• 제목/요약/키워드: Current Mirror

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UHF RFID 응용을 위한 NMOS 게이트 교차연결 전류미러형 브리지 정류기의 설계 및 해석 (Design and Analysis of a NMOS Gate Cross-connected Current-mirror Type Bridge Rectifier for UHF RFID Applications)

  • 박광민
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권6호
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    • pp.10-15
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    • 2008
  • 본 논문에서는 UHF RFID 응용을 위한 새로운 NMOS 게이트 교차연결 전류미러형 브리지 정류기를 제시하였다. 제시된 정류기의 직류 변환 특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 주파수 증가에 따른 게이트 누설전류를 회로적인 방법으로 줄일 수 있는 게이트 커패시턴스 감소 기법을 이론적으로 제시하였다. 구해진 결과, 제안한 정류기는 기존의 게이트 교차 연결형 정류기와 거의 같은 직류 출력전압 특성을 보이면서도, 게이트 누설전류가 1/4 이하로 감소하고, 부하저항에서의 소비전력도 30% 이상 감소하며, 부하저항의 변화에 대해 보다 안정적인 직류전압을 공급함을 알 수 있었다. 또한 제안한 정류기는 13.56MHz의 HF(for ISO 18000-3)부터 915MHz의 UHF(for ISO 18000-6) 및 2.45GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 충분히 높고 잘 정류된 직류 변환 특성을 보여 특정 주파수 대역을 사용하는 다양한 RFID 시스템의 트랜스폰더 칩 구동을 위한 범용 정류기로 사용될 수 있다.

전류미러회로를 이용한 직류전류센서의 비직성의 특성조사 (A study of Current Senser Using Current Mirror Circuit)

  • 유수엽;하재열;윤희상
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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    • pp.256-257
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    • 2006
  • 전류 미러회로를 이용한 직류 전류 센서를 이용하면 간단하게 전류센서회로를 구성할 수 있다. 더우기 Shunt 저항에서 낮은 전압을 이용하므로 효율적인 전류감지회로를 구성할 수 있다. 그러나 트랜지스터의 에미터 베이스 전압을 이용하므로 비 직선성이 두드러진다. 이 회로의 전류센서, 온도특성등 여러 전기적 물리적 특성을 이해하고 이를 마이크로프로세서를 이용하여 그 특성을 상쇄하는 구성을 고려하여 보기로 한다.

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가변형 저항 센서를 위한 새로운 방식의 인터페이스 회로 설계에 관한 연구 (The Study about the New Method of Interface Circuit Design for Variable Resistive Sensors)

  • 김동용;박지만;차형우;정원섭
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.749-752
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    • 1999
  • A new interface circuit for variable resistive sensors is proposed. The interface circuit compose of only two strain gages, a voltage-to-current converter, and current mirror with two outputs. A new dual slope A/D converter based on linear operational transconductance amplifier for the testing of prototype interface circuit is also described. The theory of operation is presented and experimental results are used to verify the theoretical predictions. The results show close agreement between predicted behaviour and experimental performance.

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저전압 SRAM 의 고속동작을 위한 전류감지 증폭기 (A current sense amplifier for low-voltage and high-speed SRAM)

  • 박현욱;심상원;정연배
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.727-730
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    • 2005
  • In this paper, we propose a new current sense amplifier for low-voltage, high-speed SRAM. As a supply voltage is reduced, a sensing delay is increased owing to reduced cell read current. It causes a low-speed operation in SRAM. To overcome this problem, we present a new current sense amplifier which consists of the current-mirror type circuit with feedback structure. For demonstration, a 0.8-V, 256-Kb SRAM incorporating the proposed current sense amplifier has been designed with $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. The simulation results show 15.6ns of the sensing delay reduction in comparison with a previous current sense amplifier and 11.5ns of the sensing delay reduction in comparison with a voltage sense amplifier.

