• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제8권3호
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• pp.185-189
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• 1987

Reactions of $Ir(ClO)_4(CO)(PPh_3)_2$ with dicyano olefins, cis-NCCH = CH$CH_2$$CH_2$CN (cDC1B), trans-NCCH = CH$CH_2$$CH_2$CN (tDC1B), trans-NC$CH_2$CH = CH$CH_2$CN (tDC2B), and NC$CH_2$$CH_2$$CH_2$$CH_2$CN (DCB) produce binuclear dicationic iridium (I) complexes, $[(CO)(PPh_3)_2Ir-NC-A-CN-Ir(PPh_3)_2(CO)](ClO_4)_2$ (NC-A-CN = cDC1B (1a), tDC1B (1b), tDC2B (1c), DCB (1d)). Complexes 1a-1d react with hydrogen to give binuclear dicationic tetrahydrido iridium (Ⅲ ) complexes, $[(CO)(PPh_3)_2(H)_2Ir-NC-A-CN-Ir(H)_2(PPh_3)_2(CO)](ClO_4)_2$ (NC-A-CN = cDC1B (2a), tDC1B (2b), tDC2B (2c), DCB (2d)). Complexes 2a and 2b catalyze the hydrogenation of cDC1B and tDC1B, respectively to give DCB, while the complex 2c is catalytically active for the isomerization of tDC2B to give cDC1B and tDC1B and the hydrogenation of tDC2B to give DCB at $100^{\circ}C$.

• 한국표면공학회지
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• 제41권3호
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• pp.88-93
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• 2008

Ir-Re thin films with Ti interlayer were deposited onto the tungsten carbide substrate by ion beam assisted DC magnetron sputtering. The Ir-Re films were prepared with targets of having two atomic percent of 7:3 and 5:5. The microstructure and surface analysis of the specimen were conducted by using SEM, XRD and AFM. Mechanical properties such as hardness and adhesion strength of Ir-Re thin film also were examined. The interlayer of pure titanium was formed with 100 nm thickness. The film growth of Ir-30at.%Re was faster than that of Ir-50at.%Re in the same deposition conditions. Ir-Re thin films consisted of dense and columnar structure irrespective of the different target compositions. The values of hardness and adhesion strength of Ir-30at.%Re thin film coated on WC substrate were higher than those of Ir-50at.%Re thin film.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권10호
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• pp.1835-1839
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• 2008

파워 매니지먼트는 휴대용 전자 기기에서 매우 중요한 역할을 한다. 휴대용 전자 기기는 배터리의 수명을 증가시키기 위해 LDO와 같은 파워 효율적인 파워 매니지먼트를 요구한다. 그래서 배터리 전원을 사용하는 휴대폰, 카메라 레코더, laptop, 자동차 전장용, 산업용 기기 등의 응용에서는 배터리의 전압변동이 크기 때문에, 배터리 전원을 그대로 사용하지 않고 내부회로의 전원을 제공해 주는 LDO를 이용한다. 레귤레이터는 배터리 전원전압 보다 낮은DC전압을 내부회로에 제공하며, 큰 변동을 보이는 배터리 전압에 관계없이 일정한 DC전압을 제공할 수 있다. 본 연구에서는 0.18um CMOS 공정기술로 제작된 온칩 LDO의 파워 세이브 모드 전류 특성과 IR-Drop 특성을 파악해 보았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.233-233
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• 2010

Magnetic random access memory (MRAM), based on magnetic tunnel junction (MTJ) and CMOS, is a prominent candidate among prospective semiconductor memories because it can provide nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage and high storage density. The etching of MTJ stack with good properties is one of a key process for the realization of high density MRAM. In order to achieve high quality MTJ stack, the use of CoFeB and IrMn magnetic films as free layers was proposed. In this study, inductively coupled plasma reactive ion etching of CoFeB and IrMn thin films masked with Ti hard mask was investigated in a $Cl_2$/Ar gas mix. The etch rate of CoFeB and IrMn films were examined on varying $Cl_2$ gas concentration. As the $Cl_2$ gas increased, the etch rate monotonously decreased. The effective of etch parameters including coil rf power, dc-bais voltage, and gas pressure on the etch profile of CoFeB and IrMn thin film was explored, At high coil rf power, high dc-bais voltage, low gas pressure, the etching of CoFeB and IrMn displayed better etch profiles. Finally, the clean and vertical etch sidewall of CoFeB and IrMn free layers can be achieved by means of thin Ti hard mask in a $Cl_2$/Ar plasma at the optimized condition.

• 한국자기학회지
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• 제12권2호
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• pp.64-67
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• 2002

속박층 (pinning layer) IrMn를 사용한 Ta/NiFe/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta 구조의 스핀밸브 박막 (SV; spin valve)을 산화층이 코팅된 Si(111) 기판에 dc 마그네트론 스퍼터링 방법으로 상온에서 제작하였다. 이 SV에 대하여 교환결합자기장 (H$_{ex}$; exchange coupling field), 자기저항 (MR; magnetoresistance)비 및 보자력 (H$_{c}$ coercivity)의 열처리 순환수와 온도 의존성을 조사하였다. 증착조건과 후열처리 조건을 최적화 함으로써 MR비 3.6%, 피속박층의 H$_{ex}$ 11800 Oe을 얻었다. H$_{ex}$는 열처리 순환횟수가 2 이후에 일정한 값을 유지하여 열적으로 안정성을 갖는 것을 확인하였다. H$_{ex}$는 24$0^{\circ}C$ 까지는 600 Oe를 유지하다가 점점 감소하여 27$0^{\circ}C$에 0이 되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2011

