Crystallizable glasses with precipitation of celsian, anorthite, wollastonite and gahnite were prepared for the purpose of insulating dielectric layers in devices such as integrated circuit substrates. The starting glasses were prepared by melting the batches for 1 hour at 1450.deg. C and then Quenching to a distilled water. And crystallization behavior of these glasses were studied by DTA, TMA, XRD analysis and by the measurement of dielectric properties. The overall composition of the glass-ceramic consists in weight percent of 30-35% A1$_{2}$O$_{3}$, 13-26% BaO, 5-21% CaO, 10-24% ZnO, 4.5-9.0% TiO$_{2}$ and 4-8% B$_{2}$O$_{3}$. As a result, in barium-rich glasses only celsian phase was developed in the range of 850-900.deg. C. Also, the thermal expansion coefficient, dielectric constant and quality factor of these glass-ceramics were 68*10$^{-7}$ /.deg. C, about 9 and more than 1000, respectively.
An increasing interest towards the investigations of chalcogenide glasses has been observed in the past years. This interest is due to their specific properties, as well as to the possibilities for their application in different fields of science. The optical devices, working on the basis of photoinduced phase transition between amorphous and crystalline state in the chalcogenide glasses, are a perspective for the micro- and nano-electronics. Here we were analysis basic physical properties for Ge-As-Se and As-Se chalcogenide glasses samples for characteristic for a planning of chalcogenide aspheric lens. From differential DTA/TG results, activation energies of the crystallizations of $Ge_{10}As_{40}Se_{50}$ and $As_{40}Se_{60}$ were approximately 3.6 eV and 3.3 eV, respectively.
Sr hexaaluminate($Sr_{1-x}La_xMnAl_{11}O_{19-\alpha}$)와 금속 alkoxide를 전구체로, 1-butanol과 ethylene glycol을 각각 용매로 사용한 sol-gel 법으로 합성하였다. 용매 변화에 따른 Sr hexaaluminate의 물리적 특성을 TG/DTA, XRD 및 $N_2$ adsorption을 이용하여 분석하였다. 합성 후 건조한 시료에 대한 열분해 거동을 분석한 결과는 1-butanol을 용매로 사용하여 합성한 hexaaluminate와 비교할 때, ethylene glycol을 용매로 이용한 경우 용매의 분해반응과 dehydroxylation 반응이 관찰되었고, 결정생성 온도도 상승하였다. Dehydroxylation 반응과 결정생성온도의 상승은 hexaaluminate의 소결현상을 가속시켜 낮은 비표면적의 원인이 되었다. 메탄에 대한 연소 반응으로 표면적 차이가 촉매 활성에 영향을 주었음을 확인하였다.
The principal problems in development of dielectric paste materials for PDP(plasma display panel)are PbO free paste and low melting temperature. We prepared PbO free paste from glasses in the system $BaO-ZnO-B_2O_3-V_2O_5$. DTA, XRD and SEM were used to study and characterize $BaO-ZnO-B_2O_3-V_2O_5$ glasses. PbO free paste developed at this paper has thermal expansion of $74{\times}10^{-7}/^{\circ}C$, DTA transformation point of $460^{\circ}C$, and firing condition of $560^{\circ}C$, 10min.
The effects of $Al_2O_3$ on the crystallization behavior of glass compositions in the $Na_2O$-CaO-$SiO_2$ system were investigated by differential thermal analysis (DTA), X-ray diffraction (XRD), and scanning electron microscopy (SEM). The effect of $Al_2O_3$ content on the mechanical properties, density, phase formation, and microstructures of $Na_2O$-CaO-$P_2O_5$-$SiO_2$ glass ceramics were studied. The thermal parameters of each glass were studied by DTA. The density of the glass ceramic samples was measured by Archimedes' method. It was found that the glass-ceramic containing 2.0 molar percent $Al_2O_3$ had desirable sintering behavior and reached an acceptable density. Phase investigation and micro-structural analysis were performed by XRD and SEM, respectively.
한국전기전자재료학회 2006년도 영호남 합동 학술대회 및 춘계학술대회 논문집 센서 박막 기술교육
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pp.31-34
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2006
In this study, $(Ba_{0.7}\;Sr_{0.3})TiO_3$ was coated on Pt/Ti/$SiO_2$/Si wafer by using Sol-Gel method. Coating process was repeated 3~5 times and then sintered at 750[$^{\circ}C$] for 1 hour. Each specimen was analyzed structure and electrical characteristics. In structure characteristics, EDX analyzed the samples ratio of the formation on the structural property. Thermal behavior was observed with TG-DTA and concluded that the heat-treatment of the samples was degreed 750[$^{\circ}C$]. Surface and section of thin films were observed with SEM.
The principal problems in development of dielectric paste materials for PDP(plasma display panel)are PbO free paste and low melting temperature. We prepared PbO free paste from glasses in the system BaO-ZnO-$B_2O_3-V_2O_5$. DTA, XRD and SEM were used to study and characterize BaO-ZnO-$B_2O_3-V_2O_5$ glasses. PbO free paste developed at this paper has thermal expansion of $74{\times}10^{-7}/^{\circ}C$, DTA transformation point of $460^{\circ}C$, and firing condition of $560^{\circ}C$, 10min.
The principal problems in development of dielectric paste materials for PDP(plasma display panel)are PbO free paste and low melting temperature. We prepared PbO free paste from glasses in the system $ZnO-B_2O_3-Bi_2O_3-SiO_2$, DTA, and XRD were used to characterize $ZnO-B_2O_3-Bi_2O_3-SiO$ glasses. In this present study, PbO free paste had thermal expansion of $74\times10^{-7}/^{\circ}C$, DTA transformation point of $470^{\circ}C$, and firing condition of $540^{\circ}C$, 20min.
$TiO_{2}-Nb_{2}O_{5}$ sol was prepared using sol-gel method. DTA properties of gel powder had endothermic reaction due to evaporation of propanol and water about $78^{\circ}C$, had exothermic reaction due to propanol combustion about $290^{\circ}C$ and had exothermic reaction due to changing of $TiO_2$ phase about $640^{\circ}C$. Capacitance of thin films increased according to increasing relative humidity, whereas it decreased according to increasing measured frequency.
This study is proposed to find an appropriate body for high expansion glass ceramics of ${Na}_2O-{Al}_2O_3-{SiO}_2$ system. The compositions of basic glasses are selected to be melted easily and to be crystallized into nepheline with various contents of alumina. The crystallization temperatures of basic glasses are determined by DTA. The crystals in the basic glasses developed by heat treatment are investigated by X-ray diffraction analysis, and thermal properties such as expansion coefficients, fusion points are measured. We find, therefore,that crystallization temperatures, crystal phases and thermal properties are affected by content of alumina.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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