• Animal Bioscience
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• 제35권3호
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• pp.484-493
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• 2022

Objective: This study was conducted to evaluate the effects of the supplementation of diets of broiler chickens with hot-melt extruded CuSO₄ (HME-Cu) on their growth performance, nutrient digestibility, gut microbiota, small intestinal morphology, meat quality, and copper (Cu) bioavailability. Methods: A total of 225 broilers (Ross 308), one-day old and initial weight 39.14 g, were weighed and distributed between 15 cages (15 birds per cage) in a completely randomized experimental design with 3 treatments (diets) and 5 replicates per treatment. Cages were allotted to three treatments including control (without supplemental Cu), IN-Cu (16 mg/kg of CuSO₄), and HME-Cu (16 mg/kg of HME processed CuSO₄). Results: The HME-Cu treatment tended to increase the overall body weight gain (p<0.10). The apparent digestibility of Cu was increased by supplementation of HME-Cu at phase 2 (p<0.05). The Escherichia coli count in cecum tended to decrease with the supplementation with Cu (p<0.10). In addition, the HME-Cu treatment had a higher pH of breast meat than the control and IN-Cu treatments (p<0.05). Significant increases in the cooking loss, water-holding capacity, and lightness in the breast were observed in the HME-Cu treatment compared to the control (p<0.05). The Cu content of excreta increased with the Cu supplementation (p<0.05). The concentration of excreta Cu in broilers was decreased in the HME-Cu compared to the IN-Cu in phase 2 (p<0.05). The Cu concentration in the liver was increased with the HME-Cu supplementation, compared with the control diets (p<0.05). Conclusion: This study showed that HME-Cu supplementation at the requirement level (16 mg/kg diets) in broiler diets did not affect the growth performance and the physiological function of Cu in broilers. However, supplementation of Cu in HME form improved the meat quality and the bioavailability of Cu.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권2호
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• pp.91-97
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• 2014

본 연구에서는 고속 전단시험의 변형속도를 500 mm/s로 설정한 상태에서 Sn-Ag-Cu계(Sn-1.0wt.%Ag-0.5Cu 및 Sn-4.0Ag-0.5Cu)뿐만이 아니라 4종의 4원계 Sn-Ag-Cu-In 조성(Sn-1.0Ag-0.5Cu-1.0In, Sn-1.2Ag-0.5Cu-0.4In, Sn-1.2Ag-0.5Cu-0.6In, Sn-1.2Ag-0.7Cu-0.4In)을 포함하는 무연 솔더 접합부의 솔더링 직후 및 시효 시간에 따른 파면 생성결과, 접합강도 및 접합부 파괴에너지값의 변화를 측정, 비교해 보았다. 그 결과, 리플로우 솔더링 직후 및 $125^{\circ}C$에서의 500 시간 시효까지 주로 연성 파괴모드 및 준연성 파괴모드가 관찰되었으며, 준연성 파괴모드의 발생 빈도를 분석할 때 고속 전단조건에서 상용 무연 솔더 조성인 Sn-3.0Ag-0.5Cu 이상의 연성파괴 특성을 나타내는 것으로 파악되었다. 또한 4원계 무연 솔더 조인트는 평균적으로 Sn-Ag-Cu계 조성 수준의 파단에너지값을 나타내었는데, 약 100 시간의 시효 후 최고의 파단에너지값이 관찰되었으나 500 시간의 시효 후에는 파단에너지값의 확연한 감소가 관찰되어 500 시간의 시효시점부터 솔더 접합 계면부의 신뢰성 감소가 가속화되는 경향을 관찰할 수 있었다.

