moving photocarrier grating 기술을 이용하여 디지털 X-선 변환물질 a-Se:As 필름에서 As 첨가효과에 관하여 연구하였다. 이 방법은 시료를 조사하기 위하여 주파수를 변화시킨 2개 레이저 빔의 중첩으로 얻어진 움직이는 간섭패턴을 이용한다. 시료의 수송변수는 시료에서 변조 방향으로 유도되는 grating-속도에 의존하는 전류밀도로부터 얻어진다. As 첨가에 따른 a-Se 필름의 전자와 정공 이동도 그리고 재결합 수명을 구하였다. 전자의 이동도는 결함 상태 때문에 As 첨가에 따라 감소하는 반면, 특히 a-Se 필름에 0.3% As 첨가할 때 정공 이동도와 재결합 수명이 증가하였다. MPG 기술로 얻은 As가 첨가된 a-Se 필름의 수송성질을 a-Se:As로 제작한 X-선 디텍터의 X-선 감도와 비교하였다. 실험결과 0.3% As가 첨가된 a-Se으로 제작한 X-선 디텍터가 가장 우수한 X-선 감도를 나타내었다.
두께가 6~10 nm인 게이트 산화막의 계면에 염소(Cl)를 도입시킨 n-MOS capacitor 및 n-MOSFET을 제잘하여 물성적인 방법(SIMS, ESCA)과 전기적인 방법에 의해서 소자의 특성을 분석, 평가하였다. Last step TCA법을 이용하여 성장시킨 산화막은 No TCA법으로 성장시킨 것보다 mobility가 7% 정도 증가하였고, 결함 밀도도 감소하였다. Time-zero-dielectric-breakdown(TZDB)으로 측정한 결과, Cl를 도입한 막의 파괴 전계(breakdon field)는 18 MV/cm인데, 이것은 Cl을 도입하지 않은 것보다 약 0.6 MV/cm 정도 높은 값이다. 또한 time-dependent-dielectric-breakdown(TDDB) 결과로부터 수명이 20년 이상인 것으로 평가되었고, hot carrier 신뢰성 측정으로부터 평가한 소자의 수명도 양호한 것으로 나타났다. 이상의 결과에서 Cl을 계면에 도입시킨 게이트 산화막을 가진 소자가 좋은 특성을 나타내고 있으므로 Last step TCA법을 종래의 산화막 성장 방법 대신에 사용하면 MOSFET 소자의 새로운 게이트 절연막 성장법으로서 대단히 유용할 것으로 생각된다.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin films was prepared in a horizontal electric furnace. These $ZnAl_2Se_4$ polycrystals had a defect chalcopyrite structure, and its lattice constants were $a_0=5.5563{\AA}$ and $c_0=10.8897{\AA}$.To obtain a single-crystal thin film, mixed $ZnAl_2Se_4$ crystal was deposited on the thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by a hot wall epitaxy (HWE) system. The source and the substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single-crystal thin film was investigated by using a double crystal X-ray rocking curve and X-ray diffraction ${\omega}-2{\theta}$ scans. The carrier density and mobility of the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film were $8.23{\times}10^{16}cm^{-3}$ and $287m^2/vs$ at 293 K, respectively. To identify the band gap energy, the optical absorption spectra of the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film was investigated in the temperature region of 10-293 K. The temperature dependence of the direct optical energy gap is well presented by Varshni's relation: $E_g(T)=E_g(0)-({\alpha}T^2/T+{\beta})$. The constants of Varshni's equation had the values of $E_g(0)=3.5269eV$, ${\alpha}=2.03{\times}10^{-3}eV/K$ and ${\beta}=501.9K$ for the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $ZnAl_2Se_4$ were estimated to be 109.5 meV and 124.6 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $ZnAl_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{21}$-exciton peaks for n = 21.
