• 대한전자공학회논문지TE
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• 제42권3호
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• pp.7-12
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• 2005

본 논문에서는 전력선 통신 시스템에서 낮은 임피던스에 의한 에러율의 저하를 개선하기 위하여 제안한 D급 증폭 회로를 사용한 구동 회로를 적용하였다. 전력선 모뎀에 사용되는 전압 구동 회로와 전류 구동 회로를 제작하고, 본 논문에서 제안한 D급 증폭 회로를 이용한 구동 회로와 비교하여 실험을 하였다. 실험 결과 본 논문에서 설계한 구동 회로가 다른 구동 회로보다 급격하게 임피던스 변화하는 전력선 채널에 대하여 성능이 우수함을 보였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.1301-1304
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• 2005

본 논문에서는 전력선 통신 시스템에서 급격하게 변화는 임피던스 때문에 발생하는 에러율을 개선하기 위하여 제안한 D급 증폭 구동 회로를 적용하였다. 전력선 모뎀에, 일반적인 구동회로인 전압 구동 회로와 전류 구동 회로를 제작하여 실험을 하였다. 그리고 같은 전력선 모뎀에 본 논문에서 제안한 D급 증폭 회로를 이용한 구동 회로를 사용하여 실험을 하였다. 실험 결과 본 논문에서 설계한 구동 회로가 전력선 통신에서 임피던스 변화에 대하여 다른 구동 회로보다 성능이 우수함을 보였다.

• Journal of Power Electronics
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• 제15권6호
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• pp.1673-1681
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• 2015

A low dropout (LDO) regulator with a wide-bandwidth is proposed in this paper. The regulator features a Human Body Model (HBM) 8kV-class high robustness ElectroStatic Discharge (ESD) protection circuit, and two error amplifiers (one with low gain and wide bandwidth, and the other with high gain and narrow bandwidth). The dual error amplifiers are located within the feedback loop of the LDO regulator, and they selectively amplify the signal according to its ripples. The proposed LDO regulator is more efficient in its regulation process because of its selective amplification according to frequency and bandwidth. Furthermore, the proposed regulator has the same gain as a conventional LDO at 62 dB with a 130 kHz-wide bandwidth, which is approximately 3.5 times that of a conventional LDO. The proposed device presents a fast response with improved load and line regulation characteristics. In addition, to prevent an increase in the area of the circuit, a body-driven fabrication technique was used for the error amplifier and the pass transistor. The proposed LDO regulator has an input voltage range of 2.5 V to 4.5 V, and it provides a load current of 100 mA in an output voltage range of 1.2 V to 4.1 V. In addition, to prevent damage in the Integrated Circuit (IC) as a result of static electricity, the reliability of IC was improved by embedding a self-produced 8 kV-class (Chip level) ESD protection circuit of a P-substrate-Triggered Silicon Controlled Rectifier (PTSCR) type with high robustness characteristics.