• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
• /
• pp.171-174
• /
• 2004

The stochiometric $AgGaSe_2$ polycrystalline mixture of evaporating materials for the $AgGaSe_2$ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $AgGaSe_2$ mixed crystal and semi-insulating GaAs(100) wafer were used as source material and substrate for the Hot Wall Epitaxy (HWE) system, respectively. The source and substrate temperature were fixed at $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The thickness of grown single crystal thin films is $2.1{\mu}m$. The single crystal thin films were investigated by photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD) measurement. The carrier density and mobility of $AgGaSe_2$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $4.89{\times}10^{17}\;cm^{-3},\;129cm^2/V{\cdot}s$ at 293K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the $AgGaSe_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting ${\Delta}S_o$ and the crystal field splitting ${\Delta}C_r$ were 0.1762 eV and 0.2494 eV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement of $AgGaSe_2$ single crystal thin film, we observed free excition $(E_X)$ observable only in high quality crystal and neutral bound exciton $(D^o,X)$ having very strong peak intensity And, the full width at half maximum and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 14.1 meV, respectively. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 141 meV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
• /
• pp.163-166
• /
• 2001

The stochiometric mix of evaporating materials for the $ZnGa_{2}Se_{4}$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $ZnGa_{2}Se_{4}$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $610^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $ZnGa_{2}Se_{4}$ single crystal trun films measured from Hall effect by van der Pauw method are $9.63{\times}10^{17}cm^{-3}$, $296cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c axis of the $ZnGa_{2}Se_{4}$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting $\Delta$ So and the crystal field splitting $\Delta$Cr were 251.9 meV and 183.2 meV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement on $ZnGa_{2}Se_{4}$ single crystal thin film, we observed free excition (Ex) existing only high quality crystal and neutral bound exiciton $(A^{0},X)$ having very strong peak intensity. Then, the full-width-at -half-maximum(FWHM) and binding energy of neutral acceptor bound excition were 11 meV and 24.4 meV, respectivity. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 122 meV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
• /
• pp.167-170
• /
• 2001

The stochiometric mix of evaporating materials for the $CdGa_{2}Se_{4}$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdGa_{2}Se_{4}$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CdGa_{2}Se_{4}$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{17}cm^{-3},345cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c-axis of the $CuInSe_{2}$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting $\Delta$ So and the crystal field splitting $\Delta$Cr were 106.5 meV and 418.9 meV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement on $CdGa_{2}Se_{4}$ single crystal thin film, we observed free excition (Ex) existing only high Quality crystal and neutral bound exiciton $(D^{0},X)$ having very strong peak intensity. Then, the full-width-at-half-maximum(FWHM) and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 13.7 meV, respectivity. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 137 meV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.163-166
• /
• 2001

The stochiometric mix of evaporating materials for the ZnGa$_2$Se$_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, ZnGa$_2$Se$_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 61$0^{\circ}C$ and 45$0^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of ZnGa$_2$Se$_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 9.63x10$^{17}$ cm$^{-3}$ , 296 $\textrm{cm}^2$/V.s at 293 K, respectively, From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c-axis of the ZnGa$_2$Se$_4$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting $\Delta$So and the crystal field splitting $\Delta$Cr were 251.9 MeV and 183.2 meV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement on ZnGa$_2$Se$_4$ single crystal thin film, we observed free excition (E$_{x}$) existing only high quality crystal and neutral bound excition (A$^{0}$ ,X) having very strong peak intensity. Then, the full-width-at-half-maximum(FWHM) and binding energy of neutral acceptor bound excition were 11 meV and 24.4 meV, respectivity. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 122 meV.on energy of impurity was 122 meV.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.14-24
• /
• 2002

본 논문에서는 학습과 정정 기능을 갖는 PWM 뉴럴네트워크를 설계하였다. 설계된 PWM 뉴럴시스템에서, 네트워크의 입력과 출력 신호들은 PWM 신호에 의해서 표현되어진다. 뉴럴네트워크에서 곱셈은 가장 많이 사용하는 동작이다. 승산과 합산의 기능은 PWM 기술과 간단한 혼합모드 회로기술에 의해서 실현된다. 그러므로 설계된 뉴럴네트워크는 단지 소규모의 칩상에서 구현될 수가 있다. 하나의 뉴런과 세개의 시냅스, 연관된 학습회로로 설계된 네트워크회로는 양호한 선형성과 넓은 범위의 동작범위를 가지고 있다. PWM을 이용한 신경망회로의 학습능력을 검증하기 위해, 델타 학습 규칙을 적용하였다. AND 기능과 OR 기능 학습 예측 HSPICE 시뮬레이션을 통해서 설계한 신경망회로의 기능이 성공적임을 증명하였다.

• 천문학회보
• /
• 제40권1호
• /
• pp.44.1-44.1
• /
• 2015

We present joint constraints on the number of effective neutrino species $N_{eff}$ and the sum of neutrino masses ${\Sigma}m_{\nu}$, based on a technique which exploits the full information contained in the one-dimensional Lyman-${\alpha}$ forest flux power spectrum, complemented by additional cosmological probes. In particular, we obtain $N_{eff}=2.91{\pm}0.22$ (95% CL) and ${\Sigma}m_{\nu}$ < 0.15 eV (95% CL) when we combine BOSS Lyman-${\alpha}$ forest data with CMB (Planck+ACT+SPT+WMAP polarization) measurements, and $N_{eff}=2.88{\pm}0.20$ (95% CL) and ${Sigma}m_{\nu}$ < 0.14 eV (95% CL) when we further add baryon acoustic oscillations. Our results tend to favor the normal hierarchy scenario for the masses of the active neutrino species, provide strong evidence for the Cosmic Neutrino Background from $N_{eff}{\approx}3$($N_{eff}=0$ is rejected at more than $14{\sigma}$), and rule out the possibility of a sterile neutrino thermalized with active neutrinos (i.e., $N_{eff}=4$) - or more generally any decoupled relativistic relic with $${\Delta}N_{eff}{\sim_=}1$$ - at a significance of over $5{\sigma}$, the strongest bound to date, implying that there is no need for exotic neutrino physics in the concordance ${\Lambda}CDM$ model.

