• 한국전자파학회논문지
• /
• 제27권1호
• /
• pp.60-68
• /
• 2016

본 논문에서는 6~18 GHz 대역 7-bit 28 dB 가변 신호 감쇠기의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 기존의 switched-T 감쇠기에 칩 사이즈를 최소화하기 위해 인덕터를 사용하지 않았고, 보상용 병렬 커패시터를 추가하여 참조 상태 (reference state)와 감쇠 상태간의 위상 변화를 최소화하였다. 설계된 감쇠기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 감쇠기의 해상도와 전체 감쇠 범위는 각각 0.22 dB 및 28 dB이다. 6~18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 감쇠 오차는 0.26 dB 이하, 위상 오차는 $3.2^{\circ}$ 이하로 측정되었으며, 참조상태 손실은 12.4 dB 이하이다. 전체 주파수 범위와 감쇠상태에서 입출력 반사손실은 9.4 dB 이상이다. 패드를 포함하지 않은 칩 면적은 $0.11mm^2$이다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제20권1호
• /
• pp.117-122
• /
• 2016

본 논문에서는 차량 추돌 방지 단거리 레이더용 24-GHz CMOS 고주파 전력 증폭기 (RF power amplifier)를 제안한다. 이러한 회로는 클래스-A 모드 증폭기로서 단간 (inter-stages) 공액 정합 (conjugate matching) 회로를 가진 공통-소스 단으로 구성되어 있다. 제안한 회로는 TSMC $0.13-{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계하였다. 2볼트 전원전압에서 동작하며, 저전압 전원에서도 높은 전력 이득, 낮은 삽입 손실 및 낮은 음지수를 가지도록 설계되어 있다. 전체 칩 면적을 줄이기 위해 넓은 면적을 차지하는 실제 인덕터 대신 전송선(transmission line)을 이용하였다. 설계한 CMOS 고주파 전력 증폭기는 최근 발표된 연구결과에 비해 $0.1mm^2$의 가장 작은 칩 크기, 40mW의 가장 적은 소비전력, 26.5dB의 가장 높은 전력이득, 19.2dBm의 가장 높은 포화 출력 전력 및 17.2%의 가장 높은 최대 전력부가 효율 특성을 보였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제16권10호
• /
• pp.989-994
• /
• 2005

위성통신 시스템의 초고주파 스위치 메트릭스(MSM)를 위한 MMIC 스위치 칩을 InGaAs/GaAs p-HEMT 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. MMIC 스위치는 on과 off상태에서 우수한 입출력 반사계수를 위해 흡수형으로 설계되었다. 또한, 스위치 칩의 크기를 줄이기 위해 MIM 커패시터와 spiral 인덕터의 집중소자를 이용하여 3 GHz 대역에서의 ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기를 구현하였다. 설계된 MMIC 스위치는 $3.2\~3.6\;GHz$ 대역에서 사용할 수 있으며 $1.6\;mm{\times}1.3\;mm$의 칩 크기를 갖는다. On-wafer 측정 결과, 2 dB 이하의 삽입 손실과 56.8 dB 이상의 격리도 특성을 나타내었다. 이와 같은 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것이다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제34권2호
• /
• pp.325-331
• /
• 2010

본 논문에서는 주기적 접지구조(PPGS)를 가지는 소형 단파장의 미앤더 선로를 GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 상에 구현하였다. PPGS구조를 이용한 미앤더 선로는 기존의 미앤더 선로에 존재하던 용량 $C_a$와 함께 추가적인 용량 $C_b$를 가짐으로써 전체적인 용량이 커지게 되어, 단파장 특성을 보여주었다. 기존의 미앤더 선로는 주기적 구조가 아닌데 반해 PPGS 구조의 미앤더 선로는 주기적 구조이므로 $\beta$값이 큰 slow-wave가 존재하며, 이로 인해 종래의 미앤더 선로에 비해 선로 상에서 훨씬 더 큰 위상변화량을 보여준다. 본 논문에서는 상기 미앤더 선로의 특성을 실험적으로 고찰하여 PPGS 구조의 미앤더 선로를 병렬 인덕터로 사용할 경우, 기존 미앤더 선로를 사용할 때 보다 높은 인덕턴스 값을 가지므로 동일한 길이의 기존 선로보다 큰 인덕턴스 값을 가지는 정합 소자로써 사용할 수 있음을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제22권2호
• /
• pp.162-172
• /
• 2011

본 논문에서는 WiMAX 주파수 대역(2.3~2.7 GHz)에서 동작하는 4 W급 소형 전력증폭기 모듈을 설계, 제작하였다. 본 연구에 사용된 능동소자는 최근 발표된 Triquint사의 GaN HEMT 소자(Bare-chip)이다. 본 논문에서는 전력증폭기를 설계하기 위하여, 먼저 자체 제작한 조정용 지그(jig)를 사용하여 상용 칩의 최적 임피던스를 실험을 통해 추출하였으며, 추출한 임피던스를 적용한 EM-simulation으로 F급 설계를 행하였다. 소형의 패키지(모듈)에 집적하고 정합하기 위하여 인덕터와 커패시터는 각각 spiral inductor, interdigital capacitor로 구현하였다. 소형으로($4.4{\times}4.4\;mm^2$) 패키지된 전력증폭기 모듈의 경우, 출력은 36 dBm, 효율은 50 % 그리고 2차 및 3차 고조파에 대한 고조파 억제는 40 dBc 이상의 특성을 보였다.

