Germanium (Ge) with higher carrier mobility and a lower crystallization temperature has been considered as the channel material of thin-film transistors for display applications. Various methods were studied for crystallizaion of poly-Ge from amorphous Ge at low temperature. Especially Metal induced crystalliazation (MIC) process was widely studied because low process cost. In this paper, we investigate copper diffusion process of different thick (70 nm, 350 nm) poly-Ge film obtained by MIC process at various temperatures (250, 300, and $350^{\circ}C$) through atomic force microscopy (AFM), Raman spectroscopy, and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurement. Crystallization completeness and grain size was similar in all the conditions. Copper diffusion profile of 370 nm poly-Ge film show simirly results regardless of process temperature. However, copper diffusion profile of 70 nm poly-Ge film show different results by process temperature.
Wei, Ren;Zhen, Huang;Fangliang, Dong;Yue, Wu;Zhijian, Jin
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
/
제24권4호
/
pp.16-24
/
2022
Applications of REBa2Cu3O7-δ tapes require joints with a simple manufacturing process, low resistance and good mechanical properties. In the present study, we successfully developed a copper diffusion joint between Cu-stabilized REBa2Cu3O7-δ tapes that meets the above requirements without solder simply by applying flux, heat and pressurization. After a 3 min thermocompression process at approximately 150 δ and 336 MPa in air, two tapes were directly connected between Cu stabilizers by copper diffusion, which was proven by microstructure analysis. The specific resistivity of the copper diffusion joint reached 5.8 nΩ·cm2 (resistance of 0.4 nΩ for a 306 mm splicing length) at 77 K in the self-field. The axial tensile stress reached 200 N without critical current degradation. The results show promise for the preparation of copper diffusion joints to be used in coils, attached tapes, and wire/cable terminals.
The purpose of this study was to observe characteristic properties through the polarization curves and SEM images from 4 different types of amalgam obtained by using the potentiostats (Princeton EG & G) & SEM (Jeol/35), and to investigate the degree of corrosion on the oxidation peak of the each phase of amalgam. After each amalgam alloy and Hg was triturated as the direction of the manufacturer by means of the mechanical amalgamator (Shofu Co.), the triturated mass was inserted into the cylindrical metal mold which was 12mm in diameter and 10.0mm in height and was condensed by using routine manner. The specimen was removed from the mold and stored at room temperature for about 24 hours. The standard surface preparation was routinely carried out. Anodic polarization measurement was employed to confirm the corrosion behaviour of the amalgams in a 0.9% saline solution (P.H: 6.8-7.0) at $37^{\circ}C$. The initial rest potential (corrosion potential) was determined after 30 minutes of immersion of specimen in electrolyte, and the potential scan was begun at the point of 100mV cathodic from the corrosion potential. The scan rate was 0.17mV/sec. in the study to observe the degree of corrosion of each phase. SEI and EPMA images on the determined oxidation peaks of each amalgam were observed. The results were as follows: 1. In the four anodic polarization curves, low copper amalgams have three oxidation peaks and high copper amalgams have two oxidation peaks, -270mV, +26mV and +179mV(SEC) in the low copper lathe cut, and -300mV, +39mV and +163mV(SEC) in the low copper spherical. -4mV and +154mV(SEC) in the Dispersalloy, and +17mV and +180mV(SEC) in the Tytin as high copper amalgams. 2. ${\gamma}_2$ phase in the low copper amalgam and ${\eta}$ phase in the high copper amalgam were the most corrodible phases and Ag-Cu eutectic in high copper amalgam was the most slowly corroded phase. 3. Low copper amalgam was more susceptible in corrosion than high copper amalgam.
In this study, an oxygen plasma treatment was used as a low temperature debinding method to form a conductive copper feature on a flexible substrate using a direct printing process. To demonstrate this concept, conductive copper patterns were formed on polyimide films using a copper nanoparticle-based paste with polymeric binders and dispersing agents and a screen printing method. Thermal and oxygen plasma treatments were utilized to remove the polymeric vehicle before a sintering of copper nanoparticles. The effect of the debinding methods on the phase, microstructure and electrical conductivity of the screen-printed patterns was systematically investigated by FE-SEM, TGA, XRD and four-point probe analysis. The patterns formed using oxygen plasma debinding showed the well-developed microstructure and the superior electrical conductivity compared with those of using thermal debinding.
The chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used to obtain global planarization of multilevel interconnection process for ultra large scale. integrated circuit applications. Especially, the application of copper CMP has become an integral part of several semiconductor device and materials manufacturers. However, the low-k materials at 65nm and below device structures because of fragile property, requires low down-pressure mechanical polishing for maintaining the structural integrity of under layer during their fabrication. In this paper, we studied electrochemical mechanical polishing (ECMP) as a new planarization technology that uses electrolyte chemistry instead of abrasive slurry for copper CMP process. The current-voltage (I-V) curves were employed we investigated that how this chemical affect the process of voltage induced material removal in ECMP of Copper. This work was supported by grant No. (R01-2006-000-11275-0) from the Basic Research Program of the Korea Science.
