We have examined the co-doping effects of 1/2 mol% NiO and 1/4 mol% $Cr_2O_3$ (Ni:Cr = 1:1) on the reaction, microstructure, and electrical properties, such as the bulk defects and the grain boundary properties, of ZnO-$Bi_2O_3-Sb_2O_3$ (ZBS; Sb/Bi = 0.5, 1.0, and 2.0) varistors. The sintering and electrical properties of Ni,Cr-doped ZBS, ZBS(NiCr) varistors were controlled using the Sb/Bi ratio. Pyrochlore ($Zn_2Bi_3Sb_3O_{14}$), ${\alpha}$-spinel ($Zn_7Sb_2O_{12}$), and ${\delta}-Bi_2O_3$ were detected for all of compositions. For the sample with Sb/Bi = 1.0, the Pyrochlore was decomposed and promoted densification at lower temperature by Ni rather than by Cr. A homogeneous microstructure was obtained for all of the samples affected by ${\alpha}$-spinel. The varistor characteristics were not dramatically improved (non-linear coefficient, ${\alpha}$ = 5~24), and seemed to form ${Zn_i}^{{\cdot}{\cdot}}$(0.17 eV) and ${V_o}^{\cdot}$(0.33 eV) as dominant defects. From impedance and modulus spectroscopy, the grain boundaries were found to have been divided into two types, i.e., one is tentatively assigned to ZnO/$Bi_2O_3$ (Ni,Cr)/ZnO (0.98 eV) and the other is assigned to a ZnO/ZnO (~1.5 eV) homojunction.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.7
no.2
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pp.334-340
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1997
Electric and dielectric properties of the $SrTiO_3$films have been studied. The influence of impurities on $SrTiO_3$ films was evaluated to reduce the leakage current density. Acceptor doping, with a small concentration of Fe or Cr, has led to a substantial improvement to $10^{-9}$ order in the leakage current density. The experimental results can be explained by a model in which oxygen vacancies are the key defects responsible for the leakage current. The $SrTiO_3$ film 200 nm in thickness with 5 mol% excess SrO fabricated in $Ar/O_2$ at $550^{\circ}C$ obtained the lowest leakage current density $1.0 {\times} 1.0 A/\textrm{cm}^2$. The improved results can be introduced into the capacitor dielectric of giga bit DRAM memories.
Kim, Sung-Baek;Ryu, Hong-Joo;Kim, Je-Hoon;Kim, Chul-Sung
Journal of Magnetics
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v.8
no.4
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pp.129-132
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2003
We investigated the crystallographic and magnetic properties of double perovskite $Sr_2Fe_{l-x}Cr_{x}MoO_{6}$ (x=0.0, 0.01, 0.03, 0.05, and 0.10). Mossbauer spectra of the $Sr_2Fe_{l-x}Cr_{x}MoO_{6}$ have been taken at various temperatures ranging from 15 to 415 K. As the temperature increased towards $T_{c}$(415 K), the Mossbauer spectra showed line broadening and 1, 6 and 3, 4 line-width differences because of anisotropic hyperfine field fluctuation. The Mossbauer spectra indicated that an anisotropic field fluctuation of +H ( $P_{+}$=0.85) was greater than that of -H ($P_{-}$=0.15). We also calculated the field fluctuation frequency factors and the temperature dependence of anisotropy energies from its relaxation rate. We interpreted the effect of Cr ($t^3$$_{2g}$) doping as a decrease in the anisotropy energy.
The photocatalytic performance of $TiO_2$ thin films coated on porous alumina balls using various aqueous $TiOCl_2$ solutions as starting precursors, to which 1.0 $mol\%$ transition metal ($Ni^{2+},\;Cr^{3+},\;Fe^{3+},\;Nb^{3+},\;and\;V^{5+}$) chlorides had been already added, has been investigated, together with characterizations for $TiO_2$ sols synthesized simultaneously in the same autoclave through hydrothermal method. The synthesized $TiO_2$ sols were all formed with an anatase phase, and their particle size was between several nm and 30 nm showing ${\zeta}-potential$ of $-25{\sim}-35$ mV, being maintained stable for over 6 months. However, the $TiO_2$ sol added with Cr had a much lower value of -potential and larger particle sizes. The coated $TiO_2$ thin films had almost the same shape and size as those of the sol. The pure $TiO_2$ sol showed the highest optical absorption in the ultraviolet light region, and other $TiO_2$ sols containing $Cr^{3+},\;Fe^{3+}\;and\;Ni^{2+}$ showed higher optical absorption than pure sol in the visible light region. According to the experiments for removal of a gas-phase benzene, the pure $TiO_2$ film showed the highest photo dissociation rate in the ultraviolet light region, but in artificial sunlight the photo dissociation rate of $TiO_2$ coated films containing $Cr^{3+},\;Fe^{3+}\;and\;Ni^{2+}$ was measured higher together with the increase of optical absorption by doping.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.247.1-247.1
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2016
Low-cost, high efficiency solar cells are tremendous interests for the realization of a renewable and clean energy source. ZnTe based solar cells have a possibility of high efficiency with formation of an intermediated energy band structure by impurity doping. In this work, ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe structures were fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. A pulsed (10 Hz) Nd:YAG laser operating at a wavelength of 266 nm was used to produce a plasma plume from an ablated a ZnTe target, whose density of laser energy was 10 J/cm2. The base pressure of the chamber was kept at approximately $4{\times}10-7Torr$. ZnTe:Cr and i-ZnTe thin films with thickness of 210 nm were grown on p-Si substrate, respectively, and then ZnO thin films with thickness of 150 nm were grown on ZnTe:Cr layer under oxygen partial pressure of 3 mTorr. Growth temperature of all the films was set to $250^{\circ}C$. For fabricating ZnO/i-ZnTe and ZnO/ZnTe:Cr solar cells, indium metal and Ti/Au grid patterns were deposited on back and front side of the solar cells by using thermal evaporator, respectively. From the fabricated ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe solar cell, dark currents were measured by using Keithley 2600. Solar cell parameters were obtained under Air Mass 1.5 Global solar simulator with an irradiation intensity of 100 mW/cm2, and then the photoelectric conversion efficiency values of ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe solar cells were measured at 1.5 % and 0.3 %, respectively.
