• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제17권1호
• /
• pp.43-56
• /
• 1992

입자 수송방정식에서 각변수(angular variable)를 각분할근사법으로 해석할 때 나타나는 이상 현상인 ray effect를 치유할 수 있는 방법의 하나로써, 유한 분할각(discrete angle quadrature)을 입자속의 공간적 분포로써 조종하는 방법인 각분할요소법 (discrete elements method)을 근거로 하여 2차원 직각좌표계에서의 입자 수송 해석 프로그램(TWODET)을 개발하였다. 평판형 등방적 고정선원이 존재하는 균질 사각형 흡수체에 대해 TWODET로 해석한 결과, 각 요소가 K-2, L인 경우에도 DOT 4.3(S-10)에서보다 ray effect 치유에 더 효과가 있음을 확인하였다. 그러나, 계산시간은 기존의 각분할법에서보다 약 4배 더 소비되었다. 선원에서 바로 진공(vacuum boundary)으로 떨어지는 구조의 경우, TWODET의 결과에서도 심한 왜곡을 보이고 있는데 선원과 바로 이웃한 진공간의 급격한 불연속성으로 인함으로 추측된다 고정선원이 있는 매질에 강한 흡수체가 추가된 구조의 경우에서도 TWODET(K-3, L-4)로 DOT 4.3(S-10)보다 좋은 결과를 보였다.

• 한국산림과학회지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.24-26
• /
• 1967

본(本) 시험(試驗)의 결과(結果)로서 다음과 같이 결론(結論) 지을 수 있다. 1. 불규칙(不規則)한 도형(圖形)의 area measurement에는 planimeter method 대신(代身) dot grid method 또는 transects method에 의(依)하여 무방(無妨)하다. 2. dot grid method에 의(依)할 시(時)는 planimeter method인 경우(境遇)보다 과대치(過大値)를 준다. 3. transects method에 의(依)할 시(時)는 planimeter method인 경우(境遇)보다 과소치(過少値)를 준다. 4.면적(面積)이 30ha 보다 작은 polt에 대(對)하여 transects method를 적용(適用)할 시(時)는 큰 error가 있으나 30ha를 넘을 때는 error가 작아진다. 따라서 transects method는 30ha 보다 큰 plot에 적용(適用)하여 좋은 결과(結果)를 준다. 5. 일반(一般)으로 transects method에 의(依)한 area measurement의 정도(精度)는 dot grid method에 의(依)한 것 보다 떨어진다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제2권4호
• /
• pp.142-147
• /
• 1981

A blend polymeric system composed of poly(methyl methacrylate) (PMMA or PM) and polystyrene (PS) dissolved in chloroform was rheologically studied. The viscosities ${\eta}_{bl}$ of the blend system with various blending ratios ${\chi}$ changing from zero (pure PS solution) to unity (pure PMMA solution) were measured at $25{\circ}C$ as a function of shear rates ${\dot{s}}$ by using a Couette type viscometer. ${\eta}_{bl}$ at a given ${\dot{s}}$ decreased exponentially with ${\chi}$ reaching asymptotic constant value of ${\eta}_{bl}$ ; ${\eta}_{bl}$ at a given ${\chi}$ is greater at a smaller ${\dot{s}}$. These results are explained by using Ree-Erying's theory of viscosity, ${\eta}_{bl}=(x_1{\beta}_1/{\alpha}_1)_{b}_1＋ (x_2{\beta}_2/{\alpha}_2)_{bl}[sinh^{-1}{\beta}_2(bl) {\dot{s}}]/{\beta}_2(bl){\dot{s}}$. The Gibbs activation energy ${\Delta}G_i^\neq$(i = 2 for non-Newtonian units) entering into the intrinsic relaxation time ${\beta}$ is represented by a linear combination ${\Delta}G_i^\neq(bl) ={\chi}{\Delta}G_i^{\neq}_{iPM}+(1-{\chi}){\Delta}G_i^{\neq}_{iPS}$;the intrinsic shear modulus$[[\alpha}_i]^{-1}$ is also represented by $[{\alpha}_i(bl)]^{-1}={\chi}[{\alpha}_{iPM}]^{-1}+(1-{\chi})[{\alpha}_{iPS}]^{-1}$ and the fraction of area on a shear surface occupied by the ith flow units $x_i(bl)$ is similarly represented, i.e., $x_i(bl) = {\chi}x_{iPM}+(1-{\chi})x_{iPS}$. By using these ideas the Ree-Eyring equation was rewritten which explained the experimental results satisfactorily.

