• 한국전자파학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.140-144
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• 2004

직렬 공진형 공통 소스 접지 트랜지스터 쌍은 선택형 이중 밴드 LNA에 가장 널리 사용되는 구조이다. 본 논문은 이러한 선택형 이중밴드 저잡음 증폭기를 동시에 서로 다른 주파수에서 구동하였을 때 나타나는 잡음지수의 악화 정도를 해석하고, 0.18$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정으로 구현한 LNA의 실험 결과와 비교한다. 아울러, 잡음 해석을 통해 다른 밴드 LNA로부터 발생하는 트랜지스터의 채널 잡음과 전원 잡음의 기여도를 분석하고, 동시형 LNA로 사용하였을 때 잡음을 최소화하기 위한 정합구조를 제안한다.

• 전기학회논문지
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• 제56권4호
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• pp.761-767
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• 2007

In this paper, we deal wih a concurrent dual band low noise amplifier for a Radio Frequency Identification(RFID) reader operating at 912MHz and 2.45GHz. The design of the low noise amplifier is based on the TSMC $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The chip size is $1.8mm\times1.8mm$. To improve the noise figure of the circuit, SMD components and a bonding wire inductor are applied to input matching. Simulation results show that the 521 parameter is 11.41dB and 9.98dB at 912MHz and 2.45GHz, respectively The noise figure is also determined to 1.25dB and 3.08dB at the same frequencies with a power consumption of 8.95mW.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.499-508
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• 2017

본 논문에서는 이중 대역 송신시스템에서 비선형 전력증폭기를 선형화하기 위한 새로운 디지털 전치왜곡 기법을 제안한다. 기존의 시스템에서는 자기 대역의 비선형뿐만 아니라 타 대역간의 비선형을 보상하기 위해 두 개의 피드백 경로가 요구되는데 이는 하드웨어의 복잡도와 비용을 증가시킨다. 반면 제안하는 전치왜곡 시스템은 한 개의 피드백 경로만을 사용한다. 따라서 기존 시스템에 비해 훨씬 간단한 구조를 가진다. 제안하는 기법은 전치왜곡 계수를 얻기 위해서 한 개의 피드백 경로를 공유하여 두 대역의 전력증폭기 특성을 먼저 추정하고 추정된 전력증폭기 특성으로부터 전치왜곡 계수를 얻는다. 컴퓨터 모의실험 결과에 따르면 제안된 방식은 두 개의 피드백 회로를 구성한 기존 방식과 대등한 선형화 성능을 보인다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.168-172
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• 2003

This paper analyzes the output noise and the noise figure of common source MOSFET pair each input of which is separately driven in the different frequencies. This analysis is performed for concurrent dual band cascode CMOS LNA with double inputs and single output fabricated in $0.18{\mu}m$ CMOS process. Since both inputs and output are matched to near $50{\Omega}$ using on-chip inductors, the measured noise figures are much higher than those of usual CMOS LNA. But, the main concern of this paper is focused on the added noise features due to the other channel common source stage. The dual-band LNA results in noise figure of 4.54dB at 2.14GHz and 6.03dB at 5.25GHz for selectable operation and 7.44dB and 6.58dB for concurrent operation. The noise analysis explains why the added noise at each band shows so large difference.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 합동춘계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.153-156
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• 2008

본 논문은 Local oscillator의 2차 harmonic 신호를 이용하고 Dual gate FET 형태를 이용한 이중대역 주파수 혼합기 설계에 대한 연구 이다. 기존의 회로 구조는 두 대역을 처리하기 위해 각각 두 개의 국부 발진기와 혼합기를 사용함으로 인하여 구조의 복잡함과 큰 전력 손실이라는 단점을 가지고 있었다. 본 연구는 하나의 주파수 혼합기로 두 개의 대역에서 동시에 적용할 수 있는 Concurrent 이중 대역 설계 연구를 하였다. ISM(Industrial Science Medical) 대역 인 912MHz, 2.45GHz의 RF 입력과 455.5MHz, 1224.5MHz의 LO 입력 신호에서 동일한 IF인 1MHz로 하향변환 했을 때 모의실험 결과 변환이득은 각각 7dB, 12dB로 이고 RF-LO 격리도는 -29dB, -24.7dB가 나왔다. 또한 두 입력 단에서의 반사손실의 -15dB 이상을 얻었다. 또한 각각의 대역에서 잡음지수는 8.5dB, 6.26dB이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.401-410
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• 2014

본 논문에서는 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 소형화된 multi-harmonic matching network(MHMN)을 사용한 고효율 동시-이중대역 Class-E 전력 증폭기를 제안한다. 제안하는 구조는 스위치 혹은 집중 소자를 사용하지 않고, transmission line만을 이용하여 1.3 GHz과 2.1 GHz 그리고 각각의 2차 및 3차 고조파의 임피던스를 조절하였다. 능동 소자로는 Avago ATF-50189 GaAs p-HEMT가 사용되었다. 제작된 전력증폭기는 입력 전력이 21 dBm일 때 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 각각 27.1 dBm, 25.7 dBm의 출력과, 6.1 dB, 4.7 dB의 전력 이득, 그리고 71.2 %, 60.1 %의 드레인 효율 특성을 나타내었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권10호
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• pp.2615-2618
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• 2009

본 논문에서는 WLAN 11 a/b/g 대역(2.4 GHz/5.5 GHz)용 4개의 브릿지(bridge)를 가진 이중 사각 패치(double rectangular patch) 안테나를 소개 하였다. 5.5 GHz 주파수 대역용 평면형 사각 패치는 이중 대역동작을 위해 2.4 GHz에서 동작하는 외부 사각 패치와 4개의 인덕티브 브릿지(inductive bridge)를 통해 연결되어 있다. 제안된 안테나는 4개의 인덕티브 브릿지의 넓이를 가변 하여 사용 주파수 대역을 튜닝 할 수 있으며, 안테나의 최대 이득은 5.5 GHz 주파수 대역에서 3.7 dBi 이고 2.4 GHz 주파수 대역에서는 5 dBi이다.