• 제목/요약/키워드: Cu(copper)

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유기발광소자내 정공주입층 Copper(II)-phthalocyanine의 결정 및 광원에 따른 Photocurrent 증폭 연구 (Photocurrent Multiplication Process in OLEDs Due to a Crystalline of Hole Injection Layer of Copper(II)-phthalocyanine and a Light Irradiation)

  • 임은주;박미화;윤순일;이기진;차덕준;김진태
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제16권7호
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    • pp.622-626
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    • 2003
  • We report the electrical properties of organic light emitting diodes (OLEDs) depending on the crystal structure of hole injection layer of copper(II)-phthalocyanine(CuPc) and the light irradiation the carrier mobility of copper(II)-phthalocyanine(CuPc) of light source. OLEDs were constructed with indium tin oxide(ITO)/CuPc/triphenyl-diamin(TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq$_3$)/Al.Photocurrent multiplication of OLEDs was varied by the heat-treatment condition of CuPc thin film and the light irradiation.

Synthesis and Characterization of Dichloro and Dibromo(2-(dimethylaminomethyl)thiophene) Copper(II) Complexes

  • Kim, Young-Inn;Choi, Sung-Nak;Ro, Chul-Un
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제15권7호
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    • pp.549-553
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    • 1994
  • The 2-(dimethylaminomethyl)thiophene (dmamt) complexes with copper(II) chloride and bromide were prepared and characterized by optical, EPR, XPS spectroscopies and magnetic susceptibility measurements. The low-energy absorption band above 850 nm and the relatively small EPR hyperfine coupling constant ($A_{//}{\simeq}$125 G) indicate the pseudotetrahedral site symmetry around copper(II) ion both in Cu(dmamt)$Cl_2$ and Cu(dmamt)$Br_2$ complexes. The higher satellite to main peak intensity of Cu $2P_{3/2}$ core electron binding energy in XPS spectra also supports the pseudotetrahedral geometry around the copper(II) ions having $CuNSX_2$ chromophores. The distortion from square-planar to pseudotetrahedral symmetry is likely to arise from the steric hindrance of the bulky dmamt ligand in the complex. Magnetic susceptibility study shows that these compounds follow Curie-Weiss law in the temperature range of 77-300 K with positive Weiss constant exhibiting the ferromagnetic interaction between copper(II) ions in solid state.

다층배선을 위한 구리박막 형성기술 (Deposition Technology of Copper Thin Films for Multi-level Metallizations)

  • 조남인
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제9권3호
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    • pp.1-6
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    • 2002
  • A low temperature process technology of copper thin films has been developed by a chemical vapor deposition technology for multi-level metallzations in ULSI fabrication. The copper films were deposited on TiN/Si substrates in helium atmosphere with the substrate temperature between $130^{\circ}C$ and $250^{\circ}C$. In order to get more reliable metallizations, effects on the post-annealing treatment to the electrical properties of the copper films have been investigated. The Cu films were annealed at the $5 \times10^{-6}$ Torr vacuum condition and the electrical resistivity and the nano-structures were measured for the Cu films. The electrical resistivity of Cu films shown to be reduced by the post-annealing. The electrical resistivity of 2.0 $\mu \Omega \cdot \textrm{cm}$ was obtained for the sample deposited at the substrate temperature of $180^{\circ}C$ after vacuum annealed at $300^{\circ}C$. The resistivity variations of the films was not exactly matched with the size of the nano-structures of the copper grains, but more depended on the contamination of the copper films.

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실험계획법을 통한 구리 질화물 패시베이션 형성을 위한 아르곤 플라즈마 영향 분석 (Analysis of Ar Plasma Effects for Copper Nitride Passivation Formation via Design of Experiment)

  • 박해성;김사라은경
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제26권3호
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    • pp.51-57
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    • 2019
  • 구리 표면을 대기 중의 산화로부터 보호하기 위해서 아르곤(Ar)과 질소($N_2$) 가스를 이용하는 two-step플라즈마 공정으로 산화 방지층인 구리 질화물 패시베이션 형성을 연구하였다. Ar 플라즈마는 구리 표면에 존재하는 이물질을 제거하는 동시에 표면을 활성화시켜 다음 단계에서 진행되는 $N_2$ 플라즈마 공정 시 질소 원자와 구리의 반응을 촉진시키는 역할을 수행한다. 본 연구에서는 two-step 플라즈마 공정 중 Ar 플라즈마 공정 조건이 구리 질화물 패시베이션 형성에 미치는 영향을 실험계획법의 완전요인설계를 통하여 분석하였다. XPS 분석에 의하면 Ar 플라즈마 공정 시 낮은 RF 파워와 압력을 사용할 경우 구리 산화물 피크(peak) 면적은 감소하고, 반대로 구리 질화물(Cu4N, Cu3N) 피크 면적은 증가하였다. Ar 플라즈마 공정 시 구리 질화물 형성의 주 효과는 RF 파워로 나타났으며 플라즈마 공정 변수간 교호작용은 거의 없었다.