DC arc plasmatron is powerful plasma source to apply etching and texturing processing. Even though DC arc plasmatron has many advantages, it is difficult to apply an industry due to the small applied area. To increase an effective processing area, we suggest a DC-RF hybrid plasma system. The DC-RF hybrid plasma system was designed and made. This system consists of a DC arc plasmatron, RF parts, reaction chamber, power feeder, gas control system and vacuum system. To investigate a DC-RF hybrid plasma, we used a Langmuir probe, OES (Optical emission spectroscopy), infrared (IR) light camera. For RF matching, PSIM software was used to simulate a current of an impedance coil. The results of Langmuir probe measurements, we obtain a homogeneous plasma density and electron temperature those are about $1{\times}1010$ #/cm3 and 1~4 eV. The DC-RF hybrid plasma source is applied for plasma etching experimental, and we obtain an etching rate of 10 ${\mu}m$/min. through a 90 mm of reaction chamber diameter.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.947-950
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• 2003

본 논문에서는 고속 적외선 무선 데이터통신(IrDA) 에 사용되는 트랜스임피던스 증폭기(Transimpedance Amplifier)를 설계하였다. 트랜스임피던스 증폭기는 잡음을 최소화하기 위해 PMOS 차동 구조로 설계하였으며 입력과 출력의 피드백을 통해 주위의 빛에 의해 발생되는 photocurrent 에 의한 DC 옵셋을 제거하였다 또한 공통 게이트(CG)와 Regulated Cascode Circuit (RGC)을 추가하여 대역폭(Bandwidth)을 향상시켰다. 설계한 회로는 0.25 um CMOS 공정을 이용하였으며 트랜스임피던스 이득은 200 MHz의 대역폭에서 10 KΩ (80 dBΩ )이다. 전체 전력 소비는 18 mW이다.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.767-773
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• 2008

This paper presents a localization system based on the use of electric compass and tracking IR light source. Digital RGB(Red, Green, Blue)signal of digital CMOS Camera is sent to CPLD which converts the color image to binary image at 30 frames per second. CMOS camera has IR filter and UV filter in front of CMOS cell. The filters cut off above 720nm light source. Binary output data of CPLD is sent to DSP that rapidly tracks the IR light source by moving Camera tilt DC motor. At a robot toward north, electric compass signals and IR light source angles which are used for calculating the data of the location system. Because geomagnetic field is linear in local position, this location system is possible. Finally, it is shown that position error is within ${\pm}1.3cm$ in this system.

• 공업화학
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• 제16권2호
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• pp.226-230
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• 2005

Chitosan유도체인 6-amino-6-deoxychitosan (6A6DC)은 상피세포 성장인자(EGF)를 안정화시키기 위한 하나의 당으로써, tosyl chloride, sodium azide 그리고 lithium aluminum tetrahydride와의 반응으로부터 성공적으로 제조되었다. 이것의 구조는 원소분석, FT-IR, $^1H$ NMR 및 $^{13}C\{^1H\}$ NMR에 의해 확인되었다. 6A6DC는 amino기의 치환율이 0.7로 나타났으며, $0.3{\mu}g/mL{\sim}600{\mu}g/mL$의 농도범위에서 normal human dermal fibroblast (NHDF)가 증식하는데 어떠한 세포독성도 나타내지 않았다. 따라서, 6A6DC는 자체의 세포무독성과 높은 반응성으로 인하여 단백질 분해효소로부터 EGF를 안정화시키는데 적합한 재료라고 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.298-299
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• 2011

최근 입력소자로 활용되는 터치스크린은 키보드나 마우스와 같은 입력장치를 사용하지 않고, 스크린에 손가락, 펜 등을 접촉하여 입력하는 방식이다. 터치패널의 구현방식에 따라 저항막(Resistive) 방식, 정전용량(Capacitive) 방식, SAW (Surface Accoustic Wave; 초음파) 방식, IR (Infrared; 적외선) 방식등으로 구분된다. 특히 최근 관심을 받고 있는 IR 방식은 적외선이 사람의 눈에는 보이지 않으나, 직진성을 가지고 있어 장애물이 있으면 차단되는 특성을 이용한 방식이다. IR방식의 터치패널은 발광(Light emitting)소자와 수광(Light detecting)소자가 마주하도록 배치되어 터치에 의해 차단된 좌표를 인식하게 되며, ITO 필름 등이 필요 없어 Glass 1장으로도 구현이 가능하며 투과율이 우수하다. 이러한 IR 방식의 터치패널을 제작하기 위하여 사용된 IR 광검출기는 광학적 band-gap이 작은 박막물질을 필요로 한다. 본 연구에서는 IR 광검출을 위한 물질로 SiGe를 co-sputtering 기법을 이용하여 성장시켰다. 일반적으로 SiGe 박막을 성장시키기 위하여 저압화학기상증착법(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)이나 고진공 LPCVD를 사용하지만 본 연구에서는 CVD에 비하여 무독성이면서 환경친화적이고 초기투자비용이 낮은 증착장비인 sputtering을 이용하였다. 본 연구에서 성장된 SiGe 박막은 400$^{\circ}C$에서 rf plasma가 인가된 Ge과 dc plasma가 인가된 Si의 power를 조절하여 결정화도가 70% (Fig. 1)이고 결정성장방향이 (111)과 (220)방향으로 성장하는 SiGe 박막을 얻을 수 있었다. 본 논문에서는 co-sputtering 성장조건에 따라 성장된 SiGe의 박막 특성을 논의할 것이다.