• Current Optics and Photonics
• /
• 제4권6호
• /
• pp.509-515
• /
• 2020

A practical single photon source for fiber-based quantum information processing is still lacking. As a possible 1.55-㎛ quantum-dot single photon source, an InGaAsP/InP-air-aperture micropillar cavity is investigated in terms of fabrication tolerance. By properly modeling the processing uncertainty in layer thickness, layer diameter, surface roughness and the cavity shape distortion, the fabrication imperfection effects on the cavity quality are simulated using a finite-difference time-domain method. It turns out that, the cavity quality is not significantly changing with the processing precision, indicating the robustness against the imperfection of the fabrication processing. Under thickness error of ±2 nm, diameter uncertainty of ±2%, surface roughness of ±2.5 nm, and sidewall inclination of 0.5°, which are all readily available in current material and device fabrication techniques, the cavity quality remains good enough to form highly efficient and coherent 1.55-㎛ single photon sources. It is thus implied that a quantum dot contained InGaAsP/InP-air-aperture micropillar cavity is prospectively a practical candidate for single photon sources applied in a fiber-based quantum information network.

• 복식문화연구
• /
• 제16권5호
• /
• pp.863-877
• /
• 2008

The purpose of this study is to investigate the effect of dot pattern size(0.8, 1.8, 2.5, 5, 8), color combination (BG/R, Y/B), value tone(lt/dk, p/g), area-ratio on image information. Sets of stimulus and response scales(7 point semantic) were used as experimental materials. The stimuli were 20 color pictures manipulated with the combination of dot pattern size, color combination, value tone and area-ratio using computer simulation. The subjects were 240 female undergraduates living in Gyeongsangnam-do. Image factor of the stimulus was composed of 4 different components, visibility, chastity.feminity, cuteness and attractiveness. In the visibility, color combination, value tone, area-ratio, dot pattern size showed independent effect. In the chastity feminity, color combination, value tone, showed independent effect. In the cuteness, value tone, area-ratio, dot pattern size showed independent effect. Significant interaction effects of color and area-ratio combination on visibility and cuteness were found. Interaction efforts of color and value tone combination, value tone and area-ratio was significant on cuteness. For visibility image, BG/R combination of color and yellow background/blue dots were effective. For cuteness image, pale/grayish tone and background/dots area-ratio were effective.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제10권5호
• /
• pp.979-984
• /
• 2009

본 논문에서는 2차원 인쇄물의 고유정보 즉, 텍스트, 도형 및 기호 등에 대응하는 음성, 영상 및 기타정보를 출력시킬 수 있도록 하기 위한 새로운 방법의 도트형 프린트 워터마크 생성 방법 및 부호화 기법을 제안하였다. 프린트 워터마크는 인쇄물의 고유정보에 대응하여 고유정보위에 다시 인쇄되는 특정마크로서 고유정보의 특성을 훼손하지 않으면서 음성, 또는 영상정보와 연결시키는 중간 매개 역할을 한다. 제안한 도트형 프린트 워터마크 패턴은 $0.4mm^2$의 면적 내에 $16{\times}16$의 행렬구조를 가지며, 256개의 원소(element) 중 23개의 위치에 도트가 인쇄된다. 인쇄되는 도트의 크기는 0.02mm고 매우 작아 가시화되지 않는다. 23개의 위치는 2진수 비트 위치와 매핑 되어 800만개 정도의 인쇄물 고유정보를 표현할 수 있으며, 도트가 인쇄되는 위치에 따라 쉽게 2진수로 부호화할 수 있다는 특징을 갖는다. 또한 실험을 통해 제안한 프린트 워터마크 패턴이 자체 제작된 인식장치에 의해 쉽게 인식됨을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.207-207
• /
• 2012