염소가스에 의한 철 스크랩 중 Cu의 선택적 제거 (Selective Removal of Cu in Ferrous Scrap by Chlorine gas)

  • 이소영;손호상
    • 자원리싸이클링
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    • 제27권5호
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    • pp.54-60
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    • 2018
  • 철 스크랩으로부터 제조되는 철강재의 품질은 재활용 스크랩 중의 미량원소에 의해 악영향을 받는다. 특히 철 스크랩 중의 Cu는 소량이라도 그 영향이 크기 때문에 주의하여야 하는 원소이다. 본 연구에서는 철 스크랩 중의 Cu를 염소가스에 의해 선택적으로 제거할 수 있는 가능성에 대해서 실험실적으로 검토하였다. Cu를 함유하는 모의 철 스크랩을 여러 가지 분위기의 염소가스와 반응시켰다. 실험결과 Cu는 염화되어 증발되었으나, Fe는 염소와 산소의 혼합가스 분위기에서는 표면만 산화되고 염화되지 않았다.

2차원 격자 형태의 구리 배위 고분자: Bromo(pyrazine)copper(I), [CuBr(pyz)]의 합성 및 구조 (A Two-dimensional Grid of Copper (I) Coordination Polymer: Preparation and Structure of Bromo(pyrazine)copper(I), [CuBr(pyz)])

  • 백지영;김한나;이연경
    • 한국결정학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.5-8
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    • 2004
  • Copper(I) bromide(CuBr) 와 pyrazine($C_4H_4N_2$, pyz)의 수열 반응으로 2차원 배위 고분자 [CuBr(pyz)] (1)이 얻어졌다. X-ray 구조 결정 결과, 고분자 1은 4.0${\times}$5.7 ${\AA}$ 크기를 갖는 직사각형 격자들을 토대로 한 2차원 그물 망 구조를 갖고 있었다. 고분자 1은 b-축 방향으로 통로(channel)를 갖고 있다.

Fabrication and characterization of Copper/Silicon Nitride composites

  • Ahmed, Mahmoud A.;Daoush, Walid M.;El-Nikhaily, Ahmed E.
    • Advances in materials Research
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    • 제5권3호
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    • pp.131-140
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    • 2016
  • Copper/silicon nitride ($Cu/Si_3N_4$) composites are fabricated by powder technology process. Copper is used as metal matrix and very fine $Si_3N_4$ particles (less than 1 micron) as reinforcement material. The investigated powder were used to prepare homogenous ($Cu/Si_3N_4$) composite mixtures with different $Si_3N_4$ weight percentage (2, 4, 6, 8 and10). The produced mixtures were cold pressed and sintered at different temperatures (850, 950, 1000, $1050^{\circ}C$). The microstructure and the chemical composition of the produced $Cu/Si_3N_4$ composites were investigated by (SEM) and XRD. It was observed that the $Si_3N_4$ particles were homogeneously distributed in the Cu matrix. The density, electrical conductivity and coefficient of thermal expansion of the produced $Cu/Si_3N_4$ composites were measured. The relative green density, sintered density, electrical conductivity as well as coefficient of thermal expansion were decreased by increasing the reinforcement phase ($Si_3N_4$) content in the copper matrix. It is also founded that the sintered density and electrical conductivity of the $Cu/Si_3N_4$ composites were increased by increase the sintering temperature.

사료중의 Cu 수준이 한우 거세우의 성장 및 도체특성에 미치는 영향 (Effect of Dietary Copper Levels on Performance and Carcass Characteristics in Hanwoo Steers)

