• 제목/요약/키워드: Cu-Pc

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금속 전극 변화에 따른 CuPc Field-effect Transistor의 전기적 특성 (Electrical Properties of CuPc Field-effect Transistor with Different Metal Electrodes)

  • 이호식;박용필
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.494-495
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    • 2007
  • Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was room temperature. The source and drain electrodes were used an Au and Al materials. The CuPc thickness was 40nm, and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3mm. We observed a typical current-voltage (I-V) characteristics in CuPc FET with different electrode materials.

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CuPc FET의 기판온도에 따른 제작 및 전기적 특성 연구 (Fabrication and Electrical Properties of CuPc FET with Different Substrate Temperature)

  • 이호식;박용필;임은주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.488-489
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    • 2007
  • Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different substrate temperature. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was room temperature and $150^{\circ}C$. The CuPc thickness was 40nm, and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3mm. We observed a typical current-voltage (I-V) characteristics in CuPc FET.

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CuPC PET의 기판온도에 따른 전기적 특성 연구 (Electrical Properties of CuPC FET with Varying Substrate Temperature)

  • 이호식;천민우;박용필
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.110-114
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    • 2009
  • 최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자소자분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는CuPc 물질을 기본으로 하여 소자를 제작하고, 또한 기판의 온도를 달리 하여 제작하였다. CuPc FET 소자는 top-contact 방식으로 제작하였으며, 기판의 온도는 상온과 $150^{\circ}C$로 달리 하였다. 또한 CuPc의 두께는 40nm로 하였고, 채널의 길이는 $50{\mu}m$, 폭은 3mm로 하였다. 제작된 소자를 이용하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

Rubrene:CuPc 정공 수송층이 도입된 p-i-n형 유기 박막 태양전지의 성능 특성 연구 (Performance Characteristics of p-i-n type Organic Thin-film Photovoltaic Cell with Rubrene:CuPc Hole Transport Layer)

  • 강학수;황종원;강용수;이혜현;최영선
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제48권5호
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    • pp.654-659
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    • 2010
  • 박막형 유기 태양전지의 효율 향상을 위하여 정공 수송층인 CuPc 층에 p형 유기 반도체인 rubrene을 함량 별로 도핑하여 ITO/PEDOT:PSS/CuPc: rubrene/CuPc:C60(blending ratio 1:1)/C60/BCP/Al의 이종접합구조를 가지는 p-i-n형 유기 박막형 태양전지 소자를 제조한 후, 유기 태양전지의 전류 밀도-전압(J-V) 특성, 단락 전류($J_{sc}$), 개방 전압($V_{oc}$), 충진 인자(fill factor:FF), 에너지 전환 효율(${\eta}_e$) 등을 측정하고 계산하여 성능 평가를 수행 하였다. 정공 수송층으로 사용된 CuPc 층에 rubrene을 도핑함으로써 에너지 흡수 스펙트럼에서 흡수 강도가 감소하였다. 그러나 CuPc 보다 큰 밴드갭을 가지며 높은 정공 이동도를 가지는 결정성 rubrene의 도핑에 의해 제조된 p-i-n형 유기 박막 태양전지의 성능은 향상 되는 것으로 확인되었다. 제조된 유기 태양전지의 에너지 전환 효율(${\eta}_e$)은 1.41%로 실리콘 태양전지와 비교해서 아직도 성능 향상을 위한 많은 노력이 필요함을 보여 준다.

Electronic Structure of Organic/organic Interface Depending on Heteroepitaxial Growth Using Templating Layer

  • Lim, Hee Seon;Kim, Sehun;Kim, Jeong Won
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • 제23권6호
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    • pp.351-356
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    • 2014
  • The electronic structure at organic-organic interface gives essential information on device performance such as charge transport and mobility. Especially, the molecular orientation of organic material can affect the electronic structure at interface and ultimately the device performance in organic photovoltaics. The molecular orientation is examined by the change in ionization potential (IP) for metal phthalocyanines (MPc, M=Zn, Cu)/fullerene ($C_{60}$) interfaces on ITO by adding the CuI templating layer through ultraviolet photoelectron spectroscopy measurement. On CuPc/$C_{60}$ bilayer, the addition of CuI templating layer represents the noticeable change in IP, while it hardly affects the electronic structure of ZnPc/$C_{60}$ bilayer. The CuPc molecules on CuI represent relatively lying down orientation with intermolecular ${\pi}-{\pi}$ overlap being aligned in vertical direction. Consequently, in organic photovoltaics consisting of CuPc and $C_{60}$ as donor and acceptor, respectively, the carrier transport along the direction is enhanced by the insertion of CuI templaing layer. In addition, optical absorption in CuPc molecules is increased due to aligned transition matrix elements. Overall the lying down orientation of CuPc on CuI will improve photovoltaic efficiency.

