• 한국통신학회논문지
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• 제27권4B호
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• pp.365-371
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• 2002

본 논문에서는 전자선 묘화 장비를 이용하여 게이트 길이가 0.2 $\mu\textrm{m}$ 이하인 밀리미터파용 전력 PHEMT 소자를 제작하고 DC 특성과 주파수 특성 그리고 전력 특성을 측정하고 분석하였다. PHEMT의 제작에 사용된 단위공정은 저 저항 오믹 접촉, 에어 브릿지 및 후면 가공 공정기술 등을 이용하였다. 제작된 전력용 PHEMT는 35 GHz의 중심주파수에서 4 dB의 S21 이득과 317 mS/mm의 최대 전달컨덕턴스 그리고 62 GHz의 차단주파수와 12G GHz의 최대 공진주파수를 나타내었다. 또한 측정된 전력 특성은 35.5 %의 드레인 효율과 16 dB의 최대 출력전력 그리고 4 dB의 전력 이득을 나타내었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권5호
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• pp.61-66
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• 1997

In this paper we report the fabrication of an InGaAs metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode(PD) which an InAlAs barrier enhancement layer that has very low dark current and high speed chracteristics. The detector using Cr/Au schottky metal fingers with 4um spacing on a large active area of 300*300um$^{2}$ offers a low dark current of 38nA at 10V, a low capacitance of 0.8pF, and a high 3-dB bandwidth of 2.4 GHz. To our knowledge, these characteristics are better than any previously published results obtained from large area InGaAs MSM PD's. The RC equivalent model and frequency domain current response model considering transit time were also used to analyze the frequency characteristic of the fabricated device.

• 한국재료학회지
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• 제22권4호
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• pp.185-189
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• 2012

We report plasma-assisted molecular beam epitaxy of $In_XGa_{1-X}N$ films on c-plane sapphire substrates. Prior to the growth of $In_XGa_{1-X}N$ films, GaN film was grown on the nitride c-plane sapphire substrate by two-dimensional (2D) growth mode. For the growth of GaN, Ga flux of $3.7{\times}10^{-8}$ torr as a beam equivalent pressure (BEP) and a plasma power of 150 W with a nitrogen flow rate of 0.76 sccm were fixed. The growth of 2D GaN growth was confirmed by $in-situ$ reflection high-energy electron diffraction (RHEED) by observing a streaky RHEED pattern with a strong specular spot. InN films showed lower growth rates even with the same growth conditions (same growth temperature, same plasma condition, and same BEP value of III element) than those of GaN films. It was observed that the growth rate of GaN is 1.7 times higher than that of InN, which is probably caused by the higher vapor pressure of In. For the growth of $In_xGa_{1-x}N$ films with different In compositions, total III-element flux (Ga plus In BEPs) was set to $3.7{\times}10^{-8}$ torr, which was the BEP value for the 2D growth of GaN. The In compositions of the $In_xGa_{1-x}N$ films were determined to be 28, 41, 45, and 53% based on the peak position of (0002) reflection in x-ray ${\theta}-2{\theta}$ measurements. The growth of $In_xGa_{1-x}N$ films did not show a streaky RHEED pattern but showed spotty patterns with weak streaky lines. This means that the net sticking coefficients of In and Ga, considered based on the growth rates of GaN and InN, are not the only factor governing the growth mode; another factor such as migration velocity should be considered. The sample with an In composition of 41% showed the lowest full width at half maximum value of 0.20 degree from the x-ray (0002) omega rocking curve measurements and the lowest root mean square roughness value of 0.71 nm.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.346-346
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• 2012

We investigated electrical and optical properties and chemical states of amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin films deposited at different substrate temperatures (from room temperature to $300^{\circ}C$). a-IGZO thin films were fabricated by radio frequency magnetron sputtering using $In_2O_3$ : $Ga_2O_3$ : ZnO = 1 : 1 : 1 target, and their electrical and optical properties and chemical states were investigated by Hall-measurement, UV-visible spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), respectively. The data showed that as substrate temperature increased, carrier concentration increased, but mobility, conductivity, transmittance in the shorter wavelength region (>350 nm), and the Tauc-plot-estimated optical bandgap decreased. XPS data indicated that the intensity of In 3d peak compared to Ga 3d peak increased but the intensity of Zn 3d peak compared to Ga 3d decreased, and that, from the deconvoluted O 1s peak, defects or oxygen vacancies and non-quaternary contents increased as the temperature increased. The relative intensity changes of the In, Zn, and O 1s sub-component are suggested to explain the changes in electrical and optical properties.

• 한국전산유체공학회지
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• 제6권3호
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• pp.10-18
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• 2001

Genetic Algorithm(GA) is applied to aerodynamic shape optimization and demonstrated its merits in global searching ability and the independency of differentiability. However, applications of GA are limited due to slow convergence rate, premature termination, and high computing costs. The present aerodynamic designs such as wing shape optimizations using GA have seldom been applied because of high computing costs. This paper has two objects; improvement of the efficiency of GA and application of GA into aerodynamic shape optimization for 2D and 3D wings. The study indicates that GA can be applied to aerodynamic design and its performance is comparable to traditional design methods.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.943-948
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• 2018

