• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권6호
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• pp.511-519
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• 1994

The effect of the deposition conditions, such as the base pressure, working pressure, sputtering power, pre-sputtering, and deposition thickness in facing targets sputtering system(FTS), on the oxidation of the TbFeCo thin films was studied by investigating the magneto-optical properties as well as oxygen analysis by the AES depth profiles. The results showed that the base pressure did not affect the magnetic properties so much, probably due to the short flight distance of the sputtered particles. At the higher sputtering power and lower working pressure with pre-sputtering the oxidation of TbFeCo thin films was decreased. As the film thickness increased the TbFeCo thin films showed the perpendicular anisotropy from in-plane anisotropy overcoming the oxidation effect at the beginning of the sputtering.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권6호
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• pp.277-280
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• 2004

p형 ZnO 에피 박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF-DC magnet co-sputtering 법으로 성장시켰다. 약 120nm두께의 단결정상 박막을 성공적으로 얻어내었다. p형 ZnO를 만들기 위해서 Al 금속 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링으로 $400^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$에서 ZnO를 rf magnetron sputtering으로 증착하고, 동시에 Al의 doping을 행하였으며, 성장된 박막의 결정성과 광특성에 대하여 고찰하였다.

• 한국자기학회지
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• 제21권6호
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• pp.214-218
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• 2011

본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용해 MgO 단결정 기판 위에 성장된 Ag/CoFeB 박막의 스퍼터링 조건에 따른 박막 미세구조의 변화를 연구하였다. Ag 박막의 결정성 및 표면 거칠기는 인가전력(sputtering power) 및 증착온도의 변화에 따라 증착온도가 증가하는 경우 (200) 방향의 결정성이 향상되는 것을 확인하였으며, 인가전력이 증가되는 경우 표면 거칠기가 감소하는 것을 확인하였다. 또한 고분해능 TEM(transmission electron microscopy) 및 XRR(X-ray reflectivity) 측정을 통해 MgO 기판 위 Ag층의 켜쌓기 성장 및 MgO 기판과 Ag층 사이에 산화층에 해당하는 계면층이 존재하는 것을 알 수 있었으며, 증착온도의 증가에 따른 Ag의 섬상구조 형성 및 intermixing 효과에 의한 Ag/CoFeB 계면층의 변화 및 자기적 특성의 변화를 연구하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.593-594
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• 2012

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2006년도 추계학술발표대회 및 제11회 신소재 심포지엄
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• pp.17.1-17.1
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• 2006

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.782-784
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• 2002

Many compound semiconductors which have high carrier mobility and small band gap have attentive in application of various practical a field. Especially, InSb served for Hall device and magnetic resistor such as magnetic sensor because InSb thin film has high mobility. Many studies on InSb thin film deposition because In and Sb has been very different feature of vapor pressure($10^4$ times) When In and Sb deposited. In this paper studied it In and Sb deposited simultaneously using by method of co-sputtering deposotion. This process, get to effects of manufacture process simplification. After that this paper observed micro structure and electronic behavior of InSb thin film using by co-sputtering.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.370-374
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• 2002

Many compound semiconductors which have high carrier mobility and small band gap have attentive in application of various practical a field. Especially, InSb served for Hall device and magnetic resistor such as magnetic sensor because InSb thin film has high mobility. Many studies on InSb thin film deposistion because In and Sb has been very different feature of vapor pressure ($10^{-4}$ times) When In and Sb deposited. In this paper studied it In and Sb deposited simultaneously using by method of co-sputtering deposotion. This process, get to effects of manufacture process simplification. After that this paper observed micro structure and electronic behavior of InSb thin film using by co-sputtering and we study properties of magneto-resistance by annealing.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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• pp.128-132
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• 2002

Many compound semiconductors which have high carrier mobility and small band gap have attentive in application of various practical a field. Especially, InSb served for Hall device and magnetic resistor such as magnetic sensor because InSb thin film has high mobility. Many studies on InSb thin film deposistion because In and Sb has been very different feature of vapor pressure($10^{-4}$ times) When In and. Sb deposited. In this paper studied it In and Sb deposited simultaneously using by method of co-sputtering deposotion. This process, get to effects of manufacture process simplification. After that this paper observed micro structure and electronic behavior of InSb thin film using by co-sputtering and we study properties of magneto-resistance by annealing

• 한국자기학회지
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• 제6권4호
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• pp.235-241
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• 1996

수직자기 기록매체를 위해 스퍼터링법으로 Co/Pd 및 Co/Pt 다층막을 형성하였으며 Pd 및 Pt 바닥층의 증착 압력이 다층막의 자화거동 및 보자력에 미치는 영향에 대해 연구하였다. Co/Pd 다층막의 경우 보자력이 바닥층의 증착 압력에 매우 민감하여 바닥층 증착압력만을 조절함으로써 보자력을 크게 증가시킬 수 있었으나 Co/Pt 경우 바닥층의 증착압력 조절에 의한 보자력 증대효과는 미미하였다. 바닥층의 종류 및 증착압력에 따른 다층막의 보자력 변화를 바닥층의 표면 거칠기 및 다층막 증착착시의 계면상태 변화의 측면에서 설명할 수 있었으며 이는 바닥층의 증착압력의 증가에 따른 다층막의 수직이방성 에너지 감소 및 자화반전 기구의 변화와도 연관시킬 수 있었다. 다층막의 Kerr 회전각은 바닥층의 종류 및 증착압력에는 거의 의존하지 않는 것으로 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.341-348
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• 1997

2원동시 RF magnetron 방법을 이용하여 조건별(sputtering gas압력, buffer충 유무 및 etching여부 등)로 제작된 Pt/co 인공격자 다층막 ([$Pt10.7\AA/Co2.8{\AA}{\times}{12}$])의 구조정보에 대하여 알아보았다. 다층막 구조평가는 X선 회절측정을 이용하여 행하였으며 구조에 대한 정보를 보다 면밀하게 평가하기 위해서 다층막 모델을 제작하여 얻어진 결과를 실험결과와 비교분석 하였다. 제작된 다층막 구조모델의 계산결과를 실측치와 비교하면 peak의 위치나 회절강도가 상당히 일치하였으며 이것은 구조모델이 실제의 Pt/Co 인공격자 다층막구조를 잘 반영하고 있음을 알 수 있었다.