Abstract
We investigated the initial growth mode of Cu deposited on polyimide at high temperature($350^{\circ}C$) using x-ray photoelectron spectroscopy. We could find that when Cu is sputter-deposited on the polyimide at high temperature, Cu-C-N complex is formed first, Cu-N-O complex and Cu-oxide are mainly formed successively, and then funally metallic Cu grows. In the chemical reaction point of view, the interface of Cu/polyimide at high temperature is than that at room temperature.
고온($350^{\circ}C$)에서 polyimide위에 증착한 Cu의 초기성장 과정과 Cu/polyimide계면에서 의 반응물 형성에 관하여 XPS를 이용하여 관찰하였다. Polyimide 위에 고온 중에서의 Cu 증착시, 상온에서와는 달리 초기에는 Cu-C-N complex가 먼저 형성되고, 다음에 Cu-N-O complex가 주가 되어 Cu/Polyimide 계면을 형성하고, Cu의 증착두께가 증가함에 따라 Cu 산화물에서 서서히 metallic Cu로 성장하는 것을 볼 수 있었다. 그리고 반응물 형성 관점에 서, Cu 고온 증착시에 형성된 Cu/polyimide의 계면이 상온에서 이루어진 계면보다 상당히 예리함을 볼 수 있었다.
