• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.130-131
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• 2007

초고경도 박막을 얻기 위해 질화물을 이용한 CrN / CrAlN 초격자 박막을 CFUBM 시스템을 통해 합성하였다. 초격자 박막의 각층의 두께 (${\lambda}$)는 기판의 회전 속도를 이용하여 제어하여 4.4 에서 44.1 nm 까지 합성하였다. 박막의 결정구조 및 미세구조를 분석하기 위하여 고분해능 X선 회절 분석기 (HR-XRD)를 이용하였으며, 박막의 기계적 성질은 나노 인덴터와 ball on disk tester를 통해 분석하였다. CrN / CrAlN 초격자 박막은 각층의 두께 (${\lambda}$)에 따라 28.77 GPa에서 31.97 GPa의 경도 값을 나타내었으며, 미세구조와 기계적 특성이 변화를 관찰할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.138-138
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• 2009

Cr과 Zr의 segments(Cr:Zr= 50:50 vol.%)로 구성되어진 단일타겟을 이용하여 CrZrN 박막을 합성하였다. CrZrN 박막은 비대칭 마그테트론 스퍼터링법을 이용하였으며, 공정조건 중 질소분압을 변화시켜 CrZrN 박막을 합성하였다. 질소분압 변화에 따른 CrZrN 박막의 기계적, 화학적 특성들의 변화를 분석하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.3 no.3
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• pp.208-214
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• 1993

In order to investigate the origin of an increase in the coercivity with the Ta addition to Co-Cr films, the perpendicular magnetic anisotropy of Co-Cr film and CoCrTa film was measured by a torque magnetometer and VSM. In Co-Cr binary alloy film, the uniaxial anisotropy increased with increasing Cr content. The perpendicular magnetic anisotropy of $Co_{81.7}Cr_{16.7}Ta_{1.6}$ film was larger than that of $Co_{81}Cr_{19}$ film, both of which were deposited at the same substrate temperature of $100^{\circ}C$. The change in the perpendicular magnetic anisotropy with annealing was studied to understand the Ta addition effect. The amount of decrease in perpendicular magnetic anisotropy of the CoCrTa film by the annealing was larger than that of Co-Cr film. And the perpendicular magnetic anisotripies of Co-Cr film and CoCrTa film after annealing were almost the same. The cause of this was interpretated as the enhanced segregation of solute atoms in the Ta added thin film in the as-deposited state. The enhanced segregation of solute atoms increases the perpendicular magnetic anisotropy of the film, and causes the increase of perpendicular coercivity of the film.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.3 no.3
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• pp.221-228
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• 1993

The general requirements of recording media include recording performance, environmental stability, runnability on the drive or deck, and manufacturability. CoCrMo thin films were prepared using RF sputtering system for a study on chemical stability. Surface degradation of the CoCrMo thin film was studied by SEM, XPS and AES. Surface degradation was found to be dependent of sputtering condition and Mo content. Addition of Mo to CoCr thin film improved dramatically its surface degradation resistance in dilute sulfuric acid, as indicated by active-passive transition appeared in electrochemical polarization curve. Futhermore, the passive current density was decreased with increasing Mo content. The reduction in a number density of corrosion sites by Mo addition vms observed, after accelerated corrosion test. AES survey indicated that corrosion occured on the site with Cr depletion and highly concentrated chloride ions.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.190-190
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• 2011

CrZrN 박막은 우수한 기계적 특성과 우수한 표면 조도특성을 가지고 있다. 본 연구에서는 CrZrN 박막에 Si를 첨가하여 CrZrN 박막의 부식 특성 향상을 알아보기 위하여 염수 분무 실험과 분극실험을 통하여 박막의 부식 특성을 평가하였다. Si의 함량이 증가함에 따라 부식 특성이 향상되는 것을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.4
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• pp.324-328
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• 2001