• 한국정보과학회 언어공학연구회:학술대회논문집(한글 및 한국어 정보처리)
• /
• 한국정보과학회언어공학연구회 1989년도 한글날기념 학술대회 발표논문집
• /
• pp.101-106
• /
• 1989

음성 및 문자를 통한 컴퓨터와의 정보 교환을 위한 통합 사용자 인터페이스 (Intelligent Man- Machine interface) 시스템의 일환으로 한국어 단모음의 인식을 위한 시스템을 인공 신경망 모델을 사용하여 구현하였으며 인식시스템의 상위 접속부에 필요한 단어 인식 모듈에 있어서의 인지 실험도 행하였다. 모음인식의 입력으로는 제1, 제2, 제3 포르만트가 사용되었으며 실험대상은 한국어의 [아, 어, 오, 우, 으, 이, 애, 에]의 8 개의 단모음으로 하였다. 사용한 인공 신경망 모델은 Multilayer Perceptron 이며, 학습 규칙은 Generalized Delta Rule 이다. 1 인의 남성 화자에 대하여 약 94%의 인식율을 나타내었다. 그리고 음성 인식시의 인지 현상 실험을 위하여 약 20개의 단어를 인공신경망의 어휘레벨에 저장하여 음성의 왜곡, 인지시의 lexical 영향, categorical percetion등을 실험하였다. 이때의 인공 신경망 모델은 Interactive Activation and Competition Model을 사용하였으며, 음성 입력으로는 가상의 음성 피쳐 데이타를 사용하였다.

• Journal of Biosystems Engineering
• /
• 제15권3호
• /
• pp.186-198
• /
• 1990

인간 소뇌의 구조와 기능을 간략하게 수학적으로 모델링하여 입력에 따른 시스템의 적정 출력을 학습에 의한 적응 제어 방식으로 추출해 내는 소뇌모델 대수제어기(CMAC : Cerebellar Model Arithmetic Controller)가 제안되었다. 본 논문에서는 연구개발된 기존 신경회로망과의 비교 분석에 의거하여, 소뇌모델 대수제어기 대신 네트의 특성에 따라 소뇌모델 선형조합 신경망(CMLAN : Cerebellum Model Linear Associator Network)이라 하였다. 소뇌모델 선형조합 신경망은 시스템의 제어 함수치를 결정하는 데 있어, 기존의 제어방식이 시스템의 모델링을 기초로 하여 알고리즘에 의한 수치해석적 또는 분석적 기법으로 모델 해를 산출하는 것과 달리, 학습을 통하여 저장되는 분산기억 소자들의 함수치를 선형적으로 조합함으로써 시스템의 입출력을 결정한다. 분산기억 소자로의 함수치 산정 및 저장은 소뇌모델 선형조합 신경망이 갖는 고유의 구조적 상태공간 매핑(State Space Mapping)과 델타규칙(Delta Rule)에 의거한 시스템의 입출력 상태함수의 학습으로써 수행된다. 본 논문을 통하여 소뇌모델 선형조합신경망의 구조적 특성, 학습 성질과 상태공간 설정 및 시스템의 수렴성을 규명하였다. 또한 기존의 최대 편차수정 학습 알고리즘이 갖는 비능률성 및 적용 제한성을 극복한 효율적 학습 알고리즘들을 제시하였다. 언급한 신경망의 특성 및 제안된 학습 알고리즘들의 능률성을 다양한 학습이득(Learning Gain)하에서 비선형 함수를 컴퓨터로 모의 시험하여 예시하였다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
• /
• 제11권4호
• /
• pp.92-99
• /
• 1997

본 논문에서는 공동주택의 승강기 설비에서 경보 처리 방법을 신경회로망을 적용하여 감시제어의 효율을 향상시킬 수 있는 방안을 제시하였다. 제안된 방법은 역전파 알고리즘의 누가 역전파 알고리즘을 이용하여 다중 경보 발생에서 최소 경보요소를 추론하는데 사용하고 추론된 경보는 사전에 정의된 고장진단 지식베이스를 이용하여 설비 유지보수 정보를 화면에 전개하도록 구성하였다. 제안된 감시기법의 유용성을 확인하기 위하여 3가지의 가상시나리오를 통해서 신경회로망의 적용 가능성을 확인할 수 있었으며 공동주택에 적용한다면 유지보수 환경에 활용할 수 있을 것이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제9권4호
• /
• pp.163-168
• /
• 2008

Photonic crystal structures have been received considerable attention due to their high optical sensitivity. One of the techniques to construct their structure is the dip-pen lithography (DPN) process, which requires a nano-scale resolution and high reliability. In this paper, we propose a two dimensional photonic crystal array to improve the sensitivity of optical biosensor and DPN process to realize it. As a result of DPN patterning test, we have observed that the diffusion coefficient of the mercaptohexadecanoic acid (MHA) molecule ink in octanol is much larger than that in acetonitrile. In addition, we have designed and fabricated optical waveguides based on the mach-zehnder interferometer (MZI) for application to biosensors. The waveguides were optimized at a wavelength of 1550 nm and fabricated according to the design rule of 0.45 delta%, which is the difference of refractive index between the core and clad. The MZI optical waveguides were measured of the optical characteristics for the application of biosensor.