입실론 프탈로시아닌의 합성 및 특성에 대한 연구 (Synthesis and Characteristic of ${\epsilon}$-type Copper Phthalocyanine Used as Color Filter in LCD Panel)

  • 김재환;김송혁;김성진;홍성수;이근대;박성수
    • 공업화학
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    • 제23권2호
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    • pp.138-142
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    • 2012
  • 블루 안료 15 : 6이라 불리는 ${\epsilon}$ 결정상의 동프탈로시아닌(${\epsilon}$-CuPc)는 LCD 패널에서 청색화소를 제공하는 중요한 소재로써, 본 연구에서는 ${\epsilon}$-CuPc 시료를 ${\epsilon}$-CuPc 나노 입자를 seed로 이용하는 방법으로 여러 조건에서 합성하여 적합한 용매 및 온도조건 등을 규명하였고, 이를 미리 합성한 ${\alpha}$${\beta}$ 결정상의 CuPc 시료들과 비교함으로써 ${\epsilon}$-CuPc 시료의 결정상, 결정 순도, 합성 수율 및 미세구조를 상호 비교 분석하였다. 시료들의 화학 구조 및 결정 구조는 푸레어 변환 적외선(FT-IR) 분광기 및 X선 회절 분석기(XRD)를 이용하여 각각 비교 분석하였다. 또한, 입자의 형상 및 크기는 주사 전자현미경(FE-SEM)으로 비교 분석하였고, 열적 특성은 열중량분석기(TGA)를 이용하여 비교 분석하였다.

두 가지 타입의 CuPC FET 전극 구조에서의 전기적 특성 (Electrical Properties of CuPc FET Using Two-type Electrode Structure)

  • 이원재;이호식
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제24권12호
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    • pp.988-991
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    • 2011
  • We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different device structure as a bottom and top contact FET. Also, we used a $SiO_2$ as a gate insulator and analyzed using a current-voltage (I-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device. In order to discuss the channel formation, we were observed the capacitance-gate voltage(C-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device.

정공 주입층 CuPc 두께 변화에 따른 유기 발광 소자의 발광 특성 (Electroluminescent Properties of Organic Light-emitting Diodes Depending on the Thickness of CuPc Hole-injection Layer)

  • 이정복;김경환;김태완;이원재
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제26권12호
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    • pp.899-903
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    • 2013
  • We investigated the luminescence properties of $Alq_3$ in the device structure of ITO/CuPc/TPD/$Alq_3$/Al. The CuPc as a hole-injection material and TPD as hole-transport material. Emission properties were measured by varying a layer thickness of CuPc (0 nm to 50 nm), which is the hole-injection layer. As a result, it was found that the hole injection occurs smoothly when the layer thickness was 20 nm among the thicknesses from 0 nm to 50 nm.

CuPc 두께 변화 및 채널 길이 변화에 따른 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 연구 (Electrical Properties with Varying CuPc Thickness and Channel Length of the Field-effect Transistor)

  • 이호식
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제20권1호
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    • pp.47-52
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    • 2007
  • Organic field-effect transistors (OFETS) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with varying channel length. The CuPc FET device was made a top-contact type and the channel length was a $100\;{\mu}m,\;50\;{\mu}m,\;40\;{\mu}m,\;and\;30\;{\mu}m$ and the channel width was a fixed at 3 mm. We observed a typical current-voltage (I-V) characteristics in CuPc FET with varying channel length (L) and we calculated the effective mobility. Also, we measured a capacitance-voltage (C-V) by applied bias voltage with varying frequency at 43, 100, 1000 Hz.

CuPc/Au 계면에서의 온도 변화에 따른 표면전위 특성 (Surface Potential Properties of CuPc/Au Interface with Varying Temperature)

  • 이호식;박용필
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권10호
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    • pp.934-937
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    • 2008
  • Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. So we need the effect of the substituent group attached to the phthalocyanine on the surface potential was investigated by Kelvin probe method with varying temperature of the substrate. We were obtained the positive shift of the surface potential for CuPc thin film. We observed the electron displacement at the interface between Au electrode and CuPc layer and we were confirmed by the surface potential measurement.