• 제목/요약/키워드: Cz

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THE FORMATION MECHANISM OF GROWN-IN DEFECTS IN CZ SILICON CRYSTALS BASED ON THERMAL GRADIENTS MEASURED BY THERMOCOUPLES NEAR GROWTH INTERFACES

  • Abe, Takao
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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    • pp.187-207
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    • 1999
  • The thermal distributions near the growth interface of 150mm CZ crystals were measured by three thermocouples installed at the center, middle (half radius) and edge (10m from surface) of the crystals. The results show that larger growth rates produced smaller thermal gradients. This contradicts the widely used heat flux balance equation. Using this fact, it si confirmed in CZ crystals that the type of point defects created is determined by the value of the thermal gradient (G) near the interface during growth, as already reported for FZ crystals. Although depending on the growth systems the effective lengths of the thermal gradient for defect generation are varied, were defined the effective length as 10mm from the interface in this experiment. If the G is roughly smaller than 20C/cm, vacancy rich CZ crystals are produced. If G is larger than 25C/cm, the species of point defects changes dramatically from vacancies to interstitial. The experimental results which FZ and CZ crystals are detached from the melt show that growth interfaces are filled with vacancy. We propose that large G produces shrunk lattice spacing and in order to relax such lattice excess interstitial are necessary. Such interstitial recombine with vacancies which were generated at the growth interface, next occupy interstitial sites and residuals aggregate themselves to make stacking faults and dislocation loops during cooling. The shape of the growth interface is also determined by the distributions of G across the interface. That is, the small G and the large G in the center induce concave and convex interfaces to the melt, respectively.

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SAIT에서의 전극함몰형 태양전지에 관한 최근 연구동향 (Present status of buried contact solar cell research in Samsung advanced institute of technology (SAIT))

  • A.U. Ebong;S.H. Lee;D.S. Kim;Y.H. Cho;C.E. Cho
    • 한국결정성장학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.399-405
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    • 1996
  • 이 논문은 현재 삼성종합기술원에서 연구개발이 진행중인 태양전지의 현항을 소개하고, 미래의 연구를 예측해 보기위한 리뷰성 논문이다. 전극함몰형 태양전지의 공정결과를 기판별로 특성을 조사하고, 보다 저가 공정인 전극함몰형 양변 태양전지의 공정과 비교함으로서, 그 제작 가능성을 분석하였다. 양면 태양전지는 루프 타일형에 가장 적합한 것으로 사료되며, 변환효율은 18~20 %로 예상된다.

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Biofilm 생성이 토양흡착 나프탈렌 분해에 미치는 영향 (Effect of Biofilm Formation on Soil Sorbed Naphthalene Degradation)

  • 이광춘;정선용;박정훈
    • 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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    • 제14권6호
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    • pp.45-52
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    • 2009
  • 나프탈렌 분해균주인 Pseudomonas aeruginosa CZ6을 오염된 토양에서 분리하였으며 분리된 균주는 결정상태의 나프탈렌에 부착하고 그 주변에 extracellular polymeric substance를 분비하는 특성을 가졌다. LB, YM과 MSM 배지를 사용하여 배지의 종류에 따른 biofilm 생성량을 측정한 결과, LB 배지에서 biofilm이 가장 많이 생성되는 것으로 나타났다. 나프탈렌을 기질로 한 배양조건에서 균주는 기질의 농도 영향을 크게 받지 않고 0.10% 기질, 150 rpm 조건에서 최적 배양조건은 $30^{\circ}C$, pH 7로 나타났다. 두 가지 토양에서 배지의 종류에 따른 나프탈렌의 분해특성을 관찰한 결과 초기에는 MSM 배지에서 나프탈렌이 가장 많이 분해가 되었다. 그러나 생물이용성이 제한을 받는 조건에서 LB 배지의 나프탈렌이 가장 빨리 제거가 되었다. 이런 결과는 biofilm의 형성과 extracellular polymeric substance 생성이 토양에 흡착된 잔류 나프탈렌의 생물학적 이용성을 향상시키기 때문인 것으로 사료된다.

