Study of Improvement of Gate Oxide Quality by Using an Advanced, $TiSi_2$ process & STI
(새로운 $TiSi_2$ 형성방법과 STI를 이용한 초박막 게이트 산화막의 특성 개선 연구)
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- Proceedings of the IEEK Conference
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- 2000.11b
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- pp.41-44
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- 2000