Si quantum dot (QD) imbedded in a $SiO_2$ matrix is a promising material for the next generation optoelectronic devices, such as solar cells and light emission diodes (LEDs). However, low conductivity of the Si quantum dot layer is a great hindrance for the performance of the Si QD-based optoelectronic devices. The effective doping of the Si QDs by semiconducting elements is one of the most important factors for the improvement of conductivity. High dielectric constant of the matrix material $SiO_2$ is an additional source of the low conductivity. Active doping of B was observed in nanometer silicon layers confined in $SiO_2$ layers by secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profiling analysis and confirmed by Hall effect measurements. The uniformly distributed boron atoms in the B-doped silicon layers of $[SiO_2(8nm)/B-doped\;Si(10nm)]_5$ films turned out to be segregated into the $Si/SiO_2$ interfaces and the Si bulk, forming a distinct bimodal distribution by annealing at high temperature. B atoms in the Si layers were found to preferentially substitute inactive three-fold Si atoms in the grain boundaries and then substitute the four-fold Si atoms to achieve electrically active doping. As a result, active doping of B is initiated at high doping concentrations above $1.1{\times}10^{20}atoms/cm^3$ and high active doping of $3{\times}10^{20}atoms/cm^3$ could be achieved. The active doping in ultra-thin Si layers were implemented to silicon quantum dots (QDs) to realize a Si QD solar cell. A high energy conversion efficiency of 13.4% was realized from a p-type Si QD solar cell with B concentration of $4{\times}1^{20}atoms/cm^3$. We will present the diffusion behaviors of the various dopants in silicon nanostructures and the performance of the Si quantum dot solar cell with the optimized structures.

• 설비공학논문집
• /
• 제7권4호
• /
• pp.681-693
• /
• 1995

A new set of capillary tube selection charts for R-22 is proposed. The set of charts takes into account of the roughness effect on the mass flow rate. For this purpose, a set of numerical model is developed and a series of experiments is conducted to verify the numerical model. A numerical model is used to calculated the mass flow rate for several sets of tube diameter, length, inlet pressures and degree of subcooling. The outlet of the tube is controlled to be at critical condition. The experimental flow rate is compared with calculated values. The calculated values are consistently less than the experimental ones except for the flow rate range below 40kg/hr. The deviation is within 10---. Based on the nunmerical model and results of experiments, the set of capillary tube selection charts for R-22 is constructed. The set of charts consists of standard capillary tube chart(L=2030mm, d=1.63mm, ${\varepsilon}=2.5{\mu}m$), non -standard flow factor(${\phi}_1$) chart, and non-standard roughness factor(${\phi}_2$) chart. The mass flow rate, flow factor, and the roughness factor are defined respectively as; $\dot{m}={\phi}_1{\phi}_2\dot{m}_{standard}\\{\phi}_1=\frac{\dot{m}(L,\;d,\;\varepsilon_{standard})}{\dot{m}_{standard}(L_{standard},\;d_{standard},\;{\varepsilon}_{standard})}\\{\phi}_2=\frac{\dot{m}(L_{standard},\;d_{standard},\;{\varepsilon})}{\dot{m}_{standard}(L_{standard},\;d_{standard},\;{\varepsilon}_{standard})}$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.134-135
• /
• 2011

