• 제목/요약/키워드: Crystal Growths

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비접촉 SPL기법을 이용한 단결정 실리콘 웨이퍼 표면의 극초단파 펄스 전기화학 초정밀 나노가공 (Nanomachining on Single Crystal Silicon Wafer by Ultra Short Pulse Electrochemical Oxidation based on Non-contact Scanning Probe Lithography)

  • 이정민;김선호;김택현;박정우
    • 한국생산제조학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.395-400
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    • 2011
  • Scanning Probe Lithography is a method to localized oxidation on single crystal silicon wafer surface. This study demonstrates nanometer scale non contact lithography process on (100) silicon (p-type) wafer surface using AFM(Atomic force microscope) apparatuses and pulse controlling methods. AFM-based experimental apparatuses are connected the DC pulse generator that supplies ultra short pulses between conductive tip and single crystal silicon wafer surface maintaining constant humidity during processes. Then ultra short pulse durations are controlled according to various experimental conditions. Non contact lithography of using ultra short pulse induces electrochemical reaction between micro-scale tip and silicon wafer surface. Various growths of oxides can be created by ultra short pulse non contact lithography modification according to various pulse durations and applied constant humidity environment.

수평 Bridgeman법으로 성장된 사파이어기판 가공 및 GaN 박막성장 (GaN epitaxial growths on chemically and mechanically polished sapphire wafers grown by Bridgeman method)

  • 김근주;고재천
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권5호
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    • pp.350-355
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    • 2000
  • 수평 Bridgeman방식으로 성장된 C축 방향의 사파이어 결정기판을 연마 가공하였으며, 또한 유기금속 기상화학 증착 방법으로 사파이어 기판 위에 GaN 박막을 증착하였다. 사파이어 인고트를 성장하여 2인치 사파이어 기판으로 이용하였으며 웨이퍼 절편장치 및 연마장치를 개발하였다. 이러한 다단계의 연마 가공은 기판 표면을 경면화하였다. 표면 평탄도 및 조도는 원자힘현미경으로 측정하였다. 개발된 사파이어 기판위에 성장된 GaN 박막의 특성 및 청색광소자로의 응용 가능성을 확인하였다.

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$CaMoO_4$ 결정 형태의 전개 (Morphology evolution of $CaMoO_4$ crystals)

  • 최은지;허영덕
    • 한국결정성장학회지
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    • 제18권5호
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    • pp.184-190
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    • 2008
  • 단순 침전법으로 타원, 땅콩, 아령, 바디가 있는 구형 모양의 $CaMoO_4$ 결정을 합성하였다. $Ca^{2+}$ 이온과 $MoO_4^{2-}$ 이온 농도가 증가함에 따라서 $CaMoO_4$의 형태는 차원형에서 땅콩 모양과 아령 모양을 거쳐서 마디가 있는 구형 모양으로 전개됨을 확인하였다. 이러한 $CaMoO_4$ 결정의 형태의 전개는 프랙탈 메커니즘에 기인한다. 타원형의 양 끝 부분에서부터 가지를 치면서 결정 성장이 시작된다. 1차와 2차 프랙탈 성장에 의해서 땅콩 모양과 아령 모양이 각각 형성되었다. 아령 모양에서 더 프랙탈 성장을 하여 최종적으로 마디가 있는 구형이 형성되었다.

하이드레이트 결정 성장에 관한 억제제의 영향 연구 (Effects of Thermodynamic Inhibitors on Hydrate Crystal Growth)

  • 정다운;차민준
    • 산업기술연구
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    • 제40권1호
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    • pp.25-32
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    • 2020
  • In this study, the effects of thermodynamic hydrate inhibitors on hydrate formation and dissociation behaviors were identified. The nucleation and growth of CP hydrate in the presence of methanol were monitored by optical microscope. Cyclopentane was used to demonstrate the oil phase in the pipeline in this study. Hydrate morphology, required time for hydrate formation, hydrate dissociation temperature were also identified by experiments. With the addition of methanol in water solution, the hydrate nucleation as well as hydrate growth were delayed. Moreover, hydrate morphology was also varied with the addition of methanol. Hydrate formation and dissociation temperature also decrease as the concentration of methanol increases.

고중력에서 MFI 형 Zeolite 인 Silicalite 결정의 합성 및 성장에 관한 연구 (A study on the synthesis and crystal growth of the MFI type zeolite, silicalite under highgravity)

  • 김화중;이준
    • 공업화학
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    • 제2권2호
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    • pp.97-107
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    • 1991
  • 실리카가 많이 함유된 제올라이트 즉 silicalite(end member of ZSM-5)를 2.55 $Na_2O-5.0$ TPABr-100 $SiO_2-2800H_2O $ 조성으로 $180^{\circ}C$에서 7일간 반응시켜 합성하였다. Silicalite 합성을 위한 최초 반웅물들이 담겨진 autoclave들은 반응기간 중 고중력장을 얻기 위하여 특수제작된 열풍식 항온조 내에서 원심분리되었다. 반응은 1, 30 및 50G에서 수행되었다. 30 및 50G의 고중력하에서 합성된 silicalite의 평균 및 최대 결정크기는 동일 조건하의 1G에서 합성된 결정들보다 현저하게 증가되었고, 수율도 4 %에서 55 %정도까지 약 11배가 증가되었다. 1G에서 얻어진silicalite 결정의 평균크기는 1 일에서 7 일에 걸친 전 반응기간을 통하여 $50-70{\mu}m$에 불과한 반면, 30 및 50G에서 얻어진 결정의 평균크기는 $160-190{\mu}m$로 2-3배 증가된 결과가 나타났다. 더욱 특이할만한 현상으로 고중력하에서는 핵심생성과 결정성장이 뚜렷하게 2 단계에 걸쳐 나타남이 관측되었다. 예로써 50G하에서는 단지 2 내지 3 일간의 반응 후에 평균 $135\mu}m$ 정도의 silicalite 결정이 생성되는 비교적 빠른 제 1 성장단계(first growing stage)를 보였고, 이어 5일에 이르기까지 평균 $200{\mu}m$ 정도의 결정이 되는 매우 빠른 제 2 성장단계(second growing stage)가 관찰되었다. 위의 2 단계 결정성장과정에서 얻어진 최대결정 크기는 각각 190 및 $300{\mu}m$이었다. 고중력이 결정핵 생성, 성장, 수율 및 silicalite 결정의 크기에 미치는 영향들에 관하여 자세히 논의하였다.

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