CrN films were deposited onto STD61 steel substrates using an arc-ion plating apparatus, with and without ion-nitriding pretreatment, and their oxidation was studied between 700 and $900^{\circ}C$ for 40hr in air. The oxidation behavior was examined by thermogravimetric analyses, X-ray diffraction. EDS and SEM. The deposited CrN films consisted of CrN and $Cr_2$N phases. The CrN films increased the oxidation resistance of the substrate by forming a protective $Cr_2$$O_3$ layer. The ion-nitriding pretreatment has not affected the oxidation resistance of the CrN film.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.173-173
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• 2012

본 연구는 segment target을 장착한 unbalanced magnetron sputtering을 활용하여 CrZr-Al-N 박막을 합성하고 박막의 고온안정성과 미세구조를 연구하는데 그 목적이 있다. 박막의 Al 함량을 조절하기 위하여 각 segment target은 Cr,Zr을 일정vol% 유지하며 Al vol%만 변화하여 설계하였다. 박막의 고온안정성을 실험하기 위해 각 시편은 $100{\sim}500^{\circ}C$ 사이의 온도에서 1시간씩 annealing 처리를 실시한 후에 경도를 측정하였다. 박막의 미세구조 단면을 위해 FE-SEM을 이용하였으며 이밖에 박막의 조성, 경도 및 결정구조를 측정하기 위해 EDS, microhardness testing system, XRD를 사용하였다. Al 부피비를 변화시킨 Segment target을 활용한 박막합성에서 박막의 Al함량은 각각 1/11에서 4.6at.%, 1/5에서 8.1at.%, 1/3에서 12.9at.% 로 나타났으며, 박막의 경도는 4.6~12.9at.% 사이의 Al 함량을 갖는 박막에 대해 모두 유사한 값을 가졌으며 31GPa로 측정되었다. 박막의 단면 구조 역시 4.6~12.9at.% 사이의 Al 함량을 갖는 박막에 대해 모두 columnar 구조가 관찰되었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.9
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• pp.653-656
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• 2004

We report the magnetic properties, microstructures, and crystal orientations of the CrO$_2$ thin films on TiO$_2$ single crystals. CrO$_2$ thin films were deposited by thermal decompositions with CrO$_3$ source materials. The microstructure of (110) oriented CrO$_2$ thin films deposited on (110) TiO$_2$ single crystals were uniform. As the oxygen flow rates increased, the resistivity, coercive field, and remnant magnetization of the CrO$_2$ thin films on TiO$_2$ single crystals decreased.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.189-189
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• 2011

CrZrN 박막은 CrN 박막에 비해서 향상된 기계적 특성과 우수한 표면 조도특성을 가지고 있다. 그러나 $500^{\circ}C$ 이상에서 기계적 특성이 급격히 감소하는 현상이 알려져 있다. 본 연구에서는 CrZrN 박막에 Si를 첨가하여 Si 함량에 따른 고온에서의 기계적 특성을 CrZrN 박막과 비교하였다. $500^{\circ}C$에서 마모 실험한 결과 CrZrN 박막에 비하여 소량의 Si의 첨가만으로 고온에서의 마모 특성이 향상되는 것을 확인하였다. 이것은 Si 첨가에 따라 고온에서 안정한 비정질상의 형성 영향으로 판단된다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.3 no.3
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• pp.215-220
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• 1993

Microstructural dependence of magnetic property of RF/DC sputtered $Co_{69.0}Ni_{18.5}Cr_{12.5}/Cr$ double layer thin film was studied. Grain size was found to be decreased with substrate temperature in the range of $100-200^{\circ}C$ and Cr underlayer thickness(from $500\;{\AA}-2000\;{\AA}$). The peaks (200) and (1120) of X-ray diffraction patterns were evidently grown with the substrate temperature for the Cr underlayer and magnetic layer, respectively. The CoNiCr magnetic layer was found to be well epitaxialy grown on Cr underlayer, and subsequently the coercivity was enhanced.