• 자원리싸이클링
• /
• 제7권4호
• /
• pp.35-42
• /
• 1998

오늘날 전자부품 산업에 실장기술은 크게 각광을 받고 있다. 페라이트 칩인덕터와 같이 전자부품의 소형화를 위해서는, 쉬트 적층법이나 스크린 인쇄법 등을 위하여 유기용매를 사용하는 세라믹 습식공정이 널리 사용되고 있다. 본연구에서는 물이 혼합된 용매계를 이용한 NiCuZn Ferrite(NCZF) 슬러리와 그린쉬트의 제조 및 평가에 관한 연구를 하였다. 볼밀링에 의하여 21 vol%의 NCZF 슬러리를 제조하였으며, polacrylic vinyl copolymer를 바인더로서 사용하였다. 용매로서는 isopropyl alcohol과 2-butoxy ethanol에 40∼80% 물을 혼합하여 사용하였다. 그 결과, NCZF 슬러리의 분산안정성은 입자의 정전기적 힘보다는 free polymer에 의해 나타났으며, 슬러리의 점성은 용매중의 물함량에 크게 의존하였다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
• /
• 제11C권4호
• /
• pp.127-132
• /
• 2001

We describe the pulse forming of pulsed $CO_2$laser using multi-pulse superposition technique. A various pulse length, high duty cycle pulse forming network(PFN) is constructed by time sequence. That is, this study shows a technology that makes it possible to make various pulse shapes by turning on SCRs of three PFN modules consecutively at a desirable delay time with the aid of PIC one-chip microprocessor. The power supply for this experiment consists of three PFN modules. Each PFN module uses a capacitor, a pulse forming inductor, a SCR, a High voltage pulse transformer, and a bridge rectifier on each transformer secondary. The PFN modules operate at low voltage and drive the primary of HV pulse transformer. The secondary of the transformer has a full-wave rectifier, which passes the pulse energy to the load in a continuous sequence. We investigated laser pulse shape and duration as various trigger time intervals of SCRs among three PFN modules. As a result, we can obtain laser beam with various pulse shapes and durations from about 250 $mutextrm{s}$ to 600 $mutextrm{s}$.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제33권8호
• /
• pp.1239-1245
• /
• 2009

안테나를 소형화하는 기법에는 많은 접근 방법들이 있다. 본 논문에서는 안테나에 집중소자를 이용한 정합회로를 통하여 안테나의 소형화를 시도하였다. 안테나의 크기의 큰 영향을 주는 그라운드를 PCB 회로 기판과 공유함으로써 형상적인 크기를 최소화하도록 시도하였으며, 안테나의 급전부에 고주파용 집중소자를 이용한 매칭회로를 구성하여 안테나의 임피던스 정합특성을 분석하였다. 본 논문에서 제안된 안테나는 공진주파수의 파장에 비해 매우 작은 크기인 $7\;{\times}\;24\;mm$로 제작되었으며, 860 MHz 대역에서 -18 dB의 반사특성을 보이며 Z-Wave 시스템에 적용가능성을 확인하였다.

• ETRI Journal
• /
• 제25권2호
• /
• pp.65-72
• /
• 2003

To achieve cost and size reductions, we developed a low cost manufacturing technology for RF substrates and a high performance passive process technology for RF integrated passive devices (IPDs). The fabricated substrate is a conventional 6" Si wafer with a 25${\mu}m$ thick $SiO_2$ surface. This substrate showed a very good insertion loss of 0.03 dB/mm at 4 GHz, including the conductive metal loss, with a 50 ${\Omega}$ coplanar transmission line (W=50${\mu}m$, G=20${\mu}m$). Using benzo cyclo butene (BCB) interlayers and a 10 ${\mu}m$ Cu plating process, we made high Q rectangular and circular spiral inductors on Si that had record maximum quality factors of more than 100. The fabricated inductor library showed a maximum quality factor range of 30-120, depending on geometrical parameters and inductance values of 0.35-35 nH. We also fabricated small RF IPDs on a thick oxide Si substrate for use in handheld phone applications, such as antenna switch modules or front end modules, and high-speed wireless LAN applications. The chip sizes of the wafer-level-packaged RF IPDs and wire-bondable RF IPDs were 1.0-1.5$mm^2$ and 0.8-1.0$mm^2$, respectively. They showed very good insertion loss and RF performances. These substrate and passive process technologies will be widely utilized in hand-held RF modules and systems requiring low cost solutions and strict volumetric efficiencies.

• ETRI Journal
• /
• 제38권4호
• /
• pp.654-664
• /
• 2016

This paper presents a transformer-based reconfigurable synchronous boost converter. The lowest maximum power point tracking (MPPT)-input voltage and peak efficiency of the proposed boost converter, 20 mV and 88%, respectively, were achieved using a reconfigurable synchronous structure, static power loss minimization design, and efficiency boost mode change (EBMC) method. The proposed reconfigurable synchronous structure for high efficiency enables both a transformer-based self-startup mode (TSM) and an inductor-based MPPT mode (IMM) with a power PMOS switch instead of a diode. In addition, a static power loss minimization design, which was developed to reduce the leakage current of the native switch and quiescent current of the control blocks, enables a low input operation voltage. Furthermore, the proposed EBMC method is able to change the TSM into IMM with no additional time or energy loss. A prototype chip was implemented using a $0.18-{\mu}m$ CMOS process, and operates within an input voltage range of 9 mV to 1 V, and an output voltage range of 1 V to 3.3 V, and provides a maximum output power of 37 mW.