The purpose of this study was to perform on the biological activity of Magnolia and Zizyphi fructus extract mixtures on the wound healing of defected rat calvaria. For the determination of the mixture ratio of two extracts for oral administration, preliminary experiments were performed with the mixture combination of 2000 and $3000{\mu}g/ml$ of Magnolia extract, and also 20, 30, 200, 300, 2000 and $3000{\mu}g/ml$ of Zizyphi fructus extract, respectively and divided into 6 groups. The combination of extracts mixture were tested on the enhancing effect of cellular activity. The effect of the extracts mixture on the cellular activity was evaluated using MTT method and measured on the results with optical density by ELISA reader. The ability to tissue regeneration of the extracts mixture was performed by measuring new bone and new connective tissue regeneration on the 5mm defected rat calvaria for 1, 2 and 3 weeks after oral administration of 2 different dosages groups : 10:1(0.1g/kg) and 10:1(0.5g/kg). It was employed the same dosages of unsaponifiable fraction of Zea Mays L as positive controls. Each group of rat was sacrificed and en bloc section for histological examination. The effect on the cellular activity of each mixture ratio showed significantly higher in $2000{\mu}g/ml$ of Magnolia extract and $200{\mu}g/ml$ of Zizyphi fructus extract group to compare with other groups. These preliminary results showed that appropriate mixture ratio of two extracts was 10:1 of Magnolia and Zizyphi fructus extract. Histological examination on the activity of tissue regeneration of each group showed that 2weeks and 3weeks specimens of 0.5g/kg of 10:1 extract mixture of Magnolia and Ziziphi fructus administrated rat calvaria revealed significantly more osteoid and new bone formation of defected calvaria with unification of defected area than the specimens of any other negative and positive controls. Even though the specimen administrated the same dosages of unsaponifiable fraction of Zea Mays L, positive controls, showed the trend that they promote significantly the repair of calvarial defect, their bone reparative activities were less inductive than the same dosages of Magnolia and Ziziphi fructus extract mixture. These results implicated that the mixture of Magnolia and Zizyphi fructus extracts should be highly effective on the wound healing of bony defected site and might have potential possibilities as an useful drug to promote periodontal tissue regeneration.
Lithium niobate(LiNbO3) 단결정은 유전성, 압전성, 초전성, 비선형 광학 및 선형 전기광학 물질로서 다양한 응용 성을 가지고 있으므로 전기와 광학장치로 널리 사용되어지고 있다. 그러나 LiNbo3 단결정이 레이저를 이용한 광학장치로 응용될 때 레이저광의 세기에 따라 상굴절(ne)과 이상굴절(no)이 불규칙하게 변하는 장손상이 발생하여 비선 형 광학소자로의 이용에 한계가 있음이 밝혀졌다. 1980년 Zhong등이 LiNbO3에 MgO를 4.5mol% 첨가한 MgO:LiNbO3단결정을 성장시켜 물성을 조사한 결과 광손 상이 현저하게 감소된다고 발표한 후 이 분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 순수한 LiNbO3 단결정의 최적 성장조건인 congrugnt한 LiNbOs(Li/Nb=0.486)에 MgO를 0, 2.5, 5.0, 7.5, 10.0 mol% 첨가시킨 MgO:LiNb03 단결정을 Czochalski법으로 성공적으로 성장시켰다. 결정성장은 성장온도 1250℃ 근방에서 회전속도 15rpm 인상속도 2.85 ∼3.25 mm/hr로 하였으며 냉각율은 30℃/hr이다. 성장시킨 단결정의 X-ray 회절실험과 편광현미경의 conoscope상 관찰로 양질의 MgO:LiNbO3 단결정이 성장되었음을 확인하였다. c축에 수직되게 절단한 c-pltae 시료 중 MgO가 첨가된 MgO:LiNb03 시료에서 나이테 형태의 둥근 원무늬가 나타나고 있다. 이 현상은 결정성장시 공기 중의 산소분압에 의해 MgO:LiNbO3 의 용융상태에서 MgO가 균일하게 분포되지 못하기 때문에 나타난 것으로 해석 된다. MgO 첨가량에 따른 MgO:LiNbo3 단결정의 결정 결함 구조를 조사하기 위하여 밀도측정을 하였다. MgO:LiNbO3 단결정의 밀도는 MgO론 2.5mol% 첨가한 시료에서 감소 하다가 5.0mol% 첨가한 시료에서 다시 증가하였으며 5.0mol%이상에서는 다시 감소하였다. 이 실험결과로 MgO 첨가량에 따른 결정 결함구조를 점 결함 모형 (point defect medel)으로 해석하였다.
10년령의 암컷 잡종견이 식욕부진, 쇠약, 혈색소뇨를 주증으로 충북대학교 동물의료센터에 내원하였다. 환자는 내원 하루 전 지역동물병원에서 효소 면역 측정법에 의해 심장사상충증을 진단 받았으며 성충구제제를 투여 받았다. 혈액검사를 통해 저색소성 소적혈구성 재생성 빈혈과 혈소판감소증, 중등도의 호중구증가증, ALT AST ALP의 상승이 확인되었다. 방사선 촬영을 통해 주페동맥의 확장, 폐침윤, 복부 선예도 감소, 경증의 간비대가 확인되었다. 복부 초음파 검사에서 경증의 복수, 간문 수준의 문정맥과 비장정맥에서 고에코성의 혈전이 확인되었다. 조영 증강 컴퓨터 단층촬영을 통해 문정맥 내강내 저밀도 영역과 혈관내 충진결손을 확인하였다. 환자는 항응고제와 혈전용해제로 치료를 받았으며, 42일 동안의 치료 후 혈전의 완전한 용해를 복부 초음파 검사를 통해 확인하였으며 임상 증상의 개선이 관찰되었다.