양자점은 전자와 양공을 3차원으로 속박 시키므로 기존의 bulk나 양자우물보다 양자점을 이용한 레이저 다이오드의 경우 낮은 문턱 전류, 높은 미분이득 및 온도 안전성의 장점이 있을 거라 기대되고 있다. 그러나, 양자점은 낮은 areal coverage 때문에 높은 속박효율을 얻지 못하고 있다. 이러한 양자점의 문제점을 해결하기 위해 양자점을 양자우물 안에 성장시켜 운반자들의 포획을 향상시키는 방법들이 연구되고 있다. 양자우물 안에 양자점을 넣으면 양자우물이 운반자들의 포획을 증가 시키고, 열적 방출도 억제하여 온도 안정성이 향상 되는 것으로 알려져 있다. 광통신 대역의 1.3 ${\mu}m$ 경우, GaAs계를 이용하여 InAs 양자점을 strained InGaAs 박막을 우물층으로 한 dot-in-a-well 구조의 연구는 몇몇 보고된 바 있다. 그러나 InP계를 사용하는 1.55 ${\mu}m$ 대역에서 dot-in-a-well구조의 연구는 아직 미미하다. 본 연구에서는 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 InP 기판 위에 InAs 양자점을 자발성장법으로 성장하였으며 dot-in-a-well 구조에서 우물층으로 1.35 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.69}Ga_{0.31}As_{0.67}P_{0.33}$ (1.35Q)를, 장벽층으로는 1.1 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.85}Ga_{0.15}As_{0.32}P_{0.68}$(1.1Q)를 사용하였다. 양자우물층과 장벽층은 모두 InP 기판과 격자가 일치하는 조건으로 성장하였다. III족 원료로는 trimethylindium (TMI)와 trimethylgalium (TMGa)을 사용하였으며 V족 원료 가스로는 $PH_3$ 100%, $AsH_3$ 100%를, carrier gas로는 $H_2$를 사용하였다. InP buffer층의 성장 온도는 640$^{\circ}C$이며 양자점 성장 온도는 520$^{\circ}C$이다. 양자점 형성은 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)를 이용하여 확인하였으며, 박막의 결정성은 쌍결정 회절분석(Double crystal x-ray deffractometry)를 이용하여 확인하였다. 확인된 성장 조건을 이용하여 양자점 시료를 성장하였으며 광여기분광법(Photoluminescence)을 이용하여 광특성을 분석하였다. Fig. 1은 dot in a barrier 와 dot-in-a-well 시료의 성장구조이다. Fig. 1(a)는 일반적인 dot-in-a-barrier 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장한 후 양자점을 성장하였다. 그 후 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 1(b)는 dot-in-a-well 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장 후 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하였다. 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 그 후에 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하고 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 2는 dot-in-a-barrier 시료와 dot-in-a-well 시료의 상온 PL data이다. Dot-in-a-barrier 시료의 PL 파장은 1544 nm이며 반치폭은 79.70 meV이다. Dot-in-a-well 시료의 파장은 1546 nm이며 반치폭은 70.80 meV이다. 두 시료의 PL 파장 변화는 없으며, 반치폭은 dot-in-a-well 시료가 8.9 meV 감소하였다. Dot-in-a-well 시료의 PL peak 강도는 57% 증가하였으며 적분강도(integration intensity)는 45%가 증가하였다. PL 데이터에서 높은 에너지의 반치폭 변화는 없으며 낮은 에너지의 반치폭은 8 meV 감소하였다. 적분강도 증가에서 dot-in-a-well 구조가 dot-in-a-barrier 구조보다 전자-양공의 재결합이 증가한다는 것을 알 수 있으며, 반치폭 변화로부터 특히 높은 에너지를 갖는 작은 양자점에서의 재결합이 증가 된 것을 알 수 있다. 이는 양자우물이 장벽보다 전자-양공의 구속력을 증가시키기 때문에 양자점에 전자와 양공의 공급을 증가시키기 때문이다. 따라서 낮은 에너지를 가지는 양자점을 모두 채우고 높은 에너지를 가지는 양자점까지 채우게 되므로, 높은 에너지를 가지는 양자점에서의 전자-양공 재결합이 증가되었기 때문이다. 뿐만 아니라 파장 변화 없이 PL peak 강도와 적분강도가 증가하고 낮은 에너지 쪽의 반치폭이 감소한 것으로부터 에너지가 낮은 양자점보다는 에너지가 높은 양자점에서의 전자-양공 재결합율이 급증하였음을 알 수 있다. 우리는 이와 같은 연구에서 InP계를 이용해 1.55 ${\mu}m$에서도 dot in a well구조를 성장 하여 더 좋은 특성을 낼 수 있으며 앞으로 많은 연구가 필요할 것이라 생각한다.

• 한국가스학회지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.57-62
• /
• 2011

본 연구에서는 70MPa의 충전압력을 갖는 130L 수소연료 저장탱크에 대한 최적설계를 유한요소법과 다구찌 설계법으로 고찰하였다. 6061-T6의 알루미늄 라이너의 외벽면에 T800-24K의 탄소섬유로 감아서 제조한 복합소재 연료탱크의 강도안전성을 미국 DOT-CFFC와 KS의 설계안전 규격을 기준으로 해석하였다. 70MPa용 수소가스탱크의 응력강도에 대한 FEM 해석결과에 의하면, US DOT-CFFC와 KS 규격에서 제시한 응력비 2.4의 기준값과 비교할 때 안전한 것으로 나타났다. 따라서, 다구찌 설계법에 기반한 최적설계 데이터는 설계모델 5번으로 선정할 수 있고, 여기서 제시할 수 있는 알루미늄 라이너의 두께는 6.4mm, 탄소섬유 적층에서 후프방향의 두께는 31mm, 헤리컬방향의 두께는 10.2mm이다.