• 한국환경과학회지
• /
• 제26권1호
• /
• pp.47-54
• /
• 2017

We analyzed the variation in occurrence time and intensity of attacks by the rice stem borer (Chilo suppressalis Walker) on several crops. This study aimed to understand how C. suppressalis damages crops and to utilize this basic data for the establishment of environment-friendly control methods like pheromone traps. This study surveyed the changes in occurrence patterns of C. suppressalis, biological characteristics of overwintering larvae, and the efficacy of different types of pheromone traps the years. We found similar occurrence patterns of C. suppressalis in different crops. In addition, occurrence time of the first generation was advanced. Overwintering larvae showed no difference in pupal period and weight compared to the non-overwintering ones. However, the larval period was reduced to 19.1 days in Miscanthus field, in contrast to that in the paddy fields. It was confirmed that larvae of C. suppressalis generally prefer the lower part of the stems of Miscanthus. Efficiency of the emergence trap was confirmed to be greater than that of the delta trap for capturing C. suppressalis adults. However, it is necessary to adjust the control period because of the advancement in occurring time of C. suppressalis in recent years. The larvae of C. suppressalis experience favorable environmental conditions for overwintering in Miscanthus fields. The major Miscanthus fields are generally located in the areas protected for sources of drinking water, owing to which spraying of chemical pesticides is very limited. The results of this study provide important inputs for the development of environment-friendly control methods.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.411-414
• /
• 1999

70 ${\AA}$-thick oxides nitridied at various conditions were reoxidized at pemperatures of 900$^{\circ}C$ in dry-O$_2$ ambients for 5～40 mininutes. The gate oxide interface porperties as well as the oxide substrate interface properties of MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitors with various nitridation conditions, reoxidation conditions and pure oxidation condition were investigated. We stuided I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics, $\Delta$V$\sub$g/ shift under constant current stress from electrical characteristics point of view and breakdown voltage from leakage current point of view of MOS capacitors with SiO$_2$, NO, RNO dielectrics. Overall, our experimental results show that reoxidized nitrided oxides show inproved charge trapping porperites, I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics and gate $\Delta$V$\sub$g/ shift. It has also been shown that reoxidized nitridied oxide's leakage currented voltage is better than pure oxide's or nitrided oxide's from leakage current(1${\mu}$A) point of view.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제17권6호
• /
• pp.586-591
• /
• 2004

We studied the dependence of hot-tarrier-induced degradation characteristics on nitrogen concentration in NO(Nitrided-Oxide) gate of nMOS, under ac and dc stresses. The $\Delta$V$_{t}$ and $\Delta$G$_{m}$ dependence of nitrogen concentration were observed, We observed that device degradation was suppressed significantly when the nitrogen concentration in the gate was increased. Compared to $N_2$O oxynitride, NO oxynitride gate devices show a smaller sensitivity to ac stress frequency. Results suggest that the improved at-hot carrier immunity of the device with NO gate may be due to the significantly suppressed interface state generation and neutral trap generation during stress.ess.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.340-341
• /
• 2012

In this work, we investigated the effects of temperature stress on flatband voltage (VFB) shifts of HfO2-SiO2 double gate dielectrics devices. Fig. 1 shows a high frequency C-V of the device when a positive bias for 10 min and a subsequent negative bias for 10 min were applied at room temperature (300 K). Fig. 2 shows the corresponding plot when the same positive and negative biases were applied at a higher temperature (473.15 K). These measurements are based on the BTS (bias temperature stress) about mobile charge in the gate oxides. These results indicate that the positive bias stress makes no difference, whereas the negative bias stress produces a significant difference; that is, the VFB value increased from ${\Delta}0.51$ V (300 K, Fig. 1) to ${\Delta}14.45$ V (473.15 K, Fig. 2). To explain these differences, we propose a mechanism on the basis of oxygen vacancy in HfO2. It is well-known that the oxygen vacancy in the p-type MOS-Cap is located within 1 eV below the bottom of the HfO2 conduction band (Fig. 3). In addition, this oxygen vacancy can easily trap the electron. When heated at 473.15 K, the electron is excited to a higher energy level from the original level (Fig. 4). As a result, the electron has sufficient energy to readily cross over the oxide barrier. The probability of trap about oxygen vacancy becomes very higher at 473.15 K, and therefore the VFB shift value becomes considerably larger.