Kim, Hyo-Jin;Kim, Hyoun-Soo;Kim, Do-Jin;Ihm, Young-Eon;Choo, Woong-Kil;Hwang, Chan-Yong
Journal of Magnetics
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v.13
no.3
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pp.88-91
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2008
This study examined the effect of Sn co-doping on the transport and magnetic properties of Cr-doped $In_2O_3$ thin films grown on (100) silicon substrates by pulsed laser deposition. The experimental results showed that Sn co-doping enhances the magnetization and appearance of the anomalous Hall effect, and increases the carrier (electron) concentration. These results suggest that the conduction carrier plays an important role in enhancing the ferromagnetism of a laser-deposited Cr-doped $In_2O_3$ film, which may have applications in transparent oxide semiconductor spin electronics devices.
Chromium-doped zinc ferrite nanoparticles with the general formula CryZnFe2-yO4 (y = 0, 0.025, 0.05, 0.075, and 0.1) were synthesized by a surfactant-assisted chemical co-precipitation route using metal nitrate salt precursors. The phase purity and structural parameters were determined by powder X-ray diffraction. The concentration of Cr3+ doped into ZnFe2O4 (ZF) noticeably affected the crystallite size, which was in the range of 22 nm to 36 nm, and all samples showed a single cubic spinel structure without any secondary phase or impurities. The lattice parameter, X-ray density, and skeletal density increased with an increase in the Cr-doping concentration; on the other hand, a decreasing trend was observed for the particle size and porosity. The influence of Cr3+ substitution on ZF magnetic properties were studied under an applied field of 15 kOe. The overall results revealed that the incorporation of a small amount of Cr dopant changed the structural, electrical, and magnetic properties of ZF.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.625-628
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2002
The electrical properties of the praseodymium-based ZnO varistor ceramics, which are composed of Zn-Pr-Co-Cr-Dy oxides were investigated with $Dy_2O_3$ amount. The average grain size of varistor ceramics was greatly decreased from 18.2 to 4.6 pm with increasing $Dy_2O_3$ amount. The calculated nonlinear exponent$({\alpha})$ in varistor ceramics without $DY_2O_3$ was only 4.9, whereas the a value of the varistors with $DY_2O_3$ was abruptly increased in the range of 48.8 to 58.6. In particular, the maximum value of a was obtained by doping of 1.0 mol% $DY_2O_3$, reaching 58.6. The measured leakage current$(I_l)$ value in varistors without $DY_2O_3$ was $85.45{\mu}A$, whereas the $I_{\ell}$ value of the varistors with $DY_2O_3$ was very abruptly decreased in the range of 1.10 to $0.12{\mu}A$. In particular, the minimum value of $I_{\ell}$ was obtained by doping of 0.5 mol% $DY_2O_3$, reaching $0.12{\mu}A$. The tan $\delta$ varied in V-shape, with minimum 2.28% at 0.5 mol% $DY_2O_3$. The donor concentration and the density of interface states were decreased in the range of $(4.66{\sim}0.25){\times}10^{18}cm^3$ and $(5.70{\sim}1.39){\times}10^{12}/cm^2$, respectively, as $DY_2O_3$ amount is increased.
Dual-frequency ultrasound assisted photocatalysis (DUAP) method was proposed to degrade a stable organic model effluent, cresol red (CR), using the prepared $Fe^{3+}$-doped $TiO_2$ with active carbon fiber loading ($Fe^{3+}-TiO_2/ACF$) as photocatalyst. The influence of key factors, including Fe doping amount and power density of dual-frequency ultrasounds (20/40 kHz), on the degradation efficiency was investigated. The degradation efficiency rises to 98.7% in 60 min accompanied by the color removal of CR liquid samples from yellow to colorless transparent at optimal conditions. A synergy index of 1.40 was yielded by comparison with single ultrasound assisted photocatalysis (SUAP) and the photocatalysis without ultrasound assisted (UV/$TiO_2$), indicating that a clear synergistic effect exists for the DUAP process. Obvious enhancement of degradation efficiency for the DUAP process should be attributed to production of large amount of free radicals by strong cavitational effects of dual ultrasounds.
As 3V cathode material, a new doping spinel material, LiMn1.6Se0.4O4 powder with a phase-pure polycrystalline was synthesized by a sol-gel method. In spite of Jahn-teller distortion in 3V region($2.4{\sim}3.5V$), the LiMn1.6Se0.4O4 electrode shows no capacity loss. The material in the 3V region initially delivers a discharge capacity of 100mAh/g which increase with cycling to reach 105mAh/g after 90cycles. And 5V cathode material LiNi0.5-xMxMn1.5O4(M=Cr, V, Fe) compounds have been synthesized by sol-gel method. a series of electroactive spinel compounds, LiNi0.5-xMxMn1.5O4(M=Cr, V, Fe) has been studied by crystallographic and electrochemical methods. The material presents only one plateau at around 4.5 V vs. Li/Li+ with a large discharge capacity of 152mAh/g and fairly good cyclability.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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