• 비파괴검사학회지
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• 제31권1호
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• pp.32-39
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• 2011

본 연구에서는 Cu와 Cu-Zn 합금의 저주기 피로 동안 발달한 전위 하부조직의 변화를 비파괴적으로 구분하고 평가하고자 하였다. 비파괴시험으로 초음파속도, 전기비저항 그리고 양성자소멸시간을 측정하였다. 서로 다른 적층결함 에너지를 갖는 Cu와 Cu-Zn에 대해 반복피로시험을 수행하고 이들 재료에서의 전위거동과 비파괴평가 파라미터와의 상관성을 연구하였다. Cu는 전위셀 하부구조를 형성하였지만, Cu-Zn 합금은 피로 사이클에 따라서 전위밀도는 증가하고 단지 평면배열의 전위구조를 형성하였다. 상온에서의 반복적인 피로에 의해 발달한 격자결함인 전위와 공공으로 인해 초음파속도의 감소, 전기비저항의 증가 그리고 양성자 소멸시간이 증가하였다. 비파괴평가파라미터의 지속적인 변화를 보이는 평면배열의 전위구조를 갖는 Cu-Zn에서와 달리, Cu에서는 전위셀구조가 발달하면서 더 이상의 큰 변화를 보이지 않았다.

• Journal of Nutrition and Health
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• 제41권8호
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• pp.691-700
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• 2008

본 연구는 착상 후 단계의 쥐 배아와 난황낭을 대상으로 구리 결핍이 NO 하부 신호전달체계에 영향을 주는지를 알아보기 위한 것으로, 연구 결과는 다음과 같이 요약할 수 있다. 첫째, 구리 결핍은 정상적인 배아 및 난황낭 발달을 억제하고, NO의 생물학적 이용도와 아세틸콜린에 대한 NO dose-response를 낮추었다. 둘째, 구리 결핍은 NO의 하부 신호전달 물질인 cGMP 수준을 감소시켰으나, NO/cGMP 하부 신호전달체계 표적 중 하나인 P-VASP에는 영향을 미치지 않았다. 셋째, 구리 결핍 배양액에 NO donor를 첨가하는 것은 구리 결핍 배아와 난황낭의 기형 발생 빈도를 구리 정상군과 비슷한 수준으로 개선시켰다. 넷째, NO donor 첨가는 구리 결핍군에서 감소되었던 cGMP의 농도를 유의적으로 증가시켰지만, P-VASP에는 영향을 미치지 않았다. 상기 연구 결과들은 구리 결핍으로 인한 NO의 생물학적 이용도의 감소가 기형발생의 주요 발생 기전이라는 것을 뒷 받침하고 있다. 또한, 임상적으로 임신 기간 중 적절한 구리 섭취의 중요성을 강조한다.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.135-140
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• 1998

고온($350^{\circ}C$)에서 polyimide위에 증착한 Cu의 초기성장 과정과 Cu/polyimide계면에서 의 반응물 형성에 관하여 XPS를 이용하여 관찰하였다. Polyimide 위에 고온 중에서의 Cu 증착시, 상온에서와는 달리 초기에는 Cu-C-N complex가 먼저 형성되고, 다음에 Cu-N-O complex가 주가 되어 Cu/Polyimide 계면을 형성하고, Cu의 증착두께가 증가함에 따라 Cu 산화물에서 서서히 metallic Cu로 성장하는 것을 볼 수 있었다. 그리고 반응물 형성 관점에 서, Cu 고온 증착시에 형성된 Cu/polyimide의 계면이 상온에서 이루어진 계면보다 상당히 예리함을 볼 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제6권4호
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• pp.314-320
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• 1997

XPS를 이용하여 공기 중에 노출된 TiN박막과 상온 증착된 Cu사이의 계면에서의 화학적 반응과 전자 구조적인 변화를 조사하였다. Ti(2p), O(1s), N(1s), Cu(2p) core-level과 Cu LMM Auger line의 spectrum을 보면, Cu의 증착두께가 증가하여도 peak의 위치 뿐만 아니라 line shape이 전혀 변화하지 않는다. 그리고 XPS에 의한 valence bands를 보아도 전 혀 변화가 없다. 이것은 공기 중에 노출된 TiN박막과 Cu사이의 계면에서 Cu화합물의 어떠 한 형태도 존재하지 않을 뿐만 아니라 전자 구조적인 면에서도 전혀 변화가 없음을 의미한 다. 계면에서 Cu가 화학적 반응을 일으키지 않는 것은 계면접합력을 나쁘게 하는 요인이 된 다. 우리는 계면에서의 화학 반응 또는 전자구조의 변화에 대한 연구를 통하여 Cu와 TiN박 막의 계면접합력을 이해할 수 있었다.