• 한국응용곤충학회지
• /
• 제46권3호
• /
• pp.349-356
• /
• 2007

복숭아순나방(Grapholita molesta)의 세 가지 성페로몬 성분(Z8-12:Ac, E8-12:Ac, Z8-12:OH)이 알려져 있으며, 이들은 상용화되어 해충집단 모니터링과 교미교란에 응용되고 있다. 그러나 이들 상용화 제품들을 살펴보면, 성페로몬 성분비 및 각 방출기에 들어있는 유효성분 량에서 있어서 상이했다. 본 연구는 성페로몬을 이용한 복숭아순나방 모니터링에 있어서 수컷 유인과 포획에 대한 변동을 줄 수 있는 요인들을 밝히고, 이들 요인의 최적화를 시도하였다. 이를 위해 성페로몬 성분비 및 함량, 유효방출기간 그리고 트랩 형태 및 설치높이를 분석하였다. 이상적 모니터링을 위해서는 높은 농도(96% 이상)의 Z8-12:Ac 성분이 효과적이었다. 그러나 방출기에 들어 있는 성페로몬 함량은 $0.01-1\;{\mu}g$ 농도에서 야외 설치 이후 90일 동안(6-9월) 차이가 없었다. 트랩은 델타형이 원뿔형 보다 효과적이었으며, 이 트랩의 위치는 과수의 수관부위가 수컷을 유인하는 데 이상적이었다. 이러한 이상적 모니터링 변수를 이용하여 정기적으로 화학농약살포가 이뤄지는 안동 지역의 사과농가에서 복숭아순나방을 모니터링한 결과, 4-5월에 있는 월동세대 이후 3-4회의 성충발생 피크를 감지할 수 있었다.

• 농약과학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.200-205
• /
• 2013

성페로몬(Sexual pheromone)을 이용한 교미교란(Mating disruption)으로 인한 새로운 방제법(Alternative pest control)검정을 위하여 복숭아명나방(Dichocrocis punctiferalis Guen$\acute{e}$e)을 방제하는 방법 중 하나인 페로몬 트랩을 이용하여 유인효과를 조사하였다. 델타트랩을 이용한 복숭아명나방의 유인효과가 가장 높았으며, 페로몬의 성분 (E)-10-hexadecenyl aldehyde (E10-16:A1)과 (Z)-10-hexadecenyl aldehyde (Z10-16:A1)의 비율을 다양하게 혼합한 실험에서는 75:25에서 가장 높은 유인효과를 보였다. 페로몬 성분의 국내산과 수입제품의 비교 실험에서는 성분비가 90:10일때는 유의성이 없었으나 75:25일 경우에서는 수입페로몬성분에서 유의하게 더 높은 유인효과를 보였다. 페로몬을 이용한 유인력 실험은 공주지역에서 가장 많이 채집되었다. 처리량에 따른 유인활성은 공주지역은 2.5 mg/lure, 청양은 1 mg/lure에서 가장 높은 유인활성을 보였으며, 부여에서는 페로몬의 양에 따른 큰 차이를 보이지 않았다. 본 실험결과를 이용하여 친환경적인 복숭아명나방의 방제에 대한 연구 기초자료를 제공하고 밤 재배 농가에서 해충 방제에 도움이 될 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of Information Display
• /
• 제12권4호
• /
• pp.209-212
• /
• 2011

The threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) under positive-voltage bias stress (PBS) of InGaZnO (IGZO) thin-film transistors (TFTs) annealed at different temperatures in air was investigated. The dramatic degradation of the electrical performance was observed at the sample that was annealed at $700^{\circ}C$. The degradation of the saturation mobility (${\mu}_{sat}$) resulted from the diffusion of indium atoms into the interface of the IGZO/gate insulator after crystallization, and the degradation of the subthreshold slope (S-factor) was due to the increase in the interfacial and bulk trap density. In spite of the degradation of the electrical performance of the sample that was annealed at $700^{\circ}C$, it showed a smaller ${\Delta}V_{th}$ under PBS conditions for $10^4$ s than the samples that were annealed at $500^{\circ}C$, which is attributed to the nanocrystal-embedded structure. The sample that was annealed at $600^{\circ}C$ showed the best performance and the smallest ${\Delta}V_{th}$ among the fabricated samples with a ${\mu}_{sat}$ of $9.38cm^2/V$ s, an S-factor of 0.46V/decade, and a ${\Delta}V_{th}$ of 0.009V, which is due to the passivation of the defects by high thermal annealing without structural change.