The behavior of copper throughout the whole process of wastewater treatment plant that uses the activated sludge process to treat the wastewater of petrochemical industry that contains low concentration of copper was investigated. Total inflow rate of wastewater that flows into the aeration tank was $697\;m^3$/day with 0.369 mg/L of copper concentration, that is, total copper influx was 257.2 g/day. The ranges of copper concentrations of the influent to the aeration tank and effluent from the one were 0.315 ~ 0.398 mg/L and 0.159 ~ 0.192 mg/L, respectively. The average removal rate of copper in the aeration tank was 50.8 %. The bioconcentration factor (BCF) of copper by microbes in the aeration tank was 3,320. The accumulated removal rate of copper throughout the activated sludge process was 71.3%, showing a high removal ratio by physical and chemical reactions in addition to biosorption by microbes. The concentration of copper in the solid dehydrated by filter press ranged from 74.8 mg/kg to 77.2 mg/kg and the concentration of copper by elution test of waste was 2.690 ~ 2.920 mg/L. It was judged that the copper concentration in dehydrated solid by bioconcentration could be managed with the control of that in the influent.
As an interconnect scaling faces a technical bottleneck, the device stacking technologies have been developed for miniaturization, low cost and high performance. To manufacture a stacked device structure, a vertical interconnect becomes a key process to enable signal and power integrities. Most bonding materials used in stacked structures are currently solder or Cu pillar with Sn cap, but copper is emerging as the most important bonding material due to fine-pitch patternability and high electrical performance. Copper bonding has advantages such as CMOS compatible process, high electrical and thermal conductivities, and excellent mechanical integrity, but it has major disadvantages of high bonding temperature, quick oxidation, and planarization requirement. There are many copper bonding processes such as dielectric bonding, copper direct bonding, copper-oxide hybrid bonding, copper-polymer hybrid bonding, etc.. As copper bonding evolves, copper-oxide hybrid bonding is considered as the most promising bonding process for vertically stacked device structure. This paper reviews current research trends of copper bonding focusing on the key process of Cu-SiO2 hybrid bonding.
재사용 발사체용으로 개발되는 엔진은 반복 사용 조건에 따른 저사이클 열피로 문제를 고려해야 한다. 본 연구는 연소기 재생냉각채널에 사용되는 구리합금의 피로수명을 인장시험 데이터로부터 예측하기 위하여 기존의 연구자들이 제안하였던 수명예측식을 다양한 종류의 구리합금의 경우에 적용하여 비교하였다. 제안된 수명예측식 중 공통경사법은 구리합금의 수명 예측에서 가장 좋은 결과를 보여 주었으며, 수정 Mitchell 방법은 OFHC 구리의 수명 예측에서 가장 좋은 결과를 보여주었다.
The corrosion behavior of stainless steel (304 and 316 type) and copper induced by LiCl-KCl at low temperatures in the presence of sufficient oxygen and moisture was investigated through a series of experiments (at $30^{\circ}C$, $40^{\circ}C$, $60^{\circ}C$, and $80^{\circ}C$ for 24 hours, 48 hours, 72 hours, and 96 hours). The specimens not coated on one side with an aqueous solution saturated with LiCl-KCl experienced no corrosion at any temperature, not even when the test duration exceeded 96 hours. Stainless steel exposed to LiCl-KCl experienced almost no corrosion below $40^{\circ}C$, but pitting corrosion was observed at temperatures above $60^{\circ}C$. As the duration of the experiment was increased, the rate of corrosion accelerated in proportion to the temperature. The 316 type stainless steel exhibited better corrosion resistance than did the 304 type. In the case of copper, the rate of corrosion accelerated in proportion to the duration and temperature but, unlike the case of stainless steel, the corrosion was more general. As a result, the extent of copper corrosion was about three times that of stainless steel.
본 연구는 호주산 저품위 동광의 선광실험결과로 얻은 고품위 광물의 황산화 배소 및 선택적 침출반응 조건 확립을 통해 유가 광물 중에 함유된 성분을 선별적으로 용해해냄으로써 철 성분을 비롯한 불순물을 줄이거나, 동 및 니켈 성분을 용해 혹은 잔사에 잔류시킴으로써 유가금속회수를 효과적으로 회수하고자 하는데 목적이 있다. 본 연구실험결과 얻은 최적조건은 황산화 배소시 $450^{\circ}C$, $Na_2SO_4$ 2 mole ratio 및 1.5 h이었고, 배소산물의 침출온도는 상온 및 침출제는 $H_2O$ 혹은 1M $H_2SO_4$이었다. 최적조건 하에서 Cu 성분은 90 wt.% 침출율을 Fe성분은 20 wt.%내외, Ni성분은 15 wt.% 정도를 나타내는 것으로 보아 선택적 분해침출이 가능하다.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.