductor industry as a valuable dielectric material. High-quality SiO2 films find applications in gate spacers and interlayer insulation gap-fill oxides, among other uses. One of the prevalent methods for depositing these SiO2 films is plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) favored for its relatively low processing costs and ability to operate at low temperatures. However, compared to the increasingly utilized atomic layer deposition (ALD) method, PECVD exhibits inferior film characteristics such as uniformity. This study aims to produce SiO2 films with uniformity as close as possible to those achieved by ALD through the adjustment of PECVD process parameters. we conducted a total of nine PECVD processes, varying the process time and gas flow rates, which were identified as the most influential factors on the PECVD process. Furthermore, ellipsometry analysis was employed to examine the uniformity variations of each process. The experimental results enabled us to elucidate the relationship between uniformity and deposition rate, as well as the impact of gas flow rate and deposition time on the process outcomes. Additionally, thickness measurements obtained through ellipsometer facilitate the identification of optimal process parameters for PECVD.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.132-132
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2011
For the programming volume of PRAM, Ge2Sb2Te5(GST) thin films have been dominantly used and prepared by physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD). Among these methods, ALD is particularly considered as the most promising technique for the integration of PRAM because the ALD offers a superior conformality to PVD and CVD methods and a digital thickness control precisely to the atomic level since the film is deposited one atomic layer at a time. Meanwhile, although the IST has been already known as an optical data storage material, recently, it is known that the IST benefits multistate switching behavior, meaning that the IST-PRAM can be used for mutli-level coding, which is quite different and unique performance compared with the GST-PRAM. Therefore, it is necessary to investigate a possibility of the IST materials for the application of PRAM. So far there are many attempts to deposit the IST with MOCVD and PVD. However, it has not been reported that the IST can be deposited with the ALD method since the ALD reaction mechanism of metal organic precursors and the deposition parameters related with the ALD window are rarely known. Therefore, the main aim of this work is to demonstrate the ALD process for IST films with various precursors and the conformal filling of a nano size programming volume structure with the ALD?IST film for the integration. InSbTe (IST) thin films were deposited by ALD method with different precursors and deposition parameters and demonstrated conformal filling of the nano size programmable volume of cell structure for the integration of phase change random access memory (PRAM). The deposition rate and incubation time are 1.98 A/cycle and 25 cycle, respectively. The complete filling of nano size volume will be useful to fabricate the bottom contact type PRAM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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