본 논문에서는 GaN MMIC를 활용하여 X-band 레이더용 SSPA모듈을 설계 및 제작하였다. SSPA의 구동 증폭기 단은 Gain Loss를 감안하여 GaN MMIC를 2단으로 구성하였다. 그리고 고출력 SSPA 모듈 구성을 위해 전력증폭단을 4단으로 설계함에 따라 전력분배기와 전력합성기는 4way 방식으로 설계하였다. 제작된 전력 분배기는 -3.0dB 이상의 손실을 나타내었으며, 전력합성기는 -0.2dB의 입출력 손실과 각 포트 간 위상차는 평균 $2^{\circ}$로 양호한 특성을 보이고 있다. 제작한 SSPA모듈 실험 측정 결과 9~10GHz 주파수 대역에서의 Gain은 48.0dB 이상인 것을 확인하였으며, P(sat)=88.3W (49.46dBm) 이상, PAE=30.3% 이상임을 확인하였다. 본 논문에서 제작된 X-Band SSPA 모듈 성능 확인과 전력분배기/합성기 개선을 통해 향후 SSPA모듈에 대한 RF성능 개선에 많이 활용될 수 있을 것이다.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제53권7호
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• pp.531-535
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• 2004

A new method is presented to construct a classifier. This was accomplished by combining a generalized regression neural network (GRNN) and a genetic algorithm (GA). The classifier constructed in this way is referred to as a GA-GRNN. The GA played a role of controlling training factors simultaneously. The GA-GRNN was applied to classify 4 different Promoter sequences. The training and test data were composed of 115 and 58 sequence patterns, respectively. The classifier performance was investigated in terms of the classification sensitivity and prediction accuracy. Compared to conventional GRNN, GA-GRNN significantly improved the total classification sensitivity as well as the total prediction accuracy. As a result, the proposed GA-GRNN demonstrated improved classification sensitivity and prediction accuracy over the convention GRNN.

• Applied Biological Chemistry
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• 제29권1호
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• pp.73-77
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• 1986

Auxin과 cytokinin 그리고 $GA_3$가 대두(Glycine max) 종자의 단백질 합성과 축적에 미치는 영향을 보기 위하여, 2,4-D와 BA 그리고 $GA_3$을 각각 $10^{-6},\;10^{-5},\;10^{-4}M$의 수용액으로 만들어 개화기에 식물체 전체에 살포 처리하고 개화 후 33일의 미숙종자와 77일의 완숙종자에 대한 단백질 전기영동 양상을 조사하였다. $GA_3$는 단백질 합성과 축적에 영향을 주지 않았으나 2,4-D와 BA는 일정농도에서 특정 단백질들의 축적에 영향을 주었다. 7S의 ${\alpha}$와 ${\alpha}'$ subunit, 11S의 acidic subunit 들이 2,4-D 혹은 BA처리에 의하여 나타나지 않았으며, 이 subunit들이 성숙종자에 없으나 미숙종자에는 있는 점으로 보아, 2,4-D나 BA는 이들의 함성을 저해하는 것이 아니고 축적과정의 어느 단계에서 이 subunit들의 분해 혹은 전환을 촉진하는 것으로 생각되었다. 2,4-D와 BA에 의해 위의 단백질이 성숙종자에 축적되지 않는 것은 어떤 단백질분해효소(metalloendopeptidase?)의 작용과 관련이 있는 것으로 보이며, 2,4-D나 BA는 성숙후기에 이 효소의 gene expression을 촉진하거나 활성을 증진시키는 것으로 생각되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.353-355
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• 1988

The properites of Zn-diffusion in III-V ternary alloy semiconductor $In_{1-x}Ga_{x}p$, which was grown by the temperature gradient solution (TGS) method, have been investigated. The composition, x, dependence of the Zn-diffusion coefficient at $850^{\circ}C$ and the activation energy for Zn-diffusion into $In_{1-x}Ga_{x}p$ were found to be $D850^{\circ}C$(x)= $3.935{\times}10^{-8}exp(-6.84{\cdot}x)$, and $E_{A}(x)=1,28+2,38{\cdot}x$, respectively. From this study, we confirm that the Zn-diffusion in $In_{1-x}Ga_{x}p$ was explainable with the diffusion mechanisms of the interstitial-substitutional, which was widely accepted mechanisms in the III-V binary semiconductors.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.134-134
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• 2010

Ga-In-Zn-O 물질은 비정질상태에서 높은 전하 운동성을 가지고 있으며 차세대 투명전극 thin film transistor 대안 소재로 각광받고 있다. 그런데 이 물질은 ion sputtering에 따라 전기적인 특성에 큰 변화가 관찰되고 있으며, 이는 표면에서의 화학적 상태가 전기적 특성을 좌우할 것이라는 것을 의미한다. 또한 보다 안정적이고 신뢰적인 소자를 구현하기 위해서는 ion sputtering에 의한 표면에서의 화학적 특성 변화를 이해하는 것이 매우 중요하다는 것을 의미한다. 본 연구에서는 $Ga_2O_3:In_2O_3$:ZnO의 비율이 각각 1:1:1, 2:2:1, 3:2:1 그리고 4:2:1인 시료를 $Ne^+$이온을 이용하여 sputtering하면서 표면에 민감한 분광분석 기법인 x-ray photoelectron spectroscopy와 x-ray absorption spectroscopy를 이용하여 분광정보의 변화들을 연구하였다. 실험에 의하면, Ga 3d의 양에 비해서 In 4d, Zn 3d의 양은 sputtering 시간에 따라서 각 각 양이 줄어들었으며, 전체적으로 보다 산화가가 높은 경향을 보였으며, valence band maximum 근처에 subgap state를 형성하는 것을 관찰하였다. 또한 sputtering을 계속하는 경우 In 3d, In 4d, 및 Fermi energy 근처에 metallic state가 형성되는 것을 관찰하였다. 이러한 subgap state와 metallic state의 관측은 각기 sputtering에 따라서, 아직 명확하지는 않지만, surface state의 형성 및/혹은 oxygen interstitial의 형성 그리고 metallic In의 형성 및/혹은 oxygen defect의 형성이 이루어지는 것을 의미한다.