• 한국통신학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.2439-2447
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• 1994

Colpitts VOC(Voltage Controlled Oscillator)의 새로운 모델링을 제시하였다. 일반적으로 VOC의 해석에는 2차원 모델이 사용되고 있는데 본 논문에서는 3차원 모델을 사용하였다. 이는 수학적으로 정확함은 물론 실제적으로도 유용하게 사용할 수 있다. 이러한 잇점은 실제의 VOC는 콜피츠 발진회로에 기초한 것이며 이는 3차원 시스템이기 때문이다. 모델링은 선형 근사법으로 시작하여 HBM(harmonic balance method)에 의하여 비선형 해석으로 접근하였다. 이 해석에서는 시스템의 출력에 영향을 주는 발진과 함께, 겹쳐서 나타나는 시프팅 바이어스라는 새로운 모드의 존재를 드러내었다. 더우기 해석의 성과는 발진 주파수의 변화를 시도하고자 할 때 발진기의 피라미터를 변화시키는 유용한 과정을 추출하였다. 시뮬레이션으로 이를 확인하고 개인용 휴대전화기에 사용될 GaAs MESFET VCO 실제회로에 적용시켜 본 결과 매우 잘 일치하였다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제16권4호
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• pp.229-231
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• 2016

A 180-GHz signal source based on a 65-nm CMOS technology has been developed in this study. The 180-GHz signal source consists of a 90-GHz fundamental-mode Colpitts oscillator and a 180-GHz frequency doubler. A coupled-line is employed to couple two oscillator cores for generating a differential signal, which is delivered to the input of the differential-mode doubler. The fabricated signal source operates from 181.2 to 182.4 GHz with output power varying from -15.3 to -10.8 dBm. The peak output power was -10.53 dBm at 181.3 GHz with a DC power consumption of 42 mW, and the associated phase noise was -71 dBc/Hz at 1 MHz offset.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.109-114
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• 2002

본 연구에서는 기존의 Colpitts VCO에서 바이어스 저항에 의한 성능 저하문제를 간단한 트랜지스터의 모델을 사용하여 분석하고, 발진기의 성능을 저하시키는 바이어스 저항의 영향을 제거하는 새로운 구조를 제시한다. 또한 이를 이용하여 차세대 이동통신용 소형, 저 전력 VCO를 설계하고 제작하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.1104-1112
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• 2013

본 논문에서는 감지기에서 특정 거리만큼 떨어진 곳에 버블 형태의 감지 영역을 형성하는 새로운 버블형 동작 감지기를 위해 나노초의 발진 기동 시간과 8.35 GHz의 중심주파수를 가지는 광대역 콜피츠 전압제어발진기를 설계 및 제작하였다. 전압제어발진기는 HEMT 소자 및 콜피츠 궤환 구조를 이용한 부성 저항부와 바랙터 다이오드 및 단락된 마이크로스트립 분기 선로를 이용한 공진부로 구성되었다. 패키지된 트랜지스터의 기생 인덕턴스로 인해 8.1 GHz에서 용량성 값에서 유도성 값으로 변하는 부성 저항부의 리액턴스 변화는 마이크로스트립 분기 선로와 직렬 캐패시터를 이용하여 보상하였다. 부성 저항 값을 결정하는 궤환 캐패시터들의 값을 조정함으로써 부성 저항 값 변화에 따른 발진 기동 시간 개선 여부와 부성 저항부의 입력 리액턴스 기울기 변화에 따른 대역폭 개선 여부도 조사되었다. 제작된 전압제어발진기는 2.3 GHz(28 %)의 튜닝 대역폭과 4.1~7.5 dBm의 출력 전력, 그리고 2 nsec 이하의 발진 기동 시간을 가지는 것으로 측정되었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권7A호
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• pp.935-942
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• 2000

본 논문에서는 1.6GHz PCS 대역 초소형 전압제어발진기의 설계개발하였다. 다층 PCB 구조를 갖는 Colpitts 형의 LC 동조형 발진기를 설계하교 회로 시뮬레이터를 이용하여 회로특성을 최적화하였다. 최적화된 설계 데이터를 이용하여 6$\times$6$\times$1.8 ㎣(0.065cc) 크기의 소형 VCO를 제작한 후 시험하였다. 개발된 VCO는 52.3MHz 튜닝범위에서 -1.67dBm $\pm$0.5dBm 의 일정한 출력레벨을 갖었으며 10kHz offset 주파수에서 -99.33dBc/Hz 의 우수한 위상잡음 특성을 나타내었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제17권2호
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• pp.98-104
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• 2017