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A 3V-50MHz analog CMOS continuous time current-mode filter with a negative resistance load

  • 현재섭;윤광섭
    • 한국통신학회논문지
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    • 제21권7호
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    • pp.1726-1733
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    • 1996
  • A 3V-50MHz analog CMOS continuous-time current-mode filter with a negative resistance load(NRL) is proposed. In order to design a current-mode current integrator, a modified basic current mirror with a NRL to increase the output resistance is employed. the inherent circuit structure of the designed NRL current integrator, which minimizes the internal circuit nodes and enhances the gain bandwidth product, is capable of making the filter operate at the high frequency. The third order Butterworth low pass filter utilizing the designed NRL current integrator is synthesized and simulated with a 1.5.mu.m CMOS n-well proess. Simulation result shows the cutoff frequency of 50MHz and power consumption of 2.4mW/pole with a 3V power supply.

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갈륨비소 MESFET를 이용한 고이득 연산 증폭기의 입력단 설계 (Design of High-Gain OP AMP Input Stage Using GaAs MESFETs)

  • 김학선;김은노;이형재
    • 한국통신학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.68-79
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    • 1992
  • 고속 아날로그 시스템,위성통신시스템, video signal processing 및 processing 및 optical fiber interface 회로등에서 높은 전자이동도로 인하여 고주파 툭성이 우수한 GaAs 연산 증폭기는 필수적인 구성 요소이다. 하지만, 낮은 전달컨덕턱스 및 low frequency dispersion등의 현상 때문에 높은 전압이득을 얻을 수 없다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 GaAs MESFETfmf 이용한 증폭기의 이득을 증가시키기 위한 기법을 비교분석하고 기존의 전류미러와 새로운 구성의 전류 미러를 설계하여 회로의 안정화를 꾀하였다. 높은 차동전압이득을 얻기 위하여 단일 증폭기의 bootstrap 이득증가기법을 이용하여 차종입력 회로를 구성하였으며, 회로의 안정도 및 우수한 주파수 특성을 얻기 위하여 common mode feedback을 사용하였다. Pspice를 통한 시뮬레이션 결과 설계된 회로의 이득이 18.6dB 향상되었고 안정도 및 주파수 특성면에서 우수함을 확인할 수 있었다.

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A CMOS Bandgap Reference Voltage Generator for a CMOS Active Pixel Sensor Imager

  • Kim, Kwang-Hyun;Cho, Gyu-Seong;Kim, Young-Hee
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제5권2호
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    • pp.71-75
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    • 2004
  • This paper proposes a new bandgap reference (BGR) circuit which takes advantage of a cascode current mirror biasing to reduce the V$\_$ref/ variation, and sizing technique, which utilizes two related ratio numbers k and N, to reduce the PNP BJT area. The proposed BGR is designed and fabricated on a test chip with a goal to provide a reference voltage to the 10 bit A/D(4-4-4 pipeline architecture) converter of the CMOS Active Pixel Sensor (APS) imager to be used in X-ray imaging. The basic temperature variation effect on V$\_$ref/ of the BGR has a maximum delta of 6 mV over the temperature range of 25$^{\circ}C$ to 70$^{\circ}C$. To verify that the proposed BGR has radiation hardness for the X-ray imaging application, total ionization dose (TID) effect under Co-60 exposure conditions has been evaluated. The measured V$\_$ref/ variation under the radiation condition has a maximum delta of 33 mV over the range of 0 krad to 100 krad. For the given voltage, temperature, and radiation, the BGR has been satisfied well within the requirement of the target 10 bit A/D converter.

전류 모드 4치 논리 기술을 이용한 고성능 $8{\times}8$ 승산기 설계 (Design of a High Performance $8{\times}8$ Multiplier Using Current-Mode Quaternary Logic Technique)

  • 김종수;김정범
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 A
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    • pp.267-270
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    • 2003
  • This paper proposes high performance $8{\times}8$ multiplier using current-mode quaternary logic technique. The multiplier is functionally partitioned into the following major sections: partial product generator block(binary-quaternary logic conversion), current-mode quaternary logic full-adder block, quaternary-binary logic conversion block. The proposed multiplier has 4.5ns of propagation delay and 6.1mW of power consumption. Also, this multiplier can easily adapted to binary system by the encoder, the decoder. This circuit is simulated under 0.35um standard CMOS technology, 5uA unit current, and 3.3V supply voltage using Hspice.