• 한국응용곤충학회지
• /
• 제47권3호
• /
• pp.255-263
• /
• 2008

왁스형 페로몬 방출기를 제작하여 사과원에 발생하는 복숭아순나빙(Grapholita molesta) 밀도를 억제하기 위한 교미교란제로 응용하였다. 아울러 이 왁스형 교미교란제의 방제효과를 극대화하기 위해 본 연구는 처리량에 따른 복숭아순나방의 교미교란 효과를 비교 분석하였다. 이때 교미교란 효과를 모니터링 페로몬 트랩 및 먹이트랩에 유인되는 누적 성충 밀도의 감소 및 기주 식물의 피해로 분석한 결과 왁스형 교미교란제 처리량에 따라 상이하게 나타났다. 개발된 왁스형 교미교란제를 기준량(350평당 120 g)으로 처리한 결과, 현재 상용화되고 있는 교미교란제($Isomate^{(R)}$)와 뚜렷한 차이 없이 복숭아순나방 밀도 억제와 과실피해 감소효과를 나타냈다. 본 연구는 또한 교미교란 처리지역 가장 자리에 먹이트랩을 배치할 경우 비처리지역에서 유입되어 오는 교미한 암컷의 이동을 막는 효과가 있는 것으로 확인하였다. 이러한 결과들로 미뤄 왁스형 페로몬 방출기는 복숭아순나방 교미교란제로 응용될 수 있으며, 과수원 주변에 배치하는 먹이트랩과 혼용하는 경우 교미교란 효과를 증진시킬 수 있을 것으로 본다.

• 한국수자원학회논문집
• /
• 제50권3호
• /
• pp.201-210
• /
• 2017

본 연구에서는 저수지에 유입된 부유사 밀도류에 의해 유사가 포집되는 현상을 모의하기 위한 수치모형을 제시하였다. 개발된 모형을 Toniolo and Schultz (2005)의 실내 실험에 적용하여, 부유사 밀도류의 전파, 하도형태의 변화, 그리고 댐에 의한 유사의 포집현상을 모의하였다. 삼각주의 전면층에서 침강된 밀도류가 빠르게 댐까지 전파된 후, 댐에 의해 차단되고 두께가 증가되어 상류로 영향을 전파하는 일련의 과정을 모의하였다. 또한, 소류사와 부유사에 의해 저수지 삼각주에서 전면층이 전진하고, 부유사에 의해 기저층의 두께가 상승하는 현상을 잘 모의하였다. 댐 취수구의 높이에 따른 밀도류의 최대 두께와 내부 도수 발생 위치를 확인하였다. 유사 포집 효율은 수치모형으로 실측 결과의 값을 적절히 모의하였으나, 실험의 한계로 인해 댐 취수구의 높이와 포집 효율과의 관계는 찾아볼 수 없었다. 수치모의 결과를 이용하여 유사 포집 효율의 민감도 분석을 수행한 결과 부유사의 입자 크기가 포집 효율에 가장 민감하게 작용하는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.215.2-215.2
• /
• 2015

We fabricated dual active layer (DAL) thin film transistors (TFTs) with indium tin zinc oxide (ITZO) and indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film layers using solution process. The ITZO and IGZO layer were used as the front and back channel, respectively. In order to investigate the bias stress stability of ITZO SAL (single active layer) and ITZO/IGZO DAL TFT, a gate bias stress of 10 V was applied for 1500 s under the dark condition. The SAL TFT composed of ITZO layer shows a poor positive bias stability of ${\delta}VTH$ of 13.7 V, whereas ${\delta}VTH$ of ITZO/IGZO DAL TFT was very small as 2.6 V. In order to find out the evidence of improved bias stress stability, we calculated the total trap density NT near the channel/gate insulator interface. The calculated NT of DAL and SAL TFT were $4.59{\times}10^{11}$ and $2.03{\times}10^{11}cm^{-2}$, respectively. The reason for improved bias stress stability is due to the reduction of defect sites such as pin-hole and pores in the active layer.