AlN 단결정은 넓은 밴드갭(6.2 eV), 높은 열 전도도($285W/m{\cdot}K$), 높은 비저항(${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), 그리고 높은 기계적 강도와 같은 장점들 때문에 차세대 반도체 적용을 위한 많은 흥미를 끈다. 벌크 AlN 단결정 또는 박막 템플릿(template)들은 주로 PVT(Physical vapor transport)법, 플럭스(flux)법, 용액 성장(solution growth)법, 그리고 증기 액상 증착(HVPE)법에 의해 성장된다. 단결정이 성장하는 동안에 발생하는 결함들 때문에 상업적으로 어려움을 갖게 된 이후로 결함들 분석을 통한 결정 품질 향상은 필수적이다. 격자결함 밀도(EPD)분석은 AlN 표면에 입자간 방위차와 결함이 존재하고 있는 것을 보여준다. 투과전자현미경(TEM)과 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전체적인 결정 퀄리티와 다양한 결함의 종류들을 연구하는데 사용된다. 투과전자현미경(TEM)관찰로 AlN의 형태가 적층 결함, 전위, 이차상 등에 의해 크게 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 또한 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전위의 생성을 유도하는 성장 결함으로서 AlN의 zinc blende 폴리모프(polymorph)가 존재하고 있는 것을 나타내고 있었다.
이 연구에서는 CaO-$Al_2O_3$계 급냉 제강슬래그(RCSS)의 물리 화학적 특성을 분석함으로써 친환경 무기 급결재로 활용방안을 모색하고자 하였다. RCSS의 성상은 섬유상과 구상으로 구별되었으며, 성상별로 CaO와 $Fe_2O_3$ 성분 함량이 반비례 경향을 나타냈다. 또한 CaO 함량이 낮아지고 $Fe_2O_3$ 함량이 증가함에 따라 강열감량은 (-)경향을 보였고 밀도는 증가하였다. 수은압입법에 의한 세공분포는 서냉 제강슬래그(SCSS)에 비해 매우 낮은 수치로 급냉에 의해 내부결함 및 미세기공률이 현저히 줄어든 것을 확인할 수 있었다. 급냉 제강슬래그를 구성하는 주요 광물을 분석하기 위해 XRD, f-CaO 정량, SEM-EDAX 분석을 실시한 결과에서 f-CaO의 존재는 관찰되지 않았으며, 구성성분이 주로 $C_{12}A_7$과 반응성 ${\beta}-C_2S$로 이루어져 있음을 확인할 수 있었다.
Purpose: Various kinds of biodegradable membranes are currently used in dental clinics. And the frequency and the necessity of their usage are increasing due to their numerous advantages. Therefore it is important to understand the difference of various membranes and histological reaction against implanted membranes. Materials and Methods: Biodegradable membranes of $Biogide^{(R)}$, $Resolute^{(R)}$, and $Tutodent^{(R)}$ were cut into small pieces by $1.0{\times}0.5cm$. The membranes were implanted 1.5cm apart from each other under the epithelium on the skull of 18 Sprague Dawley rats. The animals were sacrificed at 3, 7, and 14 days after surgical procedure. The specimens were examined by histological analysis. Results: 1. Early period after implantation of the membranes showed connective tissues surrounding membranes and there were a few inflammatory cells present. 2. In $Biogide^{(R)}$ and $Tutodent^{(R)}$ specimens, inflammatory cells and surrounding tissues were shown to infiltrate from outside with slight density difference inside. In $Resolute^{(R)}$ specimens, membranes were fragmented. Inflammatory cells and connective tissues were also observed inside. 3. In $Resolute^{(R)}$ specimen, giant cells were present which implicates that foreign body reaction has occurred. 4. $Biogide^{(R)}$ had lower integrity than other membranes and is not enough to be used alone in defect area. However, $Resolute^{(R)}$ had superior firmness than others. $Tutodent^{(R)}$ had middle level of integrity. Conclusion: This experimental model enabled to observe early inflammatory reactions and morphological changes of materials and can be used to develop and evaluate the efficacy of biodegradable membranes. Duplication of standardized human oral environment will be required in future experiments.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuGaSe_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal $CuGaSe_2$, it was found tetragonal structure whose lattice constant $a_0$ and $c_0$ were $5.615{\AA}$ and $11.025{\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, $CuGaSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $610^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuGaSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $5.01\times10^{17}cm^{-3}$ and $245cm^2/V{\cdot}s$ at 293K. respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuGaSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g$(T)=1.7998 eV-($8.7489\times10^{-4}$ eV/K)$T^2$/(T+335K). After the as-grown $CuGaSe_2$ single crystal thin films was annealed in Cu-, Se-, and Ga-atmospheres, the origin of point defects of $CuGaSe_2$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of $V_{CU},\;V_{Se},\;Cu_{int}$ and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted $CuGaSe_2$ single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Ga in $CuGaSe_2$/GaAs did not form the native defects because Ga in $CuGaSe_2$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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