This work describes the development and comparison of two phase-locked loops (PLLs) based on a 65-nm CMOS technology. The PLLs incorporate two different topologies for the output voltage-controlled oscillator (VCO): LC cross-coupled and differential Colpitts. The measured locking ranges of the LC cross-coupled VCO-based phase-locked loop (PLL1) and the Colpitts VCO-based phase-locked loop (PLL2) are 119.84-122.61 GHz and 126.53-129.29 GHz, respectively. Th e output powers of PLL1 and PLL2 are -8.6 dBm and -10.5 dBm with DC power consumptions of 127.3 mW and 142.8 mW, respectively. Th e measured phase noise of PLL1 is -59.2 at 10 kHz offset and -104.5 at 10 MHz offset, and the phase noise of PLL2 is -60.9 dBc/Hz at 10 kHz offset and -104.4 dBc/Hz at 10 MHz offset. The chip sizes are $1,080{\mu}m{\times}760{\mu}m$ (PLL1) and $1,100{\mu}m{\times}800{\mu}m$ (PLL2), including the probing pads.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 2006년도 하계종합학술발표회 논문 초록집
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• pp.260-260
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• 2006

• 한국전자통신학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.1037-1044
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• 2019

본 논문에서는 다중 주파수 발생기의 설계를 위한 단일 인젝션 락킹 현상에 대한 연구를 진행한다. 다중 주파수 발생기 설계를 위하여 인젝션 락킹 현상에 대한 기본적인 이론을 서술하고 이를 토대로 단일 인젝션 락킹 실험에 대하여 서술한다. 실험은 인젝션 신호에 비해 불안정하게 진동하는 발진기에 일정하게 진동하는 안정된 신호인 인젝션 신호를 인가하는 방식으로 진행하였다. 인젝션 신호는 홀렌드 전류원을 사용하고 콜피츠 발진기를 사용하여 회로를 구성하였다. 실험결과 각각의 인젝션 신호(840kHz, 500kHz)를 주입하였을 때 각각의 발진기가 안정하게 진동하는 것을 확인하였다. 위의 단일 인젝션 락킹 실험결과를 통하여 다중 주파수 발생기 설계에 인젝션 락킹 현상을 응용 할 수 있음을 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권1호
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• pp.29-34
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• 2015

This paper reports a couple of key circuit blocks developed for heterodyne receiver front-ends operating near 140 GHz based on SiGe HBT technology. Firstly, a 123-GHz oscillator was developed based on Colpitts topology, which showed -5 dBm output power and phase noise of -107.34 dBc/Hz at 10 MHz. DC power dissipation was 25.6 mW. Secondly, a 135 GHz mixer was developed based on a modified Gilbert Cell topology, which exhibited a peak conversion gain of 3.6 dB at 1 GHz IF at fixed LO frequency of 134 GHz. DC power dissipation was 3 mW, which mostly comes from the buffer.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.1-10
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• 1998

A GaAs MMIC composed of VCO (voltage controlled oscillator) and mixer for PCS receiver has been developed using 1.mu.m ion implanted GaAs MESFET process. The VCO consists of a colpitts-type oscillator with a dielectric resonator and the circuit configuration of the mixer is a dual-gate type with an asymmetric combination of LO and RF FETs for the improvement of intermodulation characteristics. The common-source self-biasing is used in all circuits including a buffer amplifier and mixer, achieving a single power supply (3V) operation. The total power dissipation is 78mW. The VCO chip shows a phase noise of-99 dBc/Hz at 100KHz offset. The combined VCO/mixer chip shows a flat conversion gain of 2dB, the frequency-tuning factor of 80MHz/volts in the varacter bias ranging from 0.5V to 0.5V , and output IP3 of dBm at varactor bias of 0V. The fabricated chip size is 2.5mm X 1.4mm.