Corn Zein을 코팅한 카라기난 필름의 제조 및 특성 (Formation and Properties of Corn Zein Coated ${\kappa}-Carrageenan$ Films)

  • 임종환;박정욱;정순택;박현진
    • 한국식품과학회지
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    • 제29권6호
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    • pp.1184-1190
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    • 1997
  • Corn zein을 코팅한 carrageenan복합필름을 미리 제조한 carrageenan필름을 polyethylene glycol (20% (w/w) of CZ)과 glycerol (24% (w/w) of CZ)을 함유하는 corn zein 용액(10, 20 and 30% in 95% ethyl alcohol)에 침지하여 제조하였다. 각 필름에 대하여 수증기투과도, 수분용해도, 팽윤도, 인장강도, 연신도, 열접착강도 및 색도를 측정하였다. carrageenan필름의 수증기 투과도는 corn zein 용액의 농도가 증가할수록 유의적인 차이(p<0.05)를 나타내며 감소하였다. 필름의 수분 용해도와 팽윤도는 corn zein 용액의 농도가 증가할수록 직선적으로 감소하였으며, 인장강도 역시 코팅용액의 농도에 대하여 직선적인 감소를 나타냈다. 코팅용액의 농도에 관계없이 모든 코팅필름은 열접착특성을 갖는것으로 나타내었으며, 이들의 열접착강도는 corn zein 필름의 약 절반에 미달하는 수준이었다. corn zein으로 코팅을 함으로 필름의 색도의 변화를 나타냈는데 이는 황색도(Hunter b-value)의 증가에 기인하였다.

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Effect of salicylic acid and yeast extract on curcuminoids biosynthesis gene expression and curcumin accumulation in cells of Curcuma zedoaria

  • Lan, Truong Thi Phuong;Huy, Nguyen Duc;Luong, Nguyen Ngoc;Quang, Hoang Tan;Tan, Trinh Huu;Thu, Le Thi Anh;Huy, Nguyen Xuan;Loc, Nguyen Hoang
    • Journal of Plant Biotechnology
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    • 제46권3호
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    • pp.172-179
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    • 2019
  • The aim of this study is to evaluate the effect of yeast extract (YE) and salicylic acid (SA) on the expression of curcuminoid-biosynthesis genes (CzDCS and CURS1-3), and accumulation of curcumin in Curcuma zedoaria cell cultures. The results showed that, in cells treated with YE or SA, the expression levels of curcuminoid genes were 1.14- to 3.64-fold higher than the control (untreated cells), in which the YE exhibited a stronger effect in comparison with SA. Curcumin accumulation also tended to be similar to gene expression, curcumin contents in YE- or SA-treated cells were 1.61- to 2.53-fold higher than the control. The SA treatment at the fifth day of culture stimulated the curcumin accumulation and expression in all four genes compared to that at the beginning. While the YE treatments gave different results, the CzCURS1 and CzCURS3 genes were expressed strongly in cells that were treated at the beginning. However, the CzDCS and CzCURS2 genes showed the opposite expression pattern, they were activated strongly in the treatments at day five of the culture. However, the content of curcumin reached its maximum value on the fifth day of culture in all investigations.

복합세라믹 담체를 이용한 돈분 퇴비화 연구 (Composting of the Pig Manure Used with the Ceramic Biocarrier)

  • 황준영;이종은;장기운
    • 유기물자원화
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    • 제11권2호
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    • pp.110-116
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    • 2003
  • 본 연구는 부숙촉진 미생물이 배양된 복합세라믹 담체를 처리하여 고속발효기를 통한 돈분 퇴비화 과정 중 퇴비 부숙도와 품질안정성을 분석하여 그 이용성과 효용성을 평가하기 위해 수행하였다. 각 처리구는 대조구(C), 미생물 처리구(M), 미생물 및 천연 제올라이트 처리구(M+Z). 미생물 및 합성 제올라이트 처리구(M+SZ), 미생물 및 복합세라믹 담체 처리구(M+CZ)등 5개의 처리구를 두고 실험을 실시하였다. 이에 대한 결과는 다음과 같았다. 온도 변화는 미생물제재 및 제올라이트의 첨가 유무와 종류에 상관없이 모든 처리구에서 유사한 온도변화를 보였으며, 미생물처리구가 대조구보다 약간 온도가 높은 결과를 나타났다. pH 변화는 대조구보다 모든 처리구에서 높게 나타났으며, M+CZ와 M+SZ 처리구에서 다소 높았다. 그리고 T-C, T-N 및 C/N율의 결과를 보면 총탄소의 변화는 M+CZ 처리구가 가장 감소폭이 큰 것으로 나타났으며, M+Z 처리구도 대조구와 미생물처리구보다 감소가 두드러졌다. 전질소는 각 처리구별로 1.4~1.8% 정도였으며, 처리구간의 큰 변화는 없었다. 또한 C/N비는 총탄소의 변화가 큰 M+CZ 처리구와 M+SZ 처리구에서 대조구와 미생물 처리구보다 다소 낮은 결과로 약 21.4~23.3의 결과를 보였다. 부숙도 평가를 위한 식물독성시험 결과 역시 M+CZ 처리구와 M+SZ 처리구에서 가장 높은 약 110 정도의 G.I 값을 나타내었다. 결론적으로 복합세라믹 담체를 이용한 돈분 퇴비화 과정중 퇴비의 이화학적 특성변화와 부숙 안정도의 측면에서 볼 때 그 효용성이 인정되었다고 판단된다.