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볼록거울 영상에서 일어나는 영상 겹침 극복을 위한 비선형적 디블러링 알고리즘 (Nonlinear Deblurring Algorithm on Convex-Mirror Image for Reducing Occlusion)

  • 이인정
    • 정보처리학회논문지A
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    • 제13A권5호
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    • pp.429-434
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    • 2006
  • 볼록거울을 사용하여 CCTV시스템을 만들면 카메라 수를 줄이는 효과가 있다. 이 경우 볼록거울 영상은 횐 영상이므로 평면영상처럼 변환해야 한다. 이 경우에, 중앙에 비추인 영상은 평면 영상으로 변환 후에도 왜곡이 거의 없지만 거울의 테두리 부근에서 얻은 영상을 변환하면 왜곡이 심하게 나타나서 영상 내의 물체를 식별하기가 어려워진다. 이는 볼록거울의 특성으로, 입사각이 겹쳐지면서 생기는 영상 겹침이 일어나기 때문이다. 거기에다 먼 곳에서 오는 빛의 산란과 그로 인한 블러링이 영상을 왜곡 시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 이러한 왜곡을 극복하기 위해 편이 등고선 확장 방법과 비선형 파동방정식의 후진대입 해를 이용하여 빛의 산란효과를 줄이는 방법을 제안한다. 보통의 선형적 방법으로는 주파수 영역에서 푸리에 변수가 겹치는 신호로부터 블러드 노이즈를 분리해 낼 수가 없음은 알려져 있다. 그러나 비선형 변분법적 공식을 사용하면 그 블러드 노이즈 제거에 큰 효과를 볼 수 있다. 본 논문의 제안요소는 이 변분법적 공식을 사용하기 전에 편이 등고선 확장정리를 사용하여 영상겹침을 줄이고 파동방정식을 사용하여 산란효과를 줄이는 방법을 사용하는 것이다. 제안 결과를 분석하기 위해 PSNR값을 조사하였더니 파동방정식을 사용한 결과가 사용하지 않은 기존결과에 비해 4dB정도 개선된 값을 보였다.

자동차 모니터를 이용한 스마트폰 미러링크 방법 및 효용성에 관한 융복합 연구 (Convergence Study on the Method and Effectiveness of Mirror Linking Smartphones to Automobiles)

  • 강희라
    • 디지털융복합연구
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    • 제14권4호
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    • pp.379-385
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    • 2016
  • 최근 IT 기업들에서 미래 산업으로 자동차에 관한 관심이 지속적으로 증가 하고 있다. 구글, 애플, 삼성과 같은 IT전문 기업들이 자동차 산업에 뛰어 들어 커넥티드카 분야에 많은 연구를 집중 하고 있다. 이러한 시점에서 커넥티드카의 개념에 대해 알아 보고 현재 커넥티드카의 여러 방법 중 하나인 미리링크에 관해 알아 본다. 또한 이러한 커넥티드카의 과도기적인 시점에서 아이폰을 이용한 미러링크의 한 방법을 제안하고 이것을 이용한 커넥티드카의 활용방법에 대해 알아보는 것을 본 연구의 목적으로 한다. 이러한 제안은 현재 자동차를 구매한 많은 사람들이 추가 비용을 들이지 않고 앞으로 출시될 커넥티드카의 기능을 포함 하고 있는 자동차를 미리 경험 할 수 있는 기회가 될 것이며 사용하고 있는 스마트 폰을 통해 자동차를 커넥티드카로 만들 수 있는 경험을 하게 될 것이다.