• Journal of Ecology and Environment
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• 제30권3호
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• pp.271-276
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• 2007

A simple and efficient protocol was developed for culturing Cu-tolerant and Cu-accumulating plants via pre-adaptation to Cu during plant tissue culture. We induced multiple shoots from begonia (Begonia evansiana Andr.) leaf explants on MS medium supplemented with naphtaieneacetic acid and benzyladenine. After 3 months, small plantlets were transferred to MS medium supplemented with $100{\mu}M\;CuCl_2$ for pre-adaptation to Cu and cultured for 5 months. Then, these plantlets were individually planted in pots containing artificial soil. An additional 500 mg of Cu dissolved in 1/4 strength MS solution was applied to each pot during irrigation over the course of 2 months. We planted pre-adapted and control begonias in soil from the II-Kwang Mine, an abandoned Cu mine in Pusan, Korea, to examine their ability to tolerate and accumulate Cu for phytore-mediation. Pre-adapted begonias accumulated $1,200{\mu}g$ Cu/g dry root tissue over the course of 45 days. On the other hand, non-Cu-adapted controls accumulated only $85{\mu}g$ Cu/g dry root tissue. To enhance Cu extraction, chelating agents, ethylenediamine tetraacetic acid (EDTA)-dipotassiun and pyridine-2,6-dicarboxylic acid (PDA), were applied. While the chelating agents did not enhance accumulation of Cu in the roots of control begonias, EDTA application increased the level of Cu in the roots of pre-adapted begonias twofold (to $2,500{\mu}g$ Cu/g dry root tissue). Because pre-adapted begonias accumulated a large amount of Cu, mainly in their roots, they could be used for phytostabilization of Cu-contaminated soils. In addition, as a flowering plant, begonias can be used to create aesthetically pleasing remediation sites.

• 한국진공학회지
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• 제15권1호
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• pp.45-49
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• 2006

깨끗한 Cu(110)와 산소가 흡착된 Cu(110) 표면에 Cu 성장에 의한 광학적 이방성의 변화를 RDS를 이용하여 연구하였다. 250K에서 Cu를 성장하면서 성장 모드와 산소의 계면활성제 효과를 확인하였다. 두 표면에 Cu를 성장하면서 4,25eV 봉우리의 규칙적인 변화를 확인하여 layer-by-layer 모드를 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.193-196
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• 2001

Single phase $CuInS_2$ thin film with the highest diffraction peak (112) at diffraction angle $(2\theta)$ of $27.7^{\circ}$ and the second highest diffraction peak (220) at diffraction angle $(2\theta)$ of $46.25^{\circ}$ was well made with chalcopyrite structure at substrate temperature of $70^{\circ}C$, annealing temperature of $250^{\circ}C$, annealing time of 60 min. The $CuInS_2$ thin film had the greatest grain size of $1.2{\mu}m$ and Cu/In composition ratio of 1.03. Lattice constant of a and c of that $CuInS_2$ thin film was 5.60 A and 11.12 A respectively. Single phase $CuInS_2$ thin films were accepted from Cu/In composition ratio of 0.84 to 1.3. P-type $CuInS_2$ thin films were appeared at over Cu/In composition ratio of 0.99. Under Cu/In composition ratio of 0.96, conduction types of $CuInS_2$ thin films were n-type. Also, fundamental absorption wavelength, the absorption coefficient and optical energy band gap of p-type $CuInS_2$ thin film with Cu/In composition ratio of 1.3 was 837 nm, $3.0{\times}104cm^{-1}$ and 1.48 eV respectively. When Cu/In composition ratio was 0.84, fundamental absorption wavelength, the absorption coefficient and optical energy band gap of n-type $CuInS_2$ thin film was 821 nm, $6.0{\times}10^4cm^{-1}$ and 1.51 eV respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.152-153
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• 2007

$CuInSe_2$ single crystal thin film was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. After the as-grown $CuInSe_2$ single crystal thin films was annealed in Cu-, Se-, and In-atmospheres, the origin of point defects of $CuInSe_2$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of $V_{Cu}$, $V_{Se}$, $Cu_{lnt}$, and $Se_{lnt}$ obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted $CuInSe_2$ single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that In in $CuInSe_2$/GaAs did not form the native defects because In in $CuInSe_2$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.