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Global analysis of heat transfer in Si CZ furnace with specular and diffuse surfaces

  • Hahn, S.H.;Tsukada, T.;Hozawa, M.;Maruyama, S.;Imaishi, N.
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 14TH KACG TECHNICAL MEETING AND THE 5TH KOREA-JAPAN EMGS (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM)
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    • pp.45-48
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    • 1998
  • For the single crystal growth of silicon, a global analysis of heat transfer in a CZ furnace was carried out using the finite element method, where the radiative heat transfer between the surfaces that possess both specular and/or diffuse reflectance components was taken into account, and then the effect of the specular reflection of the crystal and/or melt on the CZ crystal growth was numerically investigated.

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결정질 실리콘 태양전지의 광열화 현상 결함 분석

  • 김수민;김영도;박성은;이해석;김동환
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.485.2-485.2
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    • 2014
  • Cz-Si 태양전지가 빛에 노출 되거나 소수 캐리어를 주입하는 경우 시간이 경과함에 따라서 전환 효율이 점점 감소하는 문제가 발생하는데 일반적으로 광열화(Light Induced Degradation) 현상이라고 명명한다. 이러한 현상은 준안정상태로 존재하는 결함들에 의해서 발생되는 것으로 연구되고 있으며 대표적인 결함으로 Cz-Si 물질 내부에 존재하는 B-O 결합이 있다. 광열화가 발생하는 명확한 기전은 아직 연구중에 있지만, 최근의 몇몇 연구결과들이 B농도와 O농도 사이의 상호관계에 대하여 밝혀냈다. 본 연구에서는 실시간으로 LID 현상을 관측하였으며, 초기상태와 비교하여 LID 이후에 열화 되는 특성들을 살펴보았다.

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Analysis of Aluminum Back Surface Field on Different Wafer Specification

  • 박성은;배수현;김성탁;김찬석;김영도;탁성주;김동환
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.216-216
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    • 2012
  • The purpose of this work is to investigate a back surface field (BSF) on variety wafer resistivity for industrial crystalline silicon solar cells. As pointed out in this manuscript, doping a crucible grown Cz Si ingot with Ga offers a sure way of eliminating the light induced degradation (LID) because the LID defect is composed of B and O complex. However, the low segregation coefficient of Ga in Si causes a much wider resistivity variation along the Ga doped Cz Si ingot. Because of the resistivity variation the Cz Si wafer from different locations has different performance as know. In the light of B doped wafer, we made wider resistivity in Si ingot; we investigated the how resistivities work on the solar cells performance as a BSF quality.

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긴 시간지연을 갖는 단결정 실리콘 성장기(Crystal Grower - FF CZ150)의 자동 직경 제어 시스템 (Automatic Diameter Control System with Long Time-Delay for Crystal Grower (FF - CZ150))

  • 박종식;김종훈;양승현;이석원
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.2089-2092
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    • 2002
  • The PID controller have the simple structure and show the comparatively good control performance. Crystal Grower(FF-CZ150) melt polycrystalline silicon at the temperature of about 1450$^{\circ}C$, then grow it into a single crystalline ingot. The automatic diameter control system of the Crystal Grower has a good performance with only PD control. But it contain the integrator in the plant which has a long time delay. In this paper, we show the secondary approximate model and applies time delay controller which has good performance for the plant with long time delay. It will be able to improve the response characteristic against a standard input and a load disturbance.

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