• 한국공작기계학회논문집
• /
• 제17권1호
• /
• pp.29-34
• /
• 2008

A modeling technique for the 2-way coupling of heat transfer and conduction currents has been performed to inspire a combined analytical simulation. The 3-D finite element method is used to solve steady conduction currents and heat generation in an aluminum film deposited on a silicon substrate. The model investigates the temperature in the device after the current is applied. The conservation equation of energy, the Maxwell equations for conduction currents, the unsteady state heat transfer equation and the Fourier's law for heat transfer are implemented as a bidirectionally coupled problem. It is found that the strongly coupled temperature and time dependent heat equations give a reasonable results and an explicit solving technique.

• 한국산업정보학회:학술대회논문집
• /
• 한국산업정보학회 1997년도 추계학술대회 발표논문집:21세기를 향한 정보통신 기술의 전망
• /
• pp.451-462
• /
• 1997

A 2-dimensional numerical analysis is presented for thermal-electron heat conduction effects upon the electron transport and the drain current-voltage characteristics of submicron GaAs MESFETs, based on the use of a nonstationary hydrodynamic transport model. It is shown that for submicron GaAs MESFETs, electron heat conduction effects are significant on their internal electronic properties and also drain current-voltage characteristics. Due to electron heat conduction effects, the electron energy is greatly one-djmensionalized over the entire device region. Also, the drain current decreases continuously with increasing thermal conductivity in the saturation region of large drain voltages above 1 V. However, the opposite trend is observed in the linear region of small drain voltages below 1 V. Accordingly, for a large thermal conductivity, negative differential resistance drain current characteristics are observed with a pronounced peak of current at the drain voltage of 1 V. On the contrary, for zero thermal conductivity, a Gunn oscillation characteristic is observed at drain voltages above 2 V under a zero gate bias condition.

• 전력전자학회논문지
• /
• 제10권2호
• /
• pp.169-176
• /
• 2005

본 논문에서는 능동 클램프 풀브릿지 Boost 컨버터에 관한 DC 모델링과 AC 모델링 과정에 대하여 기술한다. 동작 원리로부터 이 컨버터의 교류 부분을 등가의 직류 부분으로 바꾸고 반도체 스위치를 재배치하여 개념적인 등가 회로가 유도된다. 유도된 등가회로는 CCM(Continuous conduction mode) Boost 컨버터와 DCM(Discontinuous conduction mode) Buck 컨버터로 표현된다. 유도된 등가회로의 각 스위치 부분을 PWM 스위치 모델로 대체하여 DC 모델 및 AC 모델이 완성된다. 이론적인 DC 및 AC 모델링 결과는 실험이나 SIMPLIS 시뮬레이션을 통해 검증된다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
• /
• 제9권2호
• /
• pp.27-30
• /
• 2007

The electrical insulation design and withstanding test of mini-model coils for 600 kJ class conduction cooled high temperature superconducting magnetic energy storage (HTS SMES) have been studied in this paper. The high voltage is generated to both ends of magnet of HTS SMES by quench or energy discharge. Therefore, the insulation design of the high voltage needs for commercialization, stability, reliability and so on. In this study, we analyzed the insulation composition of a HTS SMES, and investigated about the insulation characteristics of the materials such as Kapton, AIN and vacuum in cryogenic temperature. Base on these results, the insulation design for 600 kJ conduction cooled HTS SMES was performed. The mini-model was manufactured by the insulation design, and the insulation test was carried out using the mini-model.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
• /
• pp.835-837
• /
• 2012

본 연구에서는 상단게이트와 하단게이트를 갖는 (Double gate ; DG) MOSFET 구조의 소자 파라미터에 따른 전도중심을 분석하였다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송 방정식을 이용하였다. 본 연구에서 제시한 모델을 사용하여 DGMOSFET 설계시 중요한 채널길이, 채널두께, 그리고 게이트 산화막 두께 등의 요소 변화에 대한 전도중심의 변화를 관찰하였다. 또한 채널 도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 DGMOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

• 설비공학논문집
• /
• 제26권12호
• /
• pp.600-604
• /
• 2014

Longitudinal heat conduction is known to be an important factor in the design of a printed circuit heat exchanger(PCHE) for cryogenic applications. Parasitic heat conduction through the heat exchanger frame needs to be considered because it is known to decrease the effectiveness of the heat exchanger. In this paper, a conjugate heat transfer problem in a simple counter-flow PCHE is analyzed by a computational fluid dynamics simulation. The effect of longitudinal conduction in a straight channel is compared with the theoretical effectiveness-NTU relationship that assumes a "thin" heat exchanger frame. The calculation results suggest that the theoretical model is valid in the present calculation conditions where NTU is < 13.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
• /
• pp.818-821
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자 파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
• /
• pp.825-828
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 항복전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 낮은 항복전압은 소자동작에 저해가 되고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 항복전압은 소자파라미터에에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권11호
• /
• pp.2511-2516
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2008년도 추계학술대회A
• /
• pp.1665-1668
• /
• 2008

Arrhythmia causes sudden cardiac death. In the past, there were medical limitations in finding the cause of arrhythmia. As an alternative solution for research of arrhythmia, there have been studies to find the causes of arrhythmia by producing a virtual heart model. Medically, arrhythmia has two main causes: abnormal occurrence of action potential and abnormal conduction of action potential. Based on these, the tachycardia, which is one of the arrhythmia, was manifested and the phenomenon of ventricular fibrillation was numerically analyzed in this study. For this purpose, an electrophysiological model of ventricular cells was implemented, which was subsequently applied to the reaction-diffusion partial differential equation to interpret the macroscopic conduction phenomenon in two-dimensional tissues. The ventricular fibrillation refers to a condition where several irregular waves occur in cardiac tissue, whose generation mechanism is pathologically related to the cardiac tissue.