  • 안병홍;조희웅;하경
    • Journal of Animal Science and Technology
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    • 제47권4호
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    • pp.583-592
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    • 2005
  • 한우 거세우에 대한 Cu의 급여효과를 규명하기 위하여 농후사료중의 Cu 수준을 사료 kg당 7 mg, 12 mg 또는 17 mg의 3개 처리구에 각 5두씩 계 15두를 공시하여 435일간 비육시험을 실시한 결과는 다음과 같다. 일당증체량은 비육전기, 비육중기 및 비육후기 전기간에 걸처 Cu 7mg, 12mg 또는 17 mg 급여구간에 차이가 없었고 비육 전기간 평균에서도 각각 0.75, 0.76, 0.75kg으로서 처리구간에 유의적인 차이는 없었다. 사료섭취량은 처리구간에 비육전기에는 9.21-9.64 kg, 비육중기에는 9.53-9.75kg, 비육후기에는 10.09-10.93 kg으로 비육시기별로 큰 차이가 없었고 비육전기간에는 9.86-10.21 kg으로 처리구간에 큰 차이가 없었다. 사료효율은 비육전기에는 11.08-11.72, 비육중기에는 13.60-14.34, 비육후기에는 14.01- 15.20으로 처리구간에 큰 차이는 없었고 비육전기간에서도 13.31-13.99로 처리간에 차이가 없었다. 한우 거세우에게 Cu를 급여하였을 때 도체율은 58.4-59.2%로 처리구간에 차이는 없었다. 육량등급중에서 등지방두께는 8.2-10.4 mm로 처리구간에 큰 차이는 없었다. 배최장근단면적은 대조구와 12 mg 및 17 mg 급여구가 각각 78.4, 82.2 및 79.8 $cm^2$로 처리구간에 차이는 없었다. 육량지수는 68.10-68.91로서 처리구간에 차이는 없었다. 육량등급은 모두 B 등급으로서 처리구간에 차이가 없었다. 육질등급에서 가장 중요한 요인인 근내지방도는 Cu 7mg, 12mg 또는 17mg 급여구가 각각 3.6, 4.8 및 4.2로서 12 mg 첨가구가 약간 높게 나타났으나 처리구간에 유의적인 차이는 없었다. 육색, 지방색, 조직감 그리고 성숙도 등에서도 Cu 첨가구간에 큰 차이가 없었다. 육질등급은 처리구간에 모두 1등급을 받았고 Cu 수준간에 차이가 없었다. 경제성분석 결과 조수익은 대조구에서는 두당 2,577,483원, Cu 12mg 급여구는 2,920,432원, Cu 17mg 급여구는 2,653,227원으로써 Cu 12 mg 급여구가 7mg 급여구에 비해 13.3%, 17 mg 급여구에 비해 10.1%가 높게 나타났다. 이상과 같은 결과들을 종합해 볼 때 한우 거세우에게 농후사료 중에 Cu를 사료 kg당 7, 12 또는 17 mg을 넣어 주었을 때 성장, 육량 및 육질등급에서는 처리간에 차이가 없었으나 경제성에서는 12 mg 급여구가 조수익이 높았다.

Cu2O Thin Film Photoelectrode Embedded with CuO Nanorods for Photoelectrochemical Water Oxidation

  • Kim, Soyoung;Kim, Hyojin
    • 한국표면공학회지
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    • 제52권5호
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    • pp.258-264
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    • 2019
  • Assembling heterostructures by combining dissimilar oxide semiconductors is a promising approach to enhance charge separation and transfer in photoelectrochemical (PEC) water splitting. In this work, the CuO nanorods array/$Cu_2O$ thin film bilayered heterostructure was successfully fabricated by a facile method that involved a direct electrodeposition of the $Cu_2O$ thin film onto the vertically oriented CuO nanorods array to serve as the photoelectrode for the PEC water oxidation. The resulting copper-oxide-based heterostructure photoelectrode exhibited an enhanced PEC performance compared to common copper-oxide-based photoelectrodes, indicating good charge separation and transfer efficiency due to the band structure realignment at the interface. The photocurrent density and the optimal photocurrent conversion efficiency obtained on the CuO nanorods/$Cu_2O$ thin film heterostructure were $0.59mA/cm^2$ and 1.10% at 1.06 V vs. RHE, respectively. These results provide a promising route to fabricating earth-abundant copper-oxide-based photoelectrode for visible-light-driven hydrogen generation using a facile, low-cost, and scalable approach of combining electrodeposition and hydrothermal synthesis.

산성황산동 용액 내에서 동판위에 녹청 형성에 관한 기초적 조사 (An Investigation on the Patination of Copper in Acidic Copper Sulfate Solution)

  • 윤승열
    • 한국표면공학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.77-85
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    • 1972
  • A method of preparation of synthetic ignorgaic coating on copper (patina) has been presented . An Eh--pH diagram was constructed for the present Cu-H2O-SO$_4$ system using the most recently available thermodynamic data. In the path of the patination at room temperature the general behaviour of copper in acidic copper sulfate solutions with potassium chlorate as an oxidizing agent appeared to follow those predictable in this Eh-pH diagram. In the presence 0.05 molar cupric sulfate at a temperature of about 28$^{\circ}C$ a green brochantite (CuSO$_4$$.$3Cu(OH)$_2$) layer was formed on copper sheet in 20 days. In a solution having an initial pH of 3.5 the development of a brochantite coating has been observed to take place in two stages. In the first, a layer of cuprous oxide formed on the copper at a relatively rapid rate. In the ensuing step the outer layer of cuptrite was oxidized at much slower rate to form brochantite. The syntetic coatings appeared to consist of crystal-lites of brochanitite growing perpendicular to the cuprose oxide surface. The outer tips of the -crystallites were reasily broken off and gave to the layer a rather chalky character. Underneath, at the brochantite Cu$_2$O interface, however, the green layers were firmely attached. The effect of reagent concentration , solution agitation , and moderate temperature increase were investigated to improve the quality of coating. So also in a